前田 幸治 (マエダ コウジ)

MAEDA Koji

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職名

教授

研究室住所

宮崎市学園木花台西1-1

研究分野・キーワード

材料物性

メールアドレス

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出身大学 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1982年03月

    電気通信大学   電気通信学部   材料科学科   卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1988年03月

    九州大学  総合理工学研究科  材料開発工学  博士課程  単位取得満期退学

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 九州大学 -  工学

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 無機化学

取得資格 【 表示 / 非表示

  • 衛生管理者(第1種)

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 希土類添加材料のX線励起発光

    経常研究  

    研究期間: 2007年03月  -  継続中

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    希土類を含むセラミックス(バルク、薄膜)のPLおよびX線励起発光に関して、組成、作成条件などの依存性と発光メカニズムの研究。

  • 化合物半導体ナノワイアの作製と評価

    (選択しない)  

    研究期間: 2012年04月  -  継続中

  • 薄膜結晶半導体の評価

    (選択しない)  

    研究期間: 2010年04月  -  継続中

  • 希土類を含むカルコゲナイドガラスの赤外発光と応用

    その他の研究制度  

    研究期間: 2003年04月  -  2013年03月

  • ALE 成長法によるGaAsN薄膜の評価

    (選択しない)  

    研究期間: 2013年04月  -  継続中

     概要を見る

    ALE 成長法によるGaAsN薄膜の成長条件と結晶性、Nの分散状態をXRD,ラマン分光法などの手法で解析し、多接合太陽電池の長波長吸収層として用いることのできる薄膜の作成を試みる。

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論文 【 表示 / 非表示

  • X-ray and photo- luminescence properties of Sm3+ doped barium sulfide.

    Kouji Maeda, Nao Kawaida, Ryutaro Tsudome, Kentaro Sakai and Tetsuo Ikari

    Phys. Status Solidi C   9 ( 12 ) 2271 - 2274   2012年12月  [査読有り]

    共著

  • Optical properties and photo- and X-ray luminescence of Sm3+ -doped chalcogenides

    Kouji Maeda, Ryutaro Tsudom

    Phys. Status Solidi C   8 ( 9 ) 2692 - 2695   2011年09月  [査読有り]

    共著

  • Photoluminescence of Valence-Changed Samarium Ions in Sintered BaSO4 Induced by X-ray Radiation

    K Maeda, T Kumeda, K Arimura, K Sakai and T Ikari

    J. Phys.: Conf. Ser.   619   012040   2015年04月  [査読有り]

    共著

  • Proposition of a new valid Utilization for Shirasu Volcanic Ash using Renewable Energy

    Kosei Sato, Kouji Maeda, and Kensuke Nishioka

    Advanced Materials Research   894   149 - 153   2014年02月  [査読有り]

    共著

  • Misfit dislocation anisotropies in the InGaAs/GaAs(001) interface measured

    Hidetoshi Suzuki, Takuya Matsushita, Masahiro Katayama, Kouji Maeda, and Tetsuo Ikari

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 1 ) 018001   2014年01月  [査読有り]

    共著

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著書 【 表示 / 非表示

総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • InGaAs/GaAs(001)界面における成長初期過程の転位のX線回折およびトポグラフ法を用いた観察

    高比良 潤、小寺 大介、境 健太郎、前田 幸治、大下 祥雄、鈴木 秀俊

    宮崎大学工学部紀要 ( 宮崎大学 )  44   71 - 75   2015年07月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   共著

  • 硫酸バリウムにユーロピを添加した蛍光体のX線照射による発光特性の変化

    有村 啓太、直野 令磨、前田 幸治、境 健太郎

    宮崎大学工学部紀要 ( 宮崎大学工学部 )  44   67 - 69   2015年07月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   共著

  • ユーロピウムを添加した蛍光体の光励起および応力による発光特性の評価

    藤原 光二郎、蔵元 俊己、横山 宏有、前田 幸治

    宮崎大学工学部紀要 ( 宮崎大学工学部 )  44   63 - 65   2015年07月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   共著

  • 焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化

    前田 幸治,藤原 光二郎,久米田 朋晃,境 健太郎

    宮崎大学工学部紀要 ( 宮崎大学工学部 )  43   77 - 80   2014年07月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   共著

  • 焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化

    前田 幸治,藤原 光二郎,久米田 朋晃,境 健太郎

    宮崎大学工学部紀要   43   77 - 80   2014年07月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   共著

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工業所有権 【 表示 / 非表示

  • X線検出装置

    特願 特願2014-088400  

    前田 幸治, 久米田 朋晃

  • 蛍光体および電磁波検出装置

    特願 特願2010-174525  特開 特許公開2012-36230 

    前田幸治

その他研究活動 【 表示 / 非表示

  • 実践的製造プロセス・装置等の実習に係わる学習資料

    その他 

    2006年04月
    -
    2008年03月
     

     概要を見る

    財団法人九州地区産業活性化センターの委託を受けて宮崎沖電気株式会社が作製した「実践的製造プロセス・装置等の実習に係わる学習資料」の一部執筆と全体の監修を行った。

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 希土類の価数変化を利用した新しいタイプの高分解能X線検出材料の開発

    基盤研究(C)

    研究期間:  2016年04月  -  2019年03月 

  • 希土類元素添加カルコゲナイドガラスによる高強度発光材料探査とその発現機構

    基盤研究(C)

    研究期間:  2003年04月  -  2005年03月 

     概要を見る

     これまでの成果より、Ge-Se-Ga系の組成では化学量論組成がエルビウムの分散性がよいことがわかっていたので、エルビウム量を一定にして、化学量論組成のカルコゲナイドガラス(GeSe2)1-x(Ga2Se3)x (x=0-0.3)のガリウムを変化させたガラスを各種作製した。その時の光透過率、PLスペクトル、PLスペクトル強度を測定した。その結果、Ga割合が14at%付近を境に、PLスペクトルがブロードになり発光強度も増加した。しかし、赤外域での光透過率も減少したことから、この変化はGaの増加によりガラス中に不均質構造が形成され、PLの励起光がガラス中で散乱したことが原因でPL強度が増加したことがわかった。Ga14at%以下で透過率60%以上の良質のガラスを選び、エルビウムの量とPL強度の関連を調べた。すると約2at%程度までは仕込み量に比例してPL強度が上昇し、その後は飽和し、4at%程度では明らかに減少に転じた。これよりGe-Se-Ga系化学量論組成では、エルビウムを2at%程度までは、光学的に活性な状態で分散できることが明らかにした。  次に、Ga6at%と一定にした化学量論組成ガラスにジスプロシウム、ツリウム、サマリウム、ネオジウムの4種の希土類を1at%まで添加したガラスを作製した。どの組成でも透過率60%以上のガラスが作製でき、仕込み量と希土類特有の吸収バンドの吸収量は比例した。これらのことからカルコゲナイドガラスはこれらの希土類に対しても十分マトリクスとなりうることを明らかにした。

  • ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体内結晶欠陥の高感度検出法の開発

    基盤研究(C)

    研究期間:  2000年04月  -  2001年03月 

     概要を見る

     キャリア濃度に敏感なラマン散乱線を用いて、室温で半導体結晶のキャリア濃度を決定する方法を開発した。この方法を用いて、実際にシリコンカーバイドの欠陥とその周辺について測定を行い、キャリア濃度の異常を検出しその分布を求めた。  最近シリコンのような従来の半導体では作り得なかった大電力、高耐圧の半導体素子の開発が進められている。この基板材料として特に注目されているのが、シリコンカーバイドを中心とするワイドギャップ半導体である。これらの半導体材料はかなり品質が向上したが、デバイスの特性を劣化させる結晶欠陥が本質的にシリコンに比べて多い。顕微ラマン散乱分光法という手法を用いて、残存する欠陥を高感度にかつ非破壊で検出する手法に取り組んできた。そして、禁制配置という特殊な配置で測定を行うことにより、欠陥によるわずかなスペクトルの変化を高感度に検出することに成功した。キャリア濃度の決定、光学顕微鏡による結晶欠陥の形状とキャリア濃度の相関、さらに、シリコンカーバイド多結晶体の焼結過程の検討などを行った。  この手法は非常に簡単に、非破壊でキャリア濃度を数ミクロンの位置精度で測定できる。また、自動化することにより、ウエハー内のキャリア濃度のマッピングなども行え、シリコンカーバイドにとどまらず、広く半導体材料の評価に応用できると考えている。

その他競争的資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • スパッタリング法による高濃度希土類ドープガラスの試作

    提供機関:  JST  地域イノベーション創出総合支援事業地域研究開発推進プログラム シーズ発掘試験

    研究期間: 2007年06月  -  2008年03月 

     概要を見る

    スパッタリング法によりエルビウムを添加したカルコゲナイドガラスを作製し、赤外発光するガラス薄膜を作製した。ターゲットの構成を変化させることによって、組成の制御を行い、バルクガラスより単位厚さ当たりでは、発光強度の強いガラスの作製に成功した。ただし、ライフタイムに関しては、バルクよりもやや小さな結果となった。

  • 希土類をドープした新規高強度発光ガラス薄膜の試作と光学パラメータの研究

    提供機関:  その他省庁等  地域イノベーション創出総合支援事業地域研究開発推進プログラム シーズ発掘試験

    研究期間: 2006年09月  -  2007年02月 

     概要を見る

    平面小型平面導波回路中に光増幅素子を作製する際、希土類を添加した薄膜ガラスが必要となる。その作製の可能性を探るためにスパッタリング法を用いて希土類を含むカルコゲナイド系ガラス薄膜を作製した。その結果、ターゲットを工夫することにより赤外領域でPL発光する薄膜ガラスの作製に成功した。

研究発表 【 表示 / 非表示

  • フッ素添加アルミン酸ストロンチウムの応力及び残光発光特性

    前田幸治, 小牧修也, 境健太郎, 横山宏有

    第65回応用物理学会春学術講演会  2018年03月  -  2018年03月   

  • MOVPE法で作製した層厚の異なるInAs/GaAsSb超格子の光学特性評価

    若城玲亮, 井上裕貴, 高橋 翔, 前田幸治, 荒井昌和

    第65回応用物理学会春学術講演会  2018年03月  -  2018年03月   

  • X 線照射したストロンチウムホウリン酸塩中のサマリウムイオンの価数変化

    尾前翔太, 前田幸治, 有村啓太, 境健太郎, 横山宏有

    2017年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2017年12月  -  2017年12月   

  • MOVPE 法で作製したInAs 基板上n-AlGaAsSb クラッド層の上のInAs 層の光学特性評価

    井上裕貴, 若城玲亮, 吉元圭太, 山形勇也, 荒井昌和, 前田幸治

    2017年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2017年12月  -  2017年12月   

  • マイクロラマン分光法によるInGaAsP/InP 膜の応力分布測定

    山本大貴, 荒井昌和, 前田幸治

    2017年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2017年12月  -  2017年12月   

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共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • 発光材料の開発と評価

  • 高分解能X線回折装置による半導体薄膜結晶などの評価

  • 非晶質材料の光学的評価と応用

  • 微弱光計測(可視から赤外光の検出および、スペクトルの分析)

  • 半導体などの材料の分析と評価