荒井 昌和 (アライ マサカズ)

ARAI Masakazu

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所属

工学教育研究部 工学科応用物理工学プログラム担当

職名

准教授

外部リンク

学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学) ( 2003年3月   東京工業大学 )

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

 

論文 【 表示 / 非表示

  • LiDARとドローンを用いた牧草の収量推定 査読あり

    荒井昌和,庄中原,中村渓士郎,石垣元気,小川将克

    レーザー研究   第49巻 ( 第10号 )   2021年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • GaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子に関する中赤外フォトルミネッセンスの温度依存性

    岩切 優人、荒井 昌和、大濱 寛士、今村 優希、藤澤 剛、 前田 幸治

    宮崎大学紀要   2020年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • 層厚比一定InAs/GaSb超格子に関するフォトルミネッセンスの励起強度依存性

    平田 康史、大濱 寛士、荒井 昌和、藤澤 剛、前田 幸治

    宮崎大学紀要   2020年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • Microscopic gain analysis of modulation-doped GeSn/SiGeSn quantum wells: epitaxial design toward high-temperature lasing 査読あり

    T. Fujisawa, M. Arai, and K. Saitoh

    Optics Express   27 ( 3 )   2457   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/OE.27.002457

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  • GeSn/SiGeSn multiple-quantum-well electroabsorption modulator with taper coupler for mid-infrared Ge-on-Si platform

    Akie M., Fujisawa T., Sato T., Arai M., Saitoh K.

    IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics   24 ( 6 )   2018年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  

    © 2018 IEEE. We propose a taper coupler electroabsorption modulator (EAM) composed of GeSn/SiGeSn multiple-quantum-well (MQW) on Ge-on-Si platform for mid-infrared (2 μm) integrated optical active devices. The epitaxial design is performed by calculating the absorption spectra of GeSn/SiGeSn MQW using many-body theory to investigate the extinction characteristics of GeSn MQW waveguides. Two types of taper couplers are considered for connecting Ge-rib waveguide and GeSn-MQW-highmesa waveguide efficiently. One is an adiabatic taper coupler (ATC) type EAM and it is useful for thin Ge-buffer structure in terms of the extinction ratio. Another is a resonant taper coupler (RTC) type EAM and it is superior to ATC type EAM for thick Ge-buffer. It is confirmed that RTC type EAM can obtain the high extinction characteristics with low-loss and shorter device length (6.87 dB, -3.97 dB, and 215 μm) compared with conventional ATC type EAM for thick Ge-buffer (5.67 dB, -4.9 dB, and 340 μm).

    DOI: 10.1109/JSTQE.2018.2827673

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MISC 【 表示 / 非表示

  • Design and fabrication of double-cavity tunable filter using micromachined structure

    Janto W., Amano T., Koyama F., Matsutani A., Kondo T., Arai M.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   42 ( 7 B )   2003年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    We propose a micromachined tunable optical filter with a double-cavity structure, which exhibits a sharper and flatter filter response than a conventional single-cavity tiller, resulting in lower interchannel crosstalk and lower insertion loss. The possibility of using widely tunable tillers in 200-GHz-spacing wavelcngth-division-multiplexing (WDM) systems is presented. In addition, a lower tuning voltage can be achieved with thinner movable cantilevers. We have fabricated a double-cavity cavity filter with 7.5-pair top, 23.5-pair middle and 3.5-pair bottom GaAs/GaAlAs multilayer mirrors. The filter provides a better shape factor of reflection spectra of 0.41 than a single-cavity filter.

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  • Effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells

    Kondo T., Arai M., Azuchi M., Uchida T., Miyamoto T., Koyama F.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   41 ( 6 A )   2002年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    We determine the effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells (QWs) grown on a (100) n-type GaAs substrate by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy. Highly strained QWs suffer from degradation caused by high-temperature thermal annealing due to its high strain and it is indicated that the overgrowth temperature should be decreased. The comparison of the annealing effects with and without a GaInAs strained buffer layer (SBL) inserted below QWs was carried out. The SBL is effective in maintaining the good crystal quality of highly strained QWs after the overgrowth.

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  • Composition dependence of thermal annealing effect on 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by chemical beam epitaxy

    Makino S., Miyamoto T., Kageyama T., Ikenaga Y., Arai M., Koyama F., Iga K.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   40 ( 11 B )   2001年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    The thermal annealing process in effective to improve the optical quality of GaInNAs/GaAs quantum wells (QWs). However, a blue shift of the emission peak wavelength occurs during the annealing and it is strongly related to the annealing condition and the composition of GaInNAs/GaAs QWs. In this study, we investigated the dependences of both the annealing condition and the composition on the lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAs QW lasers.

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • Effects of Window Layer on InGaAsP Photovoltaic Device for 1.06-µm-range Laser Power Transmission 国際会議

    Yuga motomura, Akira kushiyama, Kensuke nishioka, Masakazu arai

    OWPT 2022  2022年4月 

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    開催年月日: 2022年4月18日 - 2022年4月21日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 牧草中の粗タンパク質含量の非破壊推定のための蛍光測定

    坂倉光紀、北直矢、今東海都、下田平昂大、下村幸資、石垣元気、荒井昌和

    日本草地学会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月25日 - 2022年3月27日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 中赤外光吸収測定による牧草中の硝酸態窒素含量推定の検討

    下田平昂大・石垣元気・荒井昌和

    日本草地学会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月25日 - 2022年3月27日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • レーザ受光用InGaAsP光電変換素子における窓層の効果の評価

    本村優芽、櫛山爽、西岡賢祐、荒井昌和

    応用物理学会学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子層数の違いによる中赤外発光形状に関する実験と計算の比較

    岩切 優人,荒井 昌和,藤澤 剛,前田 幸治

    応用物理学会学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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科研費(文科省・学振・厚労省)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用

    研究課題/領域番号:21H01384  2021年 - 2024年03月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)(一般)

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    担当区分:研究分担者 

  • 光センシング用半導体素子の適用波長域を拡大させる新規材料と転位制御の研究

    2016年04月 - 2019年03月

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

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    担当区分:研究代表者 

    医療応用や環境ガスセンシング用の広帯域な半導体光源の実現のため、様々なバンドギャップ波長をもつ材料を、基板の格子定数の制限を超えて集積するための結晶成長技術を開発する。

 

授業 【 表示 / 非表示

  • 工学専攻特別研究Ⅰ(C)

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    科目区分:大学院科目(修士) 

  • 卒業研究(電物)

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    科目区分:専門教育科目 

  • 応用数学I(電物)

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    科目区分:専門教育科目 

  • 工学英語I(電物・3年生用)

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    科目区分:共通教育科目 

  • 電子物理工学実験II

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    科目区分:専門教育科目 

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