横山 宏有 (ヨコヤマ ヒロスミ)

YOKOYAMA Hirosumi

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所属

工学教育研究部 工学科応用物理工学プログラム担当

職名

助教

外部リンク

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

 

論文 【 表示 / 非表示

  • ゲル化燃焼法により作製した希土類添加 アルミン酸ストロンチウム蛍光体の応力発光特性の評価

    児玉 直弥,松本 知真,横山 宏有,境 健太郎,前田 幸治

    宮崎大学工学部紀要   ( 49 )   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • 硫黄とフッ素を導入したアルミン酸ストロンチウム 蛍光体の応力発光とトラップ準位との関係

    松本 知真,児玉 直弥,横山 宏有,境 健太郎,前田 幸治

    宮崎大学工学部紀要   ( 49 )   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • X 線照射によるホウリン酸塩蛍光体中のサマリウムイオンの価数変化

    尾前翔太,前田幸治,横山宏有,境健太郎

    宮崎大学工学部紀要   ( 48 )   2019年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • アルミン酸ストロンチウム蛍光体における熱ルミネッセンス測定によるトラップ準位と応力発光強度の関係

    藤原祐,児玉直弥,松本知真,横山宏有,境健太郎,前田幸治

    宮崎大学工学部紀要   ( 48 )   2019年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • 希土類添加アルミン酸ストロンチウムの残光及び応力発光特性のフッ素添加効果

    小牧修也,平川大樹,横山宏有,境健太郎,前田幸治

    宮崎大学工学部紀要   2018年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

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MISC 【 表示 / 非表示

  • Crystallization of Amorphous GeSe<sub>2</sub> Semiconductor by Isothermal Annealing without Light Radiation

    Kentaro Sakai, Kenji Yoshino, Atsuhiko Fukuyama, Hirosumi Yokoyama, Tetsuo Ikari, Kouji Maeda

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 3A )   1058 - 1061   2000年

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:社団法人応用物理学会  

    The thermal-induced crystallization process of melt-quenched amorphous GeSe2 was studied. The low-temperature (LT) form, LT-GeSe2 and the high-temperature (HT) form, HT-GeSe2 were observed with Raman spectroscopy, differential scanning calorimetry (DSC) and an X-ray diffractometer. We observed the X-ray diffraction pattern of LT-GeSe2 and identified the reflection index. The crystal parameters resembled those of LT-GeS2 crystal. The growth conditions for crystallization of LT-GeSe2 and HT-GeSe2 were clarified from the time-temperature-transformation diagram. It was found that amorphous GeSe2 crystallizes at first into LT-GeSe2 and then LT-GeSe2 changes into HT-GeSe2. The activation energy (\(E_{\rm a}\)) from amorphous GeSe2 to LT-GeSe2 is estimated to be 4.6 eV from the DSC measurement which corresponds to the boundary of the phases in the T-T-T diagram. The activation energy from LT-GeSe2 to HT-GeSe2 could not be obtained.

    DOI: 10.1143/JJAP.39.1058

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • Sr仕込み量を変化させたアルミン酸ストロンチウム蛍光体における応力発光強度とトラップ準位の関係

    児玉直弥,横山宏有,境健太郎,前田幸治

    応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催年月日: 2020年11月28日 - 2020年11月29日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • アルミン酸ストロンチウム蛍光体におけるストロンチウム量の応力発光に及ぼす影響

    児玉 直弥,横山 宏有,境 健太郎,前田 幸治

    応用物理学会秋季学術講演会  (オンライン開催) 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催  

  • 不純物添加したアルミン酸ストロンチウム蛍光体の応力発光強度とトラップ準位の活性化エネルギーの関係

    前田幸治,松本知真,児玉直弥,横山宏有,境健太郎

    応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • EuとDyを添加したアルミン酸ストロンチウム蛍光体の応力発光強度とトラップ準位の活性化エネルギーの関係

    松本知真,児玉直弥,前田幸治,横山宏有,境健太郎

    応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催年月日: 2019年11月23日 - 2019年11月24日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • ゲル化燃焼法により作製した希土類添加アルミン酸ストロンチウム蛍光体の応力発光特性の調査

    児玉直弥,松本知真,前田幸治,横山宏有,境健太郎

    応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催年月日: 2019年11月23日 - 2019年11月24日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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その他競争的資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 光音響分光法によるハロゲン添加カルコゲナイドガラスの光学的評価

    2011年04月 - 2012年03月

    宮崎大学  平成23年度学部長裁量経費 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    次世代光通信デバイス用希土類添加カルコゲナイドガラスを、熱損失を直接観測できる光音響分光法により測定し光学的評価を行う。