研究者詳細 - 福山　敦彦

講演・口頭発表等 - 福山　敦彦

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Development of a laser heterodyne photothermal displacement method to evaluate the carrier and heat propagation in semiconductors 国際会議

T. Harada, T. Ikari, and A. Fukuyama

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2025) (オンライン) 2025年3月3日東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2025年3月3日 - 2025年3月7日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：オンライン

Estimation of Physical Properties of Si by Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method and Machine Learning

S. Urano, T. Harada, T. Ikari, and A. Fukuyama

第45回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (USE2024) (オンライン) 2024年11月25日 USE実行委員会

開催年月日： 2024年11月25日 - 2024年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Estimation of Carrier Mobility in Si-Nanopillar/SiGe Composite Films by Laser Heterodyne Photothermal Displacement Measurements under Electric Field 国際会議

Y. Uno, T. Harada, D. Ohori, K. Endo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

21th Int. Conference on Flow Dynamics (オンライン) 2024年11月18日東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2024年11月18日 - 2024年11月20日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

Carrier recombination processes in newly proposed InGaAs/GaAsP compressively strained superlattice investigated by photoluminescence measurements 国際会議

N. Taketa, M. Asami, M. Sugiyama, T. Harada, T. Ikari, and A. Fukuyama

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2024) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2024年11月12日 PVSEC committee

開催年月日： 2024年11月12日 - 2024年11月15日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Potential fluctuation at the band edge of Cu2ZnSnS4 thin film materials in solar cell structures investigated by a photoluminescence measurement 国際会議

S. Endo, T. Harada, T. Ikari, T. Aihara, H. Tampo, T. Nagai, A. Fukuyama

35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2024年11月10日 PVSEC committee

開催年月日： 2024年11月10日 - 2024年11月15日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Blueshift of the photoluminescence peak energy as a function of excitation power in an InGaAs/GaAsP wire-on-well quantum structure 国際会議

K. Nakajima, N. Taketa, M. Asami, M. Sugiyama, T. Ikari, A. Fukuyama

35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2024年11月10日 PVSEC committee

開催年月日： 2024年11月10日 - 2024年11月15日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

量子ナノ構造を吸収層に挿入した太陽電池構造のキャリアダイナミクス招待あり

武田奈々, 中島魁耶, 浅見明太, 杉山正和, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

第11回次世代太陽電池用材料研究会 (オンライン) 2024年10月27日日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2024年10月27日 - 2024年10月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：オンライン

光ヘテロダイン光熱変位法を用いたSiとAl間の界面熱コンダクタンスの推定

細越裕太, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

第15回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2024年9月25日

開催年月日： 2024年9月25日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

キャリアの緩和過程を考慮した歪緩和層挿入超格子太陽電池のキャリア輸送特性の解析

代永遼平, 杉山正和,碇哲雄, 福山敦彦

第15回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2024年9月25日

開催年月日： 2024年9月25日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

光ヘテロダイン光熱変位法による鉄汚染させたSi中の鉄濃度測定

橋本壮大郎, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

第15回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2024年9月25日

開催年月日： 2024年9月25日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

意図的にAgを注入したCu2ZnSnS4太陽電池の欠陥およびポテンシャル揺らぎ評価

松川嵩介, 遠藤聡馬, 原田知季, 碇哲雄, 相原健人, 反保衆志, 福山敦彦

第15回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2024年9月25日

開催年月日： 2024年9月25日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

光ヘテロダイン光熱変位法を用いたGeクラスレート膜における非発光再結合中心のマッピング評価

藤田直希, 原田知季, 久米徹二, 碇哲雄, 福山敦彦

第15回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2024年9月25日

開催年月日： 2024年9月25日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

理論計算による多光子励起フォトルミネッセンス法の発光分布の再現

原田航陽, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

第15回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2024年9月25日

開催年月日： 2024年9月25日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

電子線照射後の回復熱処理温度がSi中欠陥準位の発光再結合信号に与える影響

原口佑斗, 岩切孝洋, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 三次伯知

令和6年秋季第85回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2024年9月16日応用物理学会

開催年月日： 2024年9月16日 - 2024年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

光ヘテロダイン光熱変位法による人工的に制御したSi粒界構造の界面熱コンダクタンス測定

原田知季, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 碇哲雄, 福山敦彦

令和6年秋季第85回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2024年9月16日応用物理学会

開催年月日： 2024年9月16日 - 2024年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

光ヘテロダイン光熱変位法を用いたマイクロピラーとホールの熱物性評価

岩切孝洋, 原田知季, 石井智, 碇哲雄, 福山敦彦

令和6年秋季第85回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2024年9月16日応用物理学会

開催年月日： 2024年9月16日 - 2024年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

機械学習を用いた光ヘテロダイン光熱変位信号からのSiの熱拡散率とキャリア寿命の推定

浦野翔大, 原田知季, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 碇哲雄, 福山敦彦

令和6年秋季第85回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2024年9月16日応用物理学会

開催年月日： 2024年9月16日 - 2024年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Effect of Intentionally Changed Nitrogen Distribution on Nitrogen Localized level in GaAsN thin films 国際会議

K. Yamashita, T. Harada, M. Kawano, H. Suzuki, T. Ikari, and A. Fukuyama

2024 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2024年9月5日 PVSEC committee

開催年月日： 2024年9月5日 - 2024年9月8日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

フォトルミネッセンス測定を用いた波状超格子太陽電池の発光再結合の励起光強度依存性評価

中島魁耶, 武田奈々, 駒場森太郎浅見明太, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第14回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2023年12月9日

開催年月日： 2023年12月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

ALE法で意図的に変化させたN分布がGaAsN薄膜のバンドギャップに及ぼす影響

岩下大晟, 山下匡祐, 矢田部龍彦, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦

第14回半導体材料・デバイスフォーラム (オンライン) 2023年12月9日応用物理学会

開催年月日： 2023年12月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

Siの熱拡散率とキャリアライフタイムの予測における光ヘテロダイン光熱変位信号と機械学習モデル

浦野翔大, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

第14回半導体材料・デバイスフォーラム (オンライン) 2023年12月9日応用物理学会

開催年月日： 2023年12月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

光ヘテロダイン光熱変位法による転位すべり面に異方性のある InGaAs 太陽電池の非発光再結合準位の分布測定

遠藤聡馬, 原田尚吾, 原田知季, 鈴木秀俊小倉暁雄, 碇哲雄, 福山敦彦

第14回半導体材料・デバイスフォーラム (九州工業大学飯塚キャンパス) 2023年12月9日

開催年月日： 2023年12月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州工業大学飯塚キャンパス

電界下における光ヘテロダイン光熱変位法によるn型Siの局所キャリア移動度解析

宇野巧人, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

令和5年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 2023年11月25日応用物理学会

開催年月日： 2023年11月25日 - 2023年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

PPT及びPL法によるCZTS太陽電池の結晶欠陥およびポテンシャル揺らぎ評価

大山博暉, 碇哲雄,福山敦彦, 相原健人, 反保衆志

令和5年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 2023年11月25日応用物理学会

開催年月日： 2023年11月25日 - 2023年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

PPT及びPL法によるCZTS太陽電池の結晶欠陥およびポテンシャル揺らぎ評価

反保衆志, 永井武彦, 相原健人, 大山博暉, 碇哲雄, 福山敦彦

産総研エネルギー技術シンポジウム (オンライン) 2023年11月21日応用物理学会

開催年月日： 2023年11月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

Analysis of carrier mobility in Si-Nanopillar/SiGe composite films by a laser heterodyne photothermal displacement method 国際会議

Y. Uno, T. Harada, S. Harada, H. Ohyama, D. Ohori, K. Endo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

20th Int. Conference on Flow Dynamics (オンライン) 2023年11月6日東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2023年11月6日 - 2023年11月8日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

Nonradiative Recombination Centers Mapping of Oxygen Precipitates in p-type Si Using a Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method 国際会議

T. Harada, T. Iwakiri, H. Ohyama, S. Harada, T. Ikari, and A. Fukuyama

28th Microoptics Conference (MOC2023) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年9月24日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年9月24日 - 2023年9月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Relationships Between Distribution of Dislocation Glide Planes and Carrier Recombination Properties in InGaAs Solar Cells Using Microwave Photoconductivity Decay Mapping and Photoluminescence Spectroscopy 国際会議

S. Harada, H. Suzuki, A. Ogura, M. Imaizumi, T. Ikari, and A. Fukuyama

28th Microoptics Conference (MOC2023) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年9月24日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年9月24日 - 2023年9月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Carrier Transition Process of Wire-on-Well Quantum Structures Investigated by Using Photoluminescence and Photoreflectance Spectroscopies 国際会議

S. Komaba, N. Taketa, M. Asami, M. Sugiyama, T. Ikari, and A. Fukuyama

28th Microoptics Conference (MOC2023) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年9月24日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年9月24日 - 2023年9月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Optical Transition Energy of InAs/GaSb Type-II Superlattice Investigated by Using Photoluminescence and Photoreflectance Spectroscopy 国際会議

T. Yatabe, N. Taketa, M. Arai, K. Maeda, T. Ikari, and A. Fukuyama

28th Microoptics Conference (MOC2023) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年9月24日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年9月24日 - 2023年9月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

電子線照射とその後の回復熱処理によって形成されたSi中深い準位の非発光再結合信号

原口佑斗, 矢田部龍彦, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知

令和5年秋季第84回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2023年9月19日応用物理学会

開催年月日： 2023年9月19日 - 2023年9月23日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Mapping of Dislocation-Related Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs Solar Cells Using a Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method 国際会議

S. Harada, T. Harada, H. Suzuki, A. Ogura, M. Imaizumi, T. Ikari, and A. Fukuyama

2023 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年9月5日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年9月5日 - 2023年9月8日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Effects of the distribution of dislocation glide planes on electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells 国際会議

H. Suzuki, K. Kurisaki, A. Ogura, M. Imaizumi, and A. Fukuyama

2023 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年9月5日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年9月5日 - 2023年9月8日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

光ヘテロダイン光熱変位法によるGeクラスレート膜の非発光再結合マッピング招待あり

原田知季, 原田尚吾, 矢田部龍彦, 久米徹二, 碇哲雄, 福山敦彦

第第10回次世代太陽電池用材料研究会 (オンライン) 2023年8月27日日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2023年8月27日 - 2023年8月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：オンライン

Carrier lifetime change by nanopillar space in Si nanopillar/SiGe composite films investigated by a laser heterodyne photothermal displacement method 招待あり国際会議

A. Fukuyama, T. Harada*, S. Harada, H. Ohyama, D. Ohori, K. Endo, S. Samukawa, and T. Ikari

23rd 2023 IEEE Int. Conf. on Nanotechnology (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2023年7月4日 PVSEC committee

開催年月日： 2023年7月2日 - 2023年7月5日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

集光照射下でのキャリア輸送過程がSiの移動度減少に及ぼす影響

山下匡祐, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦

第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (オンライン) 2023年6月29日日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2023年6月29日 - 2023年7月3日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

InGaAs/GaAsP 波状超格子太陽電池におけるフォトルミネッセンスピークの励起光強度依存性

武田奈々, 駒場森太郎, 浅見明太, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (オンライン) 2023年6月29日日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2023年6月29日 - 2023年7月3日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

ナノピラー間隔を変化させたSi-nanopillar/SiGe0.3複合膜の光ヘテロダイン光熱変位法によるキャリアライフタイム評価

原田知季, 大堀大介, 遠藤和彦, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

令和5年春季第70回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2023年3月17日応用物理学会

開催年月日： 2023年3月15日 - 2023年3月18日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Effect of local strains on carrier transport properties of InGaAs/GaAsP superlattice solar cell structures with a different phosphorus composition 国際会議

N. Yamamoto, T. Ikari, S. Komaba, M. Sugiyama and A. Fukuyama

33th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2022年11月13日 PVSEC committee

開催年月日： 2022年11月13日 - 2022年11月17日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Relationships between the distribution of dislocation glide planes and electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells. 国際会議

J. Okubo, A. Ogura, M. Kawano, S. Harada, K. Morita, H. Ohama, T. Harada, T. Ikari, A. Fukuyama, M. Imaizumi, H. Suzuki

33th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2022年11月13日 PVSEC committee

開催年月日： 2022年11月13日 - 2022年11月17日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Optical characterization of wire-on-well structure by photoreflectance measurements 国際会議

S. Komaba, N. Yamamoto, M. Sugiyama, T. Ikari and A. Fukuyama

33th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) 2022年11月13日 PVSEC committee

開催年月日： 2022年11月13日 - 2022年11月17日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Analysis of in-plane thermal conduction in Si-Nanopillar/SiGe composite films by laser heterodyne photothermal displacement signal and theoretical calculation 国際会議

H. Ohyama, T. Harada, K. Morita, S. Harada, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari, and A. Fukuyama

19th Int. Conference on Flow Dynamics (オンライン) 2022年11月9日東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2022年11月9日 - 2022年11月11日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Detection of carrier nonradiative recombination in dislocation glide planes of InGaAs solar cells by a laser heterodyne photothermal displacement method

S. Harada, T. Harada, J. Okubo, H. Suzuki, A. Ogura, T. Ikari, and A. Fukuyama

第41回電子材料シンポジウム (THE KASHIHARA（奈良県）) 2022年10月20日 EMS実施委員会

開催年月日： 2022年10月19日 - 2022年10月21日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：THE KASHIHARA（奈良県）

転位すべり面に偏りのあるInGaAs太陽電池の非発光再結合マッピング評価

原田尚吾, 森田浩右, 大山博暉, 原田知季, 大窪純矢, 鈴木秀俊, 小倉暁雄, 今泉充, 碇哲雄, 福山敦彦

令和4年秋季第83回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2022年9月21日応用物理学会

開催年月日： 2022年9月20日 - 2022年9月23日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

InAs/GaSb超格子のPL法とPR法を用いた遷移エネルギー評価

矢田部龍彦, 迫田理久, 荒井昌和, 碇哲雄, 福山敦彦

令和4年秋季第83回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2022年9月21日応用物理学会

開催年月日： 2022年9月20日 - 2022年9月23日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Defect mapping of metal contaminated Si wafers by a laser heterodyne photothermal displacement method 国際会議

T. Harada, K. Morita, S. Harada, H. Ohyama, T. Ikari, and A. Fukuyama

The 13th Int. Conf. on Optics-Photonics Design and Fabrication (ODF22) (オンライン) 2022年8月4日 EDTM2022 organization

開催年月日： 2022年8月3日 - 2022年8月5日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

InGaAs/GaAsP超格子太陽電池のキャリア輸送特性へ障壁層P組成変化による歪が及ぼす影響

山本尚輝, 駒場森太郎, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (オンライン) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2022年6月28日 - 2022年6月29日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

PR法を用いた波状超格子太陽電池のバンド構造評価

駒場森太郎, 山本尚輝, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (オンライン) 2022年6月28日日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2022年6月28日 - 2022年6月29日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

重金属汚染させた Si の光ヘテロダイン光熱変位法による非発光再結合中心マッピング

原田知季, 安良田裕基, 森田浩右, 碇哲雄, 福山敦彦

令和4年春季第69回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2022年3月24日応用物理学会

開催年月日： 2022年3月22日 - 2022年3月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

InGaAs/GaAsP 超格子構造において障壁層の P 組成変化がもたらす歪み補償と間接遷移バンドのキャリア輸送特性への影響

古川諒, 碇哲雄 ,山本尚輝,杉山正和,福山敦彦

令和4年春季第69回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2022年3月24日応用物理学会

開催年月日： 2022年3月22日 - 2022年3月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Reduction of white spot defects in CMOS image sensors using CH2P-molecular-ion-impacted epitaxial silicon wafers 国際会議

T. Kadono, R. Hirose, A. Masuda, A, Suzuki, K. Kobayashi, R. Okuyama, Y. Koga, A. Fukuyama, and K. Kurita

The 6th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing Conference (オンライン) 2022年3月6日 EDTM2022 organization

開催年月日： 2022年3月6日 - 2022年3月9日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

バリア層のP組成比を変化させたInGaAs/GaAsP超格子太陽電池における光励起された電子と正孔の輸送特性

赤木愛実, 古川諒, 山本尚輝, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第12回半導体材料・デバイスフォーラム (オンライン) 2021年12月10日熊本高専

開催年月日： 2021年12月10日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子のPL法およびPR法を用いた基礎吸収端の測定

中村泰樹, 川畑公佑, 迫田理久, 荒井昌和, 碇哲雄, 福山敦彦

第12回半導体材料・デバイスフォーラム (オンライン) 2021年12月10日熊本高専

開催年月日： 2021年12月10日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

電子線照射によりSi結晶中に形成された炭素起因欠陥準位の熱処理による回復過程

山根流星, 川畑公佑, 中村泰樹, 迫田理久, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知

第12回半導体材料・デバイスフォーラム (オンライン) 2021年12月10日熊本高専

開催年月日： 2021年12月10日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

電子線照射とその後の回復熱処理によりSiに形成された炭素起因欠陥準位の多面評価

川畑公佑, 中村泰樹, 迫田理久, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知

令和3年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 2021年12月4日応用物理学会九州支部

開催年月日： 2021年12月4日 - 2021年12月5日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

InGaAs/GaAsP超格子構造における光励起キャリア輸送特性への障壁層P組成の影響

古川諒, 山本尚輝, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

令和3年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 2021年12月4日応用物理学会九州支部

開催年月日： 2021年12月4日 - 2021年12月5日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Dissociation Kinetics of Hydrogen Trapped in High-Dose Hydrocarbon Molecular-Ion-Implanted Region during Rapid Thermal Annealing 国際会議

T. Kadono, R. Okuyama, R. Hirose, K. Kobayashi, A. O.-Masada, S. Shigematsu, Y. Koga, H. Okuda, A. Fukuyama, K. Kurita

The 9th Int. Sympo. on Surface Science (オンライン) 2021年11月29日 ISSS9 organization

開催年月日： 2021年11月28日 - 2021年12月1日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Non-contact and non-destructive investigation of thermal properties of Si-nanopillar/SiGe composite films by using a laser heterodyne photothermal displacement method 国際会議

K. Morita, T. Harada Y. Arata, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari and A. Fukuyama

18th Int. Conference on Flow Dynamics (オンライン) 2021年10月29日東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2021年10月28日 - 2021年10月30日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Development of non-contact and non-destructive method for estimating the thermal properties by using the laser heterodyne photothermal displacement method

T. Harada, Y. Arata, K. Morita, T. Ikari, A. Fukuyama

第42回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (オンライン) 2021年10月25日 USE実行委員会

開催年月日： 2021年10月25日 - 2021年10月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

光ヘテロダイン光熱変位法によるSi熱伝導率の非破壊非接触測定とその応用

原田知季, 安良田裕基, 森田浩右, 碇哲雄, 福山敦彦

令和3年秋季第82回応用物理学会学術講演会 VRミーティング (オンライン) 2021年9月24日応用物理学会

開催年月日： 2021年9月24日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

光ヘテロダイン光熱変位法によるSi熱伝導率の非破壊非接触測定

原田知季, 安良田裕基, 森田浩右, 碇哲雄, 福山敦彦

令和3年秋季第82回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2021年9月12日応用物理学会

開催年月日： 2021年9月10日 - 2021年9月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

3次元積層型 CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(II) - CH2Pイオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析 -

門野武, 廣瀬諒, 柾田亜由美, 鈴木陽洋, 小林弘治, 奥山亮輔, 古賀祥泰, 福山敦彦, 栗田一成

令和3年秋季第82回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 2021年9月10日応用物理学会

開催年月日： 2021年9月10日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

3C-SiC膜上に成長したSiCウィスカーにおける発光と単一光子源への応用

川畑公佑, 中村泰樹, 宮内雄大, 成田克, 碇哲雄, 福山敦彦

令和2年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2020年11月28日 - 2020年11月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Si中に形成された電子線照射欠陥のフォトルミネッセンス信号とその熱処理効果

安藝翼, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知

令和2年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2020年11月28日 - 2020年11月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

GaAs量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響

中村泰樹, 宮内雄大, 川畑公佑, 間野高明, 野田武司, 碇哲雄, 福山敦彦

令和2年度応用物理学会九州支部学術講演会 (オンライン) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2020年11月28日 - 2020年11月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Theoretical study on the photothermal signal of the multilayer structure and application to the Si-nanopillar/SiGe composite films

Y. Arata, T. Harada, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

第41回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (オンライン) USE実行委員会

開催年月日： 2020年11月25日 - 2020年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

Estimating Thermal and Optical Properties of Si-Nanopillar/SiGe Composite Film by a Piezoelectric Photothermal Measurements 国際会議

T. Harada, Y. Arata, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

17th Int. Conference on Flow Dynamics (オンライン) 2020年10月29日東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2020年10月28日 - 2020年10月30日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

障壁層高さを変化させた歪緩和層挿入超格子太陽電池のキャリア輸送特性評価

古川諒, 渡部愛理, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (オンライン) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2020年10月15日 - 2020年10月16日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン

PPT法による歪緩和層挿入超格子太陽電池におけるキャリア輸送特性へ正孔が与える影響

古川諒, 渡部愛理, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

令和2年秋季第81回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 応用物理学会

開催年月日： 2020年9月8日 - 2020年9月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

フォトルミネッセンス分光法を用いた歪緩和層挿入超格子太陽電池における正孔輸送に関する解析

渡部愛理，古川諒，杉山正和，碇哲雄，福山敦彦

令和2年秋季第81回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 応用物理学会

開催年月日： 2020年9月8日 - 2020年9月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピーク位置温度依存性に対する非発光再結合の影響

宮内雄大，川畑公佑，中村泰樹，間野高明，野田武司, 碇哲雄，福山敦彦

令和2年秋季第81回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 応用物理学会

開催年月日： 2020年9月8日 - 2020年9月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

シリコンナノピラーの間隔変化による熱特性への影響

原田知季，安良田裕基，大堀大介，寒川誠二，碇哲雄，福山敦彦

令和2年秋季第81回応用物理学会学術講演会 (オンライン) 応用物理学会

開催年月日： 2020年9月8日 - 2020年9月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン

圧電素子光熱変換分光法による歪緩和層挿入超格子太陽電池のキャリア輸送特性評価

古川諒, 渡部愛理, 岩永凌平, 中村翼, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦

第11回半導体材料・デバイスフォーラム (九州大学筑紫キャンパス（福岡市）) 熊本高専

開催年月日： 2019年12月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州大学筑紫キャンパス（福岡市）

液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおける人工濡れ層によるPLピーク位置温度依存性への影響

川畑公佑, 中村泰樹, 宮内雄大, 江添悠平, 間野高明, 碇哲雄, 福山敦彦

第11回半導体材料・デバイスフォーラム (九州大学筑紫キャンパス（福岡市）) 熊本高専

開催年月日： 2019年12月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州大学筑紫キャンパス（福岡市）

光熱変換信号の周波数依存性測定によるSiナノピラー/SiGe複合膜の熱伝導率解析

安良田裕基, 原田知季, 安藝翼, 大堀大介, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

第11回半導体材料・デバイスフォーラム (九州大学筑紫キャンパス（福岡市）) 熊本高専

開催年月日： 2019年12月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州大学筑紫キャンパス（福岡市）

集光照射によるSiの移動度の変化と太陽電池特性への影響

阿部翼, 原田知季, 安藝翼, 碇哲雄, 福山敦彦

第11回半導体材料・デバイスフォーラム (九州大学筑紫キャンパス（福岡市）) 熊本高専

開催年月日： 2019年12月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：九州大学筑紫キャンパス（福岡市）

Analysis and Estimation of Thermal Conductivity of Si Nanopillar/SiGe Composite Film by Using Photo-Thermal Spectroscopy Measurement with a Multi-layer Model Calculation

T. Harada, T. Aki, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari and A. Fukuyama

第40回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学駿河台キャンパス（東京都）) USE実行委員会

開催年月日： 2019年11月25日 - 2019年11月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：明治大学駿河台キャンパス（東京都）

Effect of Insertion of the Strain Relaxation Layer on the Carrier Transport Properties of InGaAs/GaAsP Superlattice Solar Cells Investigated by the Photo-Thermal Spectroscopy

A. Watanabe, T. Nakamura, R. Iwanaga, M. Sugiyama, T. Ikari, and A. Fukuyama

第40回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学駿河台キャンパス（東京都）) USE実行委員会

開催年月日： 2019年11月25日 - 2019年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：明治大学駿河台キャンパス（東京都）

圧電素子光熱変換分光法によるSi中に形成された電子線照射欠陥の評価

安藝翼, 原田知季, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知

令和元年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学黒髪キャンパス（熊本市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2019年11月23日 - 2019年11月24日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学黒髪キャンパス（熊本市）

Significant Reduction of Thermal Conductivity of Si Nanopillar/SiGe Composite Film Fabricated by Neutral Beam Etching Investigated by a Piezoelectric Photothermal Measurements 国際会議

T. Harada, T. Aki, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

2019年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2019年11月6日 - 2019年11月8日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai, Japan

A bimodal size distribution of GaAs quantum dots causing an anomalous temperature-dependent photoluminescence signal

Y. Ezoe, Y. Miyauchi, T. Ikari, T. Mano, and A. Fukuyama

第38回電子材料シンポジウム (THE KASHIHARA（奈良県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2019年10月9日 - 2019年10月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：THE KASHIHARA（奈良県）

Influence of barrier layer height on the carrier transport properties of InGaAs/GaAsP superlattice solar cells

R. Iwanaga, A. Watanabe, T. Nakamura, T. Ikari, M. Sugiyama and A. Fukuyama

第38回電子材料シンポジウム (THE KASHIHARA（奈良県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2019年10月9日 - 2019年10月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：THE KASHIHARA（奈良県）

液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピークエネルギー温度依存性と人工濡れ層の関係

宮内雄大, 江添悠平, 間野高明, 碇哲雄, 福山敦彦

令和元年秋季第80回応用物理学会学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）) 応用物理学会

開催年月日： 2019年9月18日 - 2019年9月21日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）

歪緩和挿入による超格子太陽電池のキャリア輸送特性変化

渡部愛理, 中村翼, 岩永凌平, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

令和元年秋季第80回応用物理学会学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）) 応用物理学会

開催年月日： 2019年9月18日 - 2019年9月21日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）

光照射によるn-とp-GaAsの移動度減少と太陽電池特性への影響

原田知季, 髙内健二郎, 宮下直也, 岡田至祟, 碇哲雄, 福山敦彦

第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎市民プラザ（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2019年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎市民プラザ（宮崎市）

圧電素子光熱変換分光法による歪緩和層挿入超格子太陽電池のキャリア輸送特性評価

渡部愛理, 中村翼, 岩永凌平, 安藝翼, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎市民プラザ（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2019年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎市民プラザ（宮崎市）

超格子構造中の歪緩和層が与えるキャリア輸送メカニズムへの影響

安藝翼, 中村翼, 岩永凌平, 渡部愛理, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦

第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎市民プラザ（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2019年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎市民プラザ（宮崎市）

P組成変化超格子太陽電池試料がキャリア輸送特性に与える影響評価

岩永凌平, 中村翼, 渡部愛理, 安藝翼, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎市民プラザ（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2019年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎市民プラザ（宮崎市）

Effect of strong sunlight illumination on Hall mobility in solar cell materials for concentrated multi-junction solar cells 国際会議

T. Harada, K. Takauchi, N. Miyashita, T. Ikari, and A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2019 (Nice, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2019年5月27日 - 2019年5月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nice, France

Role of wetting layer on the anomalous temperature dependence of the photoluminescence peak energies of GaAs quantum dots 国際会議

Y. Ezoe, Y. Miyauchi, T. Ikari, T. Mano, A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2019 (Nice, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2019年5月27日 - 2019年5月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nice, France

Significant reduction of thermal conductivity of Si nanopillar/Si0.7Ge0.3 composite film fabricated by a neutral beam etching technique 国際会議

D. Ohori, T. Goda, T. Nakamura, T. Ikari, S. Samukawa, A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2019 (Nice, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2019年5月27日 - 2019年5月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nice, France

Role of strain relaxation layer on carrier recombination and escaping lifetimes in superlattice solar cell structures 国際会議

T. Nakamura, R. Iwanaga, T. Aki, A. Watanabe, T. Ikari, M. Sugiyama, and A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2019 (Nice, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2019年5月27日 - 2019年5月31日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nice, France

集光照射下でのSi基板のHall移動度の温度依存性

髙内健二郎、碇哲雄、西岡賢祐、福山敦彦

第3回フロンティア太陽電池セミナー (ホテルメリージュ（宮崎市）) フロンティア太陽電池セミナー実施委員会

開催年月日： 2018年12月13日 - 2018年12月14日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

高濃度リンドープ基板上に成長させた無添加Siエピタキシャル膜のフォトルミネッセンススペクトル

松田真輝, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知

平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡大学七隈キャンパス（福岡市））) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2018年12月8日 - 2018年12月9日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡大学七隈キャンパス（福岡市））

光照射下のp-Si基板における光励起キャリア濃度の非線形的な増加とキャリアライフタイムの関係

高内健二郎, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡大学七隈キャンパス（福岡市））) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2018年12月8日 - 2018年12月9日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡大学七隈キャンパス（福岡市））

GaAs量子ドットにおけるフォトルミネッセンスピークエネルギーのS字型温度依存性に対する励起光強度の影響

石塚史典, 合田拓矢, 江添悠平, 碇哲雄, 間野高明, 福山敦彦

平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡大学七隈キャンパス（福岡市））) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2018年12月8日 - 2018年12月9日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡大学七隈キャンパス（福岡市））

集光照射下のSi基板における光励起キャリア濃度の非線形的な増加要因

福山敦彦, 高内健二郎, 西岡賢祐, 碇哲雄

第8回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメルパルク（愛媛県松山市道後温泉）) EFCIV committee

開催年月日： 2018年11月18日 - 2018年11月19日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテルメルパルク（愛媛県松山市道後温泉）

Optical properties of Si nanopillar/Si0.7Ge0.3 compsite film fabricated by using a neutral beam etching technique 国際会議

N, Matsuda, T. Nakamura, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

2018年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2018年11月7日 - 2018年11月9日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai, Japan

超格子太陽電池内に形成されたシュタルクラダー状態とキャリアトンネル過程との関係

渡部愛理, 中村翼, 魯家男, 岩永凌平, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦

第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2018年10月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）

歪緩和層挿入による超格子構造内のキャリア輸送特性変化

安藝翼, 魯家男, 中村翼, 岩永凌平, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦

第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2018年10月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）

液滴エピタキシー法で作製されたGaAs量子ドットの発光特性に対するサイズ分布の影響

宮内雄大, 石塚史典, 合田拓矢, 江添悠平, 間野高明, 碇哲雄, 福山敦彦

第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2018年10月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）

ライフタイム測定によるnおよびp-Si基板内に形成される光励起キャリア濃度差に関する考察

原田知季, 高内健二郎, 松田真輝, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2018年10月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）

集光照射によるSi基板のHall移動度変化と太陽電池特性への影響

石脇祐誠, 高内健二郎, 松田真輝, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2018年10月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）

Effect of dot size on the temperature-dependenct photoluminescence signal in droplet-epitaxy-fabricated GaAs quantum dots

Y. Ezoe, F. Ishitsuka, T. Goda, T. Ikari, T. Mano and A. Fukuyama

第37回電子材料シンポジウム (ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2018年10月10日 - 2018年10月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）

Temperature dependence of carrier relaxation process in InGaAs/GaAsP superlattice solar cell with GaAs interlayer

R. Iwanaga, T. Nakamura, J. Lu, T. Ikari, M. Sugiyama, and A. Fukuyama

第37回電子材料シンポジウム (ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2018年10月10日 - 2018年10月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）

無欠陥Siナノピラー構造のキャリア再結合過程評価

松田真輝, 大堀大介, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

平成30年秋季第79回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（名古屋市）) 応用物理学会

開催年月日： 2018年9月18日 - 2018年9月21日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場（名古屋市）

Si(001)基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響

金子翔一, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊

平成30年秋季第79回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（名古屋市）) 応用物理学会

開催年月日： 2018年9月18日 - 2018年9月21日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場（名古屋市）

Role of GaAs interlayer between quantum well and barrier layers in carrier thermal escaping transport process in InGaAs/GaAsP superlattice solar cells 国際会議

T. Nakamura, T. Ikari, M. Sugiyama, A. Fukuyama

Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, France) ICPS comittee

開催年月日： 2018年7月27日 - 2018年8月3日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Montpellier, France

Blue shift of photoluminescence emission peak energies in the temperature dependences of GaAs and InAs quantum dot structures 国際会議

A. Fukuyama, F. Ishitsuka, T. Goda, Y. Ezoe, T. Mano, K. Akahane, and T. Ikari

Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, France) ICPS comittee

開催年月日： 2018年7月27日 - 2018年8月3日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Montpellier, France

Verification of Stark-ladder formation in InGaAs/GaAsP superlattice solar cell structures by a photo-reflectance 国際会議

T. Ikari, T. Nakamura, M. Sugiyama, A. Fukuyama

Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, France) ICPS comittee

開催年月日： 2018年7月27日 - 2018年8月3日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Montpellier, France

歪緩和層を挿入した超格子太陽電池のキャリア輸送メカニズム

魯家男, 中村翼, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦

第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテルさっぽろ芸文館（北海道札幌市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2018年7月12日 - 2018年7月13日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルさっぽろ芸文館（北海道札幌市）

集光照射によるGaAsのHall移動度変化と太陽電池特性への影響

高内健二郎, 松田真輝, 西岡賢祐, 碇哲雄, 福山敦彦

第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテルさっぽろ芸文館（北海道札幌市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2018年7月12日 - 2018年7月13日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルさっぽろ芸文館（北海道札幌市）

Effect of Light Irradiation on Carrier Mobility of n- and p-type Si substrates for Solar Cell Application 国際会議

A. Fukuyama, S. Tategami, K. Takauchi, N. Matsuda, T. Nakamura, H. Suzuki, K. Nishioka, and T. Ikari

7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Walkoloa, Hawaii) WCPEC committee

開催年月日： 2018年6月10日 - 2018年6月15日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Walkoloa, Hawaii

超格子太陽電池におけるシュタルクラダー状態下でのキャリア輸送特性

中村翼, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦

第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田大学西早稲田キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2018年3月16日 - 2018年3月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学西早稲田キャンパス

Quantum Confinement Effect in Multi-Stacked InAs Quantum Dots Structure Fabricated by Strain Compensation Technique 国際会議

F. Ishitsuka, A. Iwamoto, T. Ikari, A. Fukuyama

The 2nd Asian Applied Physics Conference (Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki) Asian-APC committee

開催年月日： 2017年12月1日 - 2017年12月3日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki

Effect of Diameter Distribution on the Photoluminescence Spectral Shape of GaAs Quantum Nanodisks in Nanopillar Array Structure 国際会議

T. Goda, A. Iwamoto, T. Ikari and A. Fukuyama, D. Ohori and S. Samukawa

The 2nd Asian Applied Physics Conference (Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki) Asian-APC committee

開催年月日： 2017年12月1日 - 2017年12月3日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki

Geクラスレート薄膜の断面TEM観察

境健太郎, 原口智宏, 大橋史隆, 久米徹二, 碇哲雄, 福山敦彦

第7回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルリゾーピア箱根（箱根町強羅）) EFCIV committee

開催年月日： 2017年11月23日 - 2017年11月24日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテルリゾーピア箱根（箱根町強羅）

イオン液体を用いたゲストフリーII型Geクラスレート膜の合成

鈴木渉太, 久米徹二, 境健太郎, H. S. Jha, 大橋史隆, 野々村修一, 福山敦彦

第7回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルリゾーピア箱根（箱根町強羅）) EFCIV committee

開催年月日： 2017年11月23日 - 2017年11月24日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテルリゾーピア箱根（箱根町強羅）

太陽電池における光照射下のキャリア移動度の変化

碇哲雄, 立神秀弥, 松田真輝, 髙内健二郎, 西岡賢祐, 福山敦彦

第7回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルリゾーピア箱根（箱根町強羅）) EFCIV committee

開催年月日： 2017年11月23日 - 2017年11月24日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ホテルリゾーピア箱根（箱根町強羅）

Evaluation of Hall Mobility in n- and p-Si Substrates under Concentrated Light Irradiation 国際会議

S. Tategami, K. Takauchi, N. Matsuda, T. Ikari, K. Nishioka, A. Fukuyama

Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2017 (Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki) Top-PV committee

開催年月日： 2017年11月18日 - 2017年11月19日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki

Improvement of carrier thermal escape in GaAs interlayer inserted InGaAs/GaAsP super-lattice solar cells 国際会議

J. Lu, T. Nakamura, H. Takeda, H. Suzuki, T. Ikari, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, A. Fukuyama

Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2017 (Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki) Top-PV committee

開催年月日： 2017年11月18日 - 2017年11月19日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki

Change of Carrier Concentration in p-Si Substrates under Concentrated Light Irradiation and Solar Cells Application 国際会議

K. Takauchi, S. Tategami, N. Matsuda, T. Ikari, K. Nishioka, A. Fukuyama

Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2017 (Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki) Top-PV committee

開催年月日： 2017年11月18日 - 2017年11月19日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki

Investigation of carrier transport mechanism in superlattice Solar Cells with strain relaxation layer 国際会議

H. Takeda, T. Nakamura, J. Lu, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, T. Ikari, A. Fukuyama

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) PVSEC committee

開催年月日： 2017年11月12日 - 2017年11月17日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Effect of light irradiation on carrier mobility of n- and p-type silicon Substrates for solar cell application 国際会議

N. Matsuda, S. Tategami, K. Takauchi, T. Ikari, K. Nishioka, and A. Fukuyama

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) PVSEC committee

開催年月日： 2017年11月12日 - 2017年11月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

The effects of Ga pre-evaporation on the crystal quality of GaAs thin film grown on Si(113) by molecular beam epitaxy 国際会議

T. Okuya, M. Yuki, T. Ikari, A. Fukuyama, H. Suzuki

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) PVSEC committee

開催年月日： 2017年11月12日 - 2017年11月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Influence of laser annealing on crystal quality of GaAs thin films grown on Si(001) substrate 国際会議

K. Kaino, H. Yoshidome, K. Maeda, T. Ikari, A. Fukuyama, H. Suzuki

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan) PVSEC committee

開催年月日： 2017年11月12日 - 2017年11月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan

Investigation of Carrier Thermal Excitation Process in GaAs-Inserted InGaAs/GaAsP Superlattice Solar Cell

T. Nakamura, H. Takeda, J. Lu, H. Suzuki, T. Ikari, K. Topraserpong, M. Sugiyama, and A. Fukuyama

第36回電子材料シンポジウム (長浜ロイヤルホテル（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2017年11月8日 - 2017年11月10日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長浜ロイヤルホテル（滋賀県）

Effect of Compressive Strain on the Photoluminescence Spectrum of Multi-Stacked InAs Quantum Dots Structure

F. Ishitsuka, D. Ohori, A. Iwamoto, T. Ikari, K. Akahane and A. Fukuyama

第36回電子材料シンポジウム (長浜ロイヤルホテル（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2017年11月8日 - 2017年11月10日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長浜ロイヤルホテル（滋賀県）

Quantum confinement effect in lateral direction of GaAs nanodisk fabricated by neutral beam etching 国際会議

A. Iwamoto, D. Ohori, Cedric Thomas, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

2017年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2017年11月1日 - 2017年11月3日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai, Japan

Doping effects on minority-carrier lifetimes in ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films

N. Nishikawa, S. Takeichi, S. Tategami, K. Takauchi, N. Matsuda, Y. Katamune, A. Fukuyama, T. Yoshitake

平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会 (福岡国際会議場（福岡市）) 応用物理学会

開催年月日： 2017年9月5日 - 2017年9月8日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡国際会議場（福岡市）

ナノピラー中のナノディスク配列による発光再結合の直径依存性

大堀大介, 石塚史典, トーマスセドリック, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会 (福岡国際会議場（福岡市）) 応用物理学会

開催年月日： 2017年9月5日 - 2017年9月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡国際会議場（福岡市）

フォトルミネッセンス法による超格子太陽電池のキャリア輸送特性評価依存性

中村翼, 武田秀明, 魯家男, 鈴木秀俊, トープラサートポンカシディット, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

平成29年秋季第78回応用物理学会学術講演会 (福岡国際会議場（福岡市）) 応用物理学会

開催年月日： 2017年9月5日 - 2017年9月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡国際会議場（福岡市）

○Minority-carrier lifetimes in ultrananocrystalline diamond/amorphous carbon composite filmes prepared by coaxial arc plasma deposition 国際会議

N. Nishikawa, S. Takeichi, T. Hanada, H. Gima, S. Tategami, A. Iwamoto, H. Takeda, A. Fukuyama, T. Yoshitake

The 15th International Conference on Advanced Materials (Kyoto, Japan) Material Research Society

開催年月日： 2017年8月27日 - 2017年9月1日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kyoto, Japan

歪緩和層を挿入した超格子太陽電池のキャリア輸送評価

魯家男, 武田秀明, 中村翼, 鈴木秀俊,碇哲雄, K. Toprasertpong, 杉山正和, 中野義昭, 福山敦彦

第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2017年7月20日 - 2017年7月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市）

疑似太陽光照射によるSi移動度のドーピング濃度依存性

高内健二郎, 立神秀弥, 松田真輝, 鈴木秀俊, 西岡賢祐, 碇哲雄, 福山敦彦

第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2017年7月20日 - 2017年7月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市）

Effect of barrier thickness on formation of miniband in InGaAs/GaAsP superlattice structure for solar cells application 国際会議

T. Nakamura, K. Matsuochi, H. Takeda, H. Suzuki, T. Ikari, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2017 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2017年5月22日 - 2017年5月26日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Excitons in InGaAs/GaAsP multi quantum well and super lattice solar cell structures investigated by a photothermal spectroscopy 国際会議

T. Ikari, K. Matsuochi, T. Nakamura, H. Takeda, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2017 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2017年5月22日 - 2017年5月26日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Study on minority-carrier lifetime in ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films

N. Nishikawa, S. Takeichi, T. Hanada, S. Tategami, A. Iwamoto, H. Takeda, A. Fukuyama, T. Yoshitake

第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会

開催年月日： 2017年3月14日 - 2017年3月17日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：パシフィコ横浜

Si基板上GaAs薄膜のレーザーアニールによる結晶性への影響

戒能賢治, 吉留寛貴, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊

第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会

開催年月日： 2017年3月14日 - 2017年3月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：パシフィコ横浜

MBE法を用いて作製したGa事前供給GaAs on Si(113)の結晶性の評価

奥谷哲, 結城正也, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊

第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会

開催年月日： 2017年3月14日 - 2017年3月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：パシフィコ横浜

疑似太陽光照射による単結晶Si基板のキャリア移動度変化

立神秀弥, 髙内健二郎, 德田直樹鈴木秀俊, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会

開催年月日： 2017年3月14日 - 2017年3月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：パシフィコ横浜

変質処理によりInを導入させたGaAsナノワイヤの発光特性

中野真理菜, 合田拓矢, 碇哲雄, 西岡康平, 石川史太郎, 福山敦彦

第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会

開催年月日： 2017年3月14日 - 2017年3月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：パシフィコ横浜

Minority-Carrier Life Time in Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite Films

N. Nishikawa, T. Hanada, S. Tategami, A. Iwamoto, H. Takeda, A. Fukuyama, and T. Yoshitake

平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会 (対馬交流センター（対馬市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2016年12月3日 - 2016年12月4日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：対馬交流センター（対馬市）

Piezoelectric photothermal detection of the mini-band edge energies of strain-balanced InGaAs/GaAsP superlattice structures 国際会議

T. Ikari, A. Fukuyama, T. Nakamura, M. Sugiyama, and Y. Nakano

第37回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (Pukyong National Univ.（Pusan, Korea）) IEEE Ultrasonics committee

開催年月日： 2016年11月16日 - 2016年11月18日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Pukyong National Univ.（Pusan, Korea）

疑似太陽光を用いたホール測定による単結晶Si基板の移動度とキャリア濃度の変化

高内健二郎，立神秀弥，德田直樹, 鈴木秀俊, 西岡賢祐, 碇哲雄, 福山敦彦

第8回半導体材料・デバイスフォーラム (くまもと県民交流館パレア（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2016年11月5日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：くまもと県民交流館パレア（熊本市）

フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価

魯家男，武田秀明，中村翼，松落高輝，鈴木秀俊，碇哲雄，Kasidit Toprasertpong，杉山正和，中野義昭，福山敦彦

第8回半導体材料・デバイスフォーラム (くまもと県民交流館パレア（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2016年11月5日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：くまもと県民交流館パレア（熊本市）

フォトルミネッセンス法による加工Si 基板上半極性(1101)面 GaN 薄膜の発光再結合特性評価

松田真輝，杉原圭二，中野真理菜，岩元杏里，大堀大介，本田善央，天野浩，碇哲雄，福山敦彦

第8回半導体材料・デバイスフォーラム (くまもと県民交流館パレア（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2016年11月5日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：くまもと県民交流館パレア（熊本市）

バイオテンプレートと中性粒子ビームエッチングを用いた GaAs ナノディスクのキャリア再結合過程

石塚史典，岩元杏里，大堀大介，Cedric Thomas, 肥後昭男，寒川誠二，碇哲雄，福山敦彦

第8回半導体材料・デバイスフォーラム (くまもと県民交流館パレア（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2016年11月5日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：くまもと県民交流館パレア（熊本市）

温度依存I-V 測定によるAlGaAs/GaAs 単一量子井戸のキャリアの熱脱出の研究

合田拓矢，岩元杏里，村上匠，松落高輝，中村翼，大堀大介，碇哲雄，福山敦彦

第8回半導体材料・デバイスフォーラム (くまもと県民交流館パレア（熊本市）) 熊本高専

開催年月日： 2016年11月5日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：くまもと県民交流館パレア（熊本市）

フラットバンド構造内に挿入された超格子におけるミニバンド形成過程とキャリア輸送評価

中村翼, 松落高輝, 武田秀明, Kasidit Toprasertpong, 杉山正和, 中野義昭, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦

2016年度レーザー・量子エレクトロニクス研究会 (宮崎市民プラザ（宮崎）) IEEE LQE

開催年月日： 2016年10月27日 - 2016年10月28日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎市民プラザ（宮崎）

Optical Evaluation of Miniband Formation in InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells 国際会議

K. Matsuochi, T. Nakamura, H. Takeda, D. Ohori, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, H. Suzuki, T. Ikari, A. Fukuyama

26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Marina Bay Sands Expo, Singapore) PVSEC committee

開催年月日： 2016年10月24日 - 2016年10月28日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Marina Bay Sands Expo, Singapore

Effect of Light Irradiation on Carrier Mobility of n- and p-Type Si Substrates for Solar Cell Application 国際会議

Naoki Tokuda, Shuya Tategami, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Kensuke Nishioka, Atsuhiko Fukuyama

26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Marina Bay Sands Expo, Singapore) PVSEC committee

開催年月日： 2016年10月24日 - 2016年10月28日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Marina Bay Sands Expo, Singapore

Radiative carrier recombination process in GaAs ND fabricated by bio-template and neutral beam etching embedded by AlGaAs 国際会議

A. Iwamoto, D. Ohori, Cedric Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

2016年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2016年10月10日 - 2016年10月12日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai, Japan

Optical properties of miniband formed in the InGaAs/GaAsP quantum well solar cells by means of photoreflectance, photoluminescence, and photothermal spectroscopies 国際会議

A. Fukuyama, K. Matsuochi, T. Nakamura, H. Takeda, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari

IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (Toulouse, France) IEEE

開催年月日： 2016年10月9日 - 2016年10月12日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Toulouse, France

Investigation of carrier recombination process in top-down fabricated GaAs nano-disc array structure by photoluminescence measurements 国際会議

T. Ikari, D. Ohori, A. Higo, C. Thomas, S. Samuakwa, K. Nishioka, A. Fukuyama

IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (Toulouse, France) IEEE

開催年月日： 2016年10月9日 - 2016年10月12日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Toulouse, France

The Influence of Substrate Orientation on Localized Nitrogen State in GaAsN films Grown on Vicinal GaAs (001) Substrates 国際会議

M. Horikiri, W. Ding, Y. Yokoyama, H. Suzuki, T. Ikari, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, A. Fukuyama

2016 Internal Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Japan) SSDM実行委員会

開催年月日： 2016年9月26日 - 2016年9月29日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tsukuba, Japan

ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響

横山祐貴, 堀切将, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦

平成28年秋季第77回応用物理学会学術講演会 (朱鷺メッセ（新潟県新潟市）) 応用物理学会

開催年月日： 2016年9月13日 - 2016年9月16日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：朱鷺メッセ（新潟県新潟市）

ナノバイオテンプレート極限加工を用いたGaAs量子ナノディスクの発光再結合の温度依存性

大堀大介, トーマスセドリック, 肥後昭男, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

平成28年秋季第77回応用物理学会学術講演会 (朱鷺メッセ（新潟県新潟市）) 応用物理学会

開催年月日： 2016年9月13日 - 2016年9月16日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：朱鷺メッセ（新潟県新潟市）

Photoluminescence emission from As-etched quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching process 国際会議

D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, A. Higo C. Thomas, S. Samukawa, T. Ikari and A. Fukuyama

16th International Conference on Nanotechnology (Sendai, Japan) IEEE

開催年月日： 2016年8月22日 - 2016年8月25日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai, Japan

Effects of Si Gas Flow Sequence on Electrical Characteristics of GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy 国際会議

Y. Yokoyama, H. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Nagoya, Japan) ICCGE実行委員会

開催年月日： 2016年8月7日 - 2016年8月12日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya, Japan

Effects of Si gas flow sequence on electrical characteristics of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy GaAsN

Y. Yokoyama, M. Kawano, M. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama

第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Photoluminescence spectra of zinc-blend and wurtzite phases coexisted Si-doped GaAs nanowires

M. Nakano, K. Sugihara, D. Ohori, T. Ikari, Y. Honda, H. Amano and A. Fukuyama

第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Investigation of thermal carrier escape from an AlGaAs/GaAs single quantum well by temperature-dependent I-V measurements

A. Iwamoto, T. Murakami, K. Matsuochi, T. Nakamura, D. Ohori, T. Ikari and A. Fukuyama

第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells

T. Usuki, K. Matsuochi, T. Nakamura, K. Toprasertpong, T. Ikari, A. Fukuyama, M. Sugiyama and Y. Nakano

第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Crystal growth of GaAs on high indexed Si substrates for multi-junction solar cells 国際会議

I. Harada, H. Suzuki, T. Ikari, A. Fukuyama

43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Portland, OR USA) IEEE

開催年月日： 2016年6月5日 - 2016年6月10日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Portland, OR USA

フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価

武田秀明，中村翼，松落高輝，碇哲雄，福山敦彦，K. Toprasertpong，杉山正和，中野義昭

第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡（新潟県長岡市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2016年5月19日 - 2016年5月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アオーレ長岡（新潟県長岡市）

疑似太陽光照射によるSiの移動度とキャリア濃度の変化

立神秀弥，徳田直樹，西岡賢祐，碇哲雄，福山敦彦

第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡（新潟県長岡市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2016年5月19日 - 2016年5月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アオーレ長岡（新潟県長岡市）

Effect of embedding process on photoluminescence spectra of GaAs quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching process 国際会議

D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, and A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2016 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2016年5月2日 - 2016年5月6日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lille, France

Effect of Built-in Electric Field on Miniband Structure and Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs/GaAsP Superlattice Investigated by Using Photoreflectance and Photoluminescence Spectroscopies 国際会議

T. Nakamura, K. Matsuochi, T. Murakami, H. Suzuki, T. Ikari, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama

The European Materials Research Society Spring Meeting 2016 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2016年5月2日 - 2016年5月6日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

中性粒子ビームとバイオナノテンプレートを用いて作製したGaAs量子ナノディスクのキャリア再結合とその埋め込み効果

近藤清文, 大堀大介, 境健太郎, トーマスセドリック, 肥後昭男, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

第63回春季応用物理学関係連合講演会 (東工大大岡山キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2016年3月19日 - 2016年3月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東工大大岡山キャンパス

GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響

横山祐貴, 堀切将, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦

第63回春季応用物理学関係連合講演会 (東工大大岡山キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2016年3月19日 - 2016年3月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東工大大岡山キャンパス

Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells 国際会議

T. Usuki, K. Matsuochi, T. Nakamura, K. Toprasertpong, A. Fukuyama, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

SPIE Photonics West 2016 (San Francisco, CA, USA) The International Society for Optics and Photonics

開催年月日： 2016年2月13日 - 2016年2月18日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：San Francisco, CA, USA

Carrier collection mechanism in the strain-balanced InGaAs/GaAsP super-lattice solar cells by investigating the temperature changes of the surface photovoltage, photoluminescence, and piezoelectric photothermal signals 国際会議

A. Fukuyama, T. Nakamura, T. Usuki, K. Matsuochi, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

SPIE Photonics West 2016 (San Francisco, CA, USA) The International Society for Optics and Photonics

開催年月日： 2016年2月13日 - 2016年2月18日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：San Francisco, CA, USA

半極性(1-101)面で成長させたGaN薄膜のバンドギャップ減少

杉原圭二, 中野真理菜, 大堀大介, 碇哲雄, 福山敦彦, 天野浩, 本田善央

平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会 (琉球大学工学部（那覇市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2015年12月5日 - 2015年12月6日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：琉球大学工学部（那覇市）

GaAsN薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi供給順序が電気特性に与える影響

堀切将, 横山祐貴, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦

平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会 (琉球大学工学部（那覇市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2015年12月5日 - 2015年12月6日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：琉球大学工学部（那覇市）

Effect of internal electric field on the miniband formation of multi quantum well solar cell structures investigated by a photoreflectance and a photothermal spectroscopy 国際会議

T. Nakamura, K. Matsuochi, T. Murakami, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari, and A. Fukuyama

米国真空学会 (San Jose, USA) American Vacuum Society

開催年月日： 2015年11月19日 - 2015年11月24日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：San Jose, USA

Formation of wurtzite phase by Si doping and its effect on the optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates by a catalyst-free MBE-VLS technique 国際会議

M. Nakano, K. Sugihara, D. Ohori, K. Sakai, Y. Honda, T. Ikari and A. Fukuyama

米国真空学会 (San Jose, USA) American Vacuum Society

開催年月日： 2015年11月19日 - 2015年11月24日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：San Jose, USA

Photoluminescence study on GaAs quantum nanodisk array fabricated by bio-nano-template and neutral beam etching 国際会議

Daisuke Ohori, K. Kondo, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, A. Fukuyama, and T. Ikari

2015年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2015年10月27日 - 2015年10月29日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai, Japan

MBE法によるSi(11L)基板上のGaAs成長と結晶性評価

原田一徹, 鈴木秀俊, 奥谷哲, 津曲陽文, 山内俊浩, 福山敦彦

第45回結晶成長国内会議 (北海道大学学術交流会館) 応用物理学会

開催年月日： 2015年10月19日 - 2015年10月21日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北海道大学学術交流会館

矩形および階段状超格子太陽電池におけるミニバンド形成の評価

宇宿孝則，中村翼，松落高輝，倉留弘憲，相原健人，トープラサートポンカシディット，藤井宏昌，杉山正和，福山敦彦，碇哲雄

平成27年秋季第76回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）) 応用物理学会

開催年月日： 2015年9月13日 - 2015年9月16日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）

ALE法を用いたGaAsN薄膜成長におけるSiドープが電気的特性へ及ぼす影響

横山祐貴, 堀切将, 橋本英明, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦

平成27年秋季第76回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）) 応用物理学会

開催年月日： 2015年9月13日 - 2015年9月16日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）

バイオナノテンプレートマスクと中性粒子ビームを用いたGaAs量子ナノピラーの発光再結合過程

大堀大介，近藤清文，トーマスセドリック，肥後昭男，寒川誠二，碇哲雄，福山敦彦

平成27年秋季第76回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）) 応用物理学会

開催年月日： 2015年9月13日 - 2015年9月16日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）

Quantum Levels in Ge Nanodisk Array Structure Fabricated by Nano-protein-mask and Neutral Beam Etching Investigated by A Photoluminescence Technique

Daisuke Ohori, Kiyofumi Kondo, Takuya Fujii, Takeru Okada, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari, and Atsuhiko Fukuyama

第34回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2015年7月15日 - 2015年7月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Control of thickness and residual impurity inclusion of GaAsN thin films grown by an atomic layer epitaxy

Yuki Yokoyama, Tomohiro Haraguchi, Toshihiro Yamauchi, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, and Atsuhiko Fukuyama

第34回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2015年7月15日 - 2015年7月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Effect of Si doping on crystal and electronic band structures in catalyst-free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111) Si substrates

Marina Nakano, Keiji Sugihara, Daisuke Ohori, Kentaro Sakai, Masahito Yamaguchi, Tetsuo Ikari and Atsuhiko Fukuyama

第34回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2015年7月15日 - 2015年7月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

レーザー変調反射分光法を用いた超格子太陽電池の内部電界がミニバンド幅に与える影響評価

中村翼，松落高輝，村上匠，鈴木秀俊，碇哲雄，福山敦彦，K. Toprasertpong，杉山正和，中野義昭

第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテル華の湯（福島県郡山市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2015年5月28日 - 2015年5月29日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテル華の湯（福島県郡山市）

原子層エピタキシー成長GaAsNにおけるSiドーピング供給順序変化が薄膜の結晶性・成長速度に与える影響

堀切将、横山祐貴、原口智宏、山内俊浩、碇哲雄、福山敦彦、鈴木秀俊

第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテル華の湯（福島県郡山市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2015年5月28日 - 2015年5月29日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテル華の湯（福島県郡山市）

InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池に形成されるミニバンドの光学的評価手法の確立

松落高輝、中村翼、村上匠、鈴木秀俊、碇哲雄、福山敦彦、K. Toprasertpong、杉山正和、中野義昭

第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテル華の湯（福島県郡山市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2015年5月28日 - 2015年5月29日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテル華の湯（福島県郡山市）

表面光起電力法を用いたGaAs/Si太陽電池におけるバッファー層の評価

徳田直樹，李垚，丁文，鈴木秀俊，碇哲雄，福山敦彦，諸原理，外賀寛崇，森安嘉貴，池田和磨，小島信晃，山口真史

第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテル華の湯（福島県郡山市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2015年5月28日 - 2015年5月29日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテル華の湯（福島県郡山市）

Photoluminescence study of quantum levels in GaAs/AlGaAs quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching 国際会議

A. Fukuyama, D. Ohori, A. Suzuki, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2015 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2015年5月11日 - 2015年5月15日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

Epitaxial growth of guest-free Si clathrate film on Si substrate for new solar cell device structure application 国際会議

K. Sakai, T. Haraguchi, F. Ohashi, T. Kume, H. Suzuki, A. Fukuyama, S. Nonomura, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2015 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2015年5月11日 - 2015年5月15日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

Light emission from GaAs/AlGaAs nanopillars fabricated by neutral beam etching and bio-template 国際会議

D. Ohori, A. Suzuki, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, A. Fukuyama, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2015 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2015年5月11日 - 2015年5月15日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lille, France

Control of hydrogen and carbon impurity indusion during the growth of GaAsN thin film by an atomic layer epitaxy 国際会議

Y. Yokoyama, T. Haraguchl，T. Yamauchi，H. Suzuki, A. Fukuyama，T. Ikari

第7回プラズマ国際会議 (Nagoya, Japan) ISPlasma実行委員会

開催年月日： 2015年3月26日 - 2015年3月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya, Japan

Siクラスレート薄膜のNa含有量と結晶歪みのヨウ素処理依存性

竹下博高, 境健太郎, 原口智宏, 鈴木秀俊, 大橋史隆, 久米徹二, 福山敦彦, 野々村修一, 碇哲雄

第62回春季応用物理学関係連合講演会 (東海大学湘南キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2015年3月11日 - 2015年3月14日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス

圧電素子光熱変換分光法を用いた多接合型太陽電池におけるキャリア再結合特性の断面プロファイル

杉本泰士，相原健人，福山敦彦，碇哲雄

第6回半導体材料・デバイスフォーラム (都城市) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2014年12月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：都城市

加工Si基板上半極性窒化ガリウム膜の非発光再結合過程

鮫島光人, 鈴木章生, 杉原圭二, 福山敦彦, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 碇哲雄

第6回半導体材料・デバイスフォーラム (都城市) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2014年12月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：都城市

Si基板上に成長させたp-n GaAsの光起電力性能に及ぼすバッファー層の影響

李垚，丁文，川野敬太，福山敦彦，鈴木秀俊，碇哲雄

第6回半導体材料・デバイスフォーラム (都城市) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2014年12月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：都城市

場所選択加工したSi基板を用いたGaAs-NWsの成長

原田一徹，河瀬平雅，鈴木秀俊，福山敦彦，碇哲雄，小寺大介，大下祥雄

第6回半導体材料・デバイスフォーラム (都城市) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2014年12月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：都城市

Si基板上に成長させたp-n GaAsの光起電力性能に及ぼすバッファー層の影響

川野敬太、丁文、李垚、福山敦彦、鈴木秀俊、碇哲雄、諸原理、外賀寛崇、森安嘉貴、池田和磨、小島信晃、山口真史

平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学工学部（大分市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2014年12月6日 - 2014年12月7日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学工学部（大分市）

場所選択加工したSi基板を用いたGaAs-NWsの成長

原田一徹、河瀬平雅、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄小寺大介、大下祥雄

平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学工学部（大分市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2014年12月6日 - 2014年12月7日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学工学部（大分市）

Study of mini-band formation in InGaAs/GaAsP super-lattice solar cells by Photoluminescence meas-urements 国際会議

H. Kuradome, T. Murakami, T. Sugimoto, T. Aihara, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, K. To-prasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano

平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学工学部（大分市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2014年12月6日 - 2014年12月7日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学工学部（大分市）

低温I-V測定によるAlGaAs/GaAs量子井戸の熱励起輸送評価

村上匠、倉留弘憲、杉本泰士、相原健人、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学工学部（大分市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2014年12月6日 - 2014年12月7日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学工学部（大分市）

圧電素子光熱分光法による多接合太陽電池に於けるキャリア再結合断面プロファイル

杉本泰士, 相原健人, 福山敦彦, 碇哲雄

第35回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学) 応用物理学会

開催年月日： 2014年12月3日 - 2014年12月5日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：明治大学

青色LEDの開発と次世代発光デバイスの可能性　－2014年ノーベル物理学賞受賞を記念して－

福山敦彦

第24回高等学校と大学との物理教育に関する連絡会 (宮崎市) 宮崎大学工学部

開催年月日： 2014年11月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：宮崎市

Non-Destructive Investigation of Photovoltaic Performance of GaAs p-n Junction Grown on Si Substrate Using Surface Photo-voltage Spectroscopy 国際会議

W. Ding, K. Kawano, Y. Lin, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, O. Morohara, H. Geka, Y. Moriyasu, K. Ikeda, N. Kojima, and M. Yamaguchi

第6回太陽エネルギー変換国際会議 (Kyoto, Japan) WCPEC

開催年月日： 2014年11月23日 - 2014年11月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Kyoto, Japan

Si Doping in Atomic Layer Epitaxy of GaAsN Thin Films For Multi-Junction Solar Cells 国際会議

H. Suzuki, T. Yamauchi, T. Haraguchi, A. Fukuyama, and T. Ikari

第6回太陽エネルギー変換国際会議 (Kyoto, Japan) WCPEC

開催年月日： 2014年11月23日 - 2014年11月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Kyoto, Japan

Demonstration of the Mini-band Investigation in Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells by Combination of a Piezoelectric Photothermal and Photorefrectance Spec-troscopies 国際会議

T. Aihara, T. Murakami, H. Kuradome, T. Sugimoto, H. Suzuki, A. Fukuyama, and T. Ikari K. To-prasertpong, M. Sugiyama, and Y.Nakano

第6回太陽エネルギー変換国際会議 (Kyoto, Japan) WCPEC

開催年月日： 2014年11月23日 - 2014年11月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Kyoto, Japan

Stack numbers dependence of the activation energies for carrier escape from and recombination in strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW 国際会議

A. Fukuyama, T. Ikari, K. Nishioka, T. Aihara, H. Suzuki, H. Fujii, M. Sugiyama, and Y.Nakano

米国真空学会 (Baltimore, USA) American Vacuum Society

開催年月日： 2014年11月9日 - 2014年11月14日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Baltimore, USA

Mini-band formation in a strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cell structure investigated by a photoreflectance and a surface photovoltage spectroscopy 国際会議

T. Ikari, A. Fukuyama, K. Nishioka, T. Aihara, H. Kuradome, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, and Y. Nakano

米国真空学会 (Baltimore, USA) American Vacuum Society

開催年月日： 2014年11月9日 - 2014年11月14日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Baltimore, USA

Mini-band width estimation for a strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum-well solar cells by a photore-flectance and surface photovoltage spectroscopies 国際会議

A. Aihara, A. Fukuyama, T. Murakami, H. Kuradome, K. Nishioka, H. Suzuki, T. Ikari, K. To-prasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano

IEEEナノテクノロジー国際会議 (Aci Castello, Italy) IEEE

開催年月日： 2014年10月12日 - 2014年10月15日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Aci Castello, Italy

Activation energies for carrier non-radiative recombination in strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cell structure 国際会議

H. Kuradome, T. Ikari, A. Fukuyama, K. Nishioka, T. Aihara, H. Suzuki, H. Fujii, M. Sugiyama, Y. Nakano

IEEEナノテクノロジー国際会議 (Aci Castello, Italy) IEEE

開催年月日： 2014年10月12日 - 2014年10月15日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Aci Castello, Italy

Optical investigation of the effect of mini-band formation on the carrier collection mechanism in a strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cell structure 国際会議

T. Ikari, T. Aihara, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama

2014年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2014年10月7日 - 2014年10月9日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Sendai, Japan

Photoluminescence of Ge nanodisk array structure fabricated by bio-template and neutral beam etch-ing 国際会議

Daisuke Ohori, Y. Murayama, K. Kondo, F. Takuya, T. Okada, S. Samukawa, A. Fukuyama, and Tetsuo Ikari

2014年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2014年10月7日 - 2014年10月9日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Sendai, Japan

光熱変換分光法による半導体材料の物性評価

碇哲雄, 福山敦彦

東北大学最先端電池基盤技術コンソーシアム 2014年度中間報告会 (東北大学流体科学研究所（宮城県仙台市）) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2014年10月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：東北大学流体科学研究所（宮城県仙台市）

圧電素子光熱分光法を用いた超格子太陽電池のミニバンド評価

相原健人, 村上匠, 倉留弘憲, 杉本泰士, 鈴木秀俊, 福山敦彦, 杉山正和, 中野義昭, 碇哲雄

平成26年秋季第75回応用物理学会学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）) 応用物理学会

開催年月日： 2014年9月17日 - 2014年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）

原子層エピタキシーを用いたSiドープGaAsN薄膜における不純物混入過程

横山祐貴, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 福山敦彦, 碇哲雄

平成26年秋季第75回応用物理学会学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）) 応用物理学会

開催年月日： 2014年9月17日 - 2014年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）

Effect of sintering time on uniformity of electorodeposited Cu2ZnSnS4 thin films studied by a carrier lifetime and a photoluminescence measurements 国際会議

T. Hamada, A. Fukuyama, F. Jiang, S. Ikeda, and T. Ikari

第19回多元材料国際会議 (Niigata, Japan) 応用物理学会

開催年月日： 2014年9月1日 - 2014年9月5日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Niigata, Japan

Effect of the carrier concentration on the band structure of catalyst-free MBE-VLS grown Si-doped GaAs nanowires on (111) Si substrate 国際会議

A. Suzuki, A. Fukuyama, H. Suzuki, K. Sakai, J.-H. Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari

第15回材料研究国際会議 (Fukuoka, Japan) 応用物理学会

開催年月日： 2014年8月24日 - 2014年8月30日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Fukuoka, Japan

Carrier concentration dependence of band structure in catalyst-free MBE-VLS grown Si-doped GaAs nanowires on (111)Si substrate 国際会議

A. Suzuki, A. Fukuyama, H. Suzuki, K. Sakai, J.-H. Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari

第6回IEEEナノエレクトロニクス国際会議 (Sapporo, Japan) IEEE

開催年月日： 2014年7月28日 - 2014年7月31日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Sapporo, Japan

Carrier concentration dependence of band structure in catalyst-free MBE-VLS grown Si-doped GaAs nanowires on (111)Si substrate

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Hidetoshi Suzuki, Kentaro Sakai, Ji-Hyun Paek, Masahito Yama-guchi, and Tetsuo Ikari

第33回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2014年7月9日 - 2014年7月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）

Effect of stack numbers on the activation energies for carrier escape and recombination in strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cells by using a surface photo-voltage Spectroscopy

Takeo Aihara, Yuki Yokoyama, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Fujii Hiroaki, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Tetsuo Ikari

第33回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2014年7月9日 - 2014年7月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）

Effect of crystal growth method on the microstructure of nitrogen-related localized state in GaAsN thin film by photoreflectace measurement

Wen Ding, Goshi Morioka, Akio Suzuki, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Masafumi Yamaguchi, and Tetsuo Ikari

第33回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2014年7月9日 - 2014年7月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）

原子層エピタキシー成長GaAsN薄膜の移動度及びキャリア濃度の評価

李垚、川野敬太、大堀大介、丁文、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎

第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2014年7月3日 - 2014年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

原子層エピタキシー法を用いたGaAsN薄膜成長における不純物混入過程

横山祐貴、原口智宏、山内俊浩、福山敦彦、鈴木秀俊、碇哲雄

第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2014年7月3日 - 2014年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

Siクラスレート薄膜の透過電子顕微鏡による結晶構造解析

竹下博高、原口智宏、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎、大橋史隆、久米徹二、野々村修一

第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2014年7月3日 - 2014年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

レーザー変調分法を用いたInGaAs/GaAsP超格子構造太陽電池におけるミニバンド形成評価

倉留弘憲、村上匠、杉本泰士、相原健人、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、K. Toprasertpong、杉山正和、中野義昭

第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2014年7月3日 - 2014年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

量子井戸太陽電池における熱脱出および非発光再結合に対する活性化エネルギーの積層数依存性

村上匠、倉留弘憲、杉本泰士、相原健人、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、藤井宏昌、杉山正和、中野義昭

第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2014年7月3日 - 2014年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

Siナノディスクの紫外・可視領域反射率測定

近藤清文、大堀大介、村山友基、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎、M. M. Rahman、岡田健、寒川誠二

第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2014年7月3日 - 2014年7月4日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

Microstructure of the Nitrogen-Induced Localized State in GaAsN Thin Films Grown by Chemical Beam Epitaxy 国際会議

A. Fukuyama, G. Morioka, W. Ding, A. Suzuki, H. Suzuki, M. Yamaguchi, and T. Ikari

IEEE太陽電池会議 (Denver, USA) IEEE

開催年月日： 2014年6月8日 - 2014年6月13日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Denver, USA

The effects of Indium Pre-Evaporation on Rotational Twin Formation in GaAs films on Si(111) 国際会議

H. Suzuki, D. Ito, A. Haga, A. Fukuyama, and T. Ikari

IEEE太陽電池会議 (Denver, USA) IEEE

開催年月日： 2014年6月8日 - 2014年6月13日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Denver, USA

Silicon clathrate fabricated as a new photovoltaic material 国際会議

T. Kume, F. Ohashi, T. Ban, K. Sakai, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, and S. Nonomura

欧州材料学会春季ミーティング2014 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2014年5月26日 - 2014年5月30日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

Effect of interatomic distance of constituent nitrogen atoms on its localized electronic state in dilute GaAsN thin films investigated by a photoreflectance spectroscopy 国際会議

W. Ding, G. Morioka, A. Suzuki, H. Suzuki, A. Fukuyama, M. Yamaguchi, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2014 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2014年5月26日 - 2014年5月30日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

Selective area growth of GaAs nanowires on patterned Si (001) substrate Growth of GaAs nanowires on the selective areas of patterned Si (001) substrate 国際会議

H. Suzuki, D. Kodera, A. Haga, I. Harada, A. Fukuyama, T. Ikari, and Y. Ohshita

欧州材料学会春季ミーティング2014 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2014年5月26日 - 2014年5月30日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

Photothermal and photoluminescence spectra of Cu(InGa)Se2 with CdS and ZnS buffer layers -- Effect of buffer layer formation on the absorption edges 国際会議

T. Hamada, H. Hisamatsu, N. Naghavi, J. F. Guillemoles, D. Lincot, A. Fukuyama, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2014 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2014年5月26日 - 2014年5月30日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Lille, France

Epitaxial growth of guest-free Si clathrate film on Si substrate for new solar cell device structure ap-plication 国際会議

K. Sakai, T. Haraguchi, F. Ohashi, T. Kume, H. Suzuki, A. Fukuyama, S. Nonomura, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2014 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2014年5月26日 - 2014年5月30日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lille, France

Effect of the miniband formation on the carrier lifetime in silicon nanodisk array structure fabricated by using bio-templates and neutral beam etching techniques 国際会議

D. Ohori, Y. Murayama, K. Kondo, M. M. Rahman, M. E. Syazwan, T. Okada, S. Samukawa, A. Fukuyama, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2014 (Lille, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2014年5月26日 - 2014年5月30日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Lille, France

結晶成長法がGaAsN薄膜中の窒素原子に起因する局在電子準位の構造に与える影響

丁文、森岡剛志、藤田尚紀、鈴木章生、鈴木秀俊、福山敦彦、山口真史、碇哲雄

第61回春季応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2014年3月17日 - 2014年3月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス

無触媒MBE-VSL成長SiドープGaAs NWsの結晶構造及び発光特性のキャリア濃度依存性

鈴木章生、福山敦彦、白知鉉、山口雅史、碇哲雄

第61回春季応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2014年3月17日 - 2014年3月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス

太陽の国、宮崎から世界一を目指して〜宮崎大学における太陽電池開発〜

鈴木秀俊、吉野賢二、福山敦彦、西岡賢祐

平成25年度電子情報通信学会・電子通信エネルギー技術研究会 (宮崎観光ホテル（宮崎市）) 電子情報通信学会・電子通信エネルギー技術研究会

開催年月日： 2014年1月23日 - 2014年1月24日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：宮崎観光ホテル（宮崎市）

GaAsN薄膜中の窒素原子に起因する局在準位構造が結晶成長法により受ける影響

藤田尚紀、森岡剛志、鈴木章生、鈴木秀俊、福山敦彦、山口真史、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

パルスレーザー堆積法により作製したLi, Ni-codoped ZnO薄膜のPLスペクトルの経時変化

村山友基、大堀大介、境健太郎、中村大輔、岡田龍雄、M. S. Ramachandra. Rao、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

(111)Si基板上に自己触媒MBE-VLS成長させたGaAsナノワイヤの光学特性と結晶構造におけるSiドープの影響

清水裕介、鈴木章生、福山敦彦、白知鉉、山口雅史、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

Si基板上に成長した半極性(1-101)面GaN膜のフォトリフレクタンススペクトル

元田雄大郎、鈴木章生、福山敦彦、本田善央、山口雅史、天野浩、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

Si表面へのIn照射によるGaAs/Si(111)中の回転双晶軽減のメカニズム

伊東大樹、芳賀章博、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

PR法を用いたInGaAs/GaAsP超格子構造太陽電池におけるミニバンド形成過程の研究

倉留弘憲、横山祐貴、小島慶也、相原健人、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、K. Toprasertpong、杉山正和、中野義昭

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

PL法及びμ-PCD法による電着成長Cu2ZnSnS4薄膜の光学的特性評価

濱田貴大、久松弘明、山口信司、江豊、福山敦彦、池田茂、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

PR法を用いたSi基板上の二段階成長GaAs膜中のひずみが光学的特性に及ぼす影響

川野敬太、鈴木章生、藤田尚紀、福山敦彦、鈴木秀俊、碇哲雄

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 (長崎大学工学部（長崎市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2013年11月29日 - 2013年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学工学部（長崎市）

Photoconductivity Decay and Carrier Lifetime in Silicon Nanodisk Array Structure Fabricated by Using Bio-templates and Neutral Beam Etching 国際会議

Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Seiji Samukawa and Tetsuo Ikari

2013年公募共同研究成果報告会 (東北大学流体科学研究所（仙台市）) 東北大学流体科学研究所

開催年月日： 2013年11月26日 - 2013年11月27日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学流体科学研究所（仙台市）

圧電素子光熱分光法およびフォトルミネッセンス法によるZnS、CdSバッファー層CIGSの光学的特性

久松弘明、濱田貴大、福山敦彦、碇哲雄

平成25年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 (JAXA筑波宇宙センター（つくば市）) 応用物理学会多元材料研究会

開催年月日： 2013年11月22日 - 2013年11月23日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：JAXA筑波宇宙センター（つくば市）

量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合損失および輸送特性国際会議

杉本泰士, 相原健人, 藤井宏昌, 杉山正和, 中野義昭, 福山敦彦, 碇哲雄

第34回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (同志社大学室町キャンパス（京都府）) 応用物理学会

開催年月日： 2013年11月20日 - 2013年11月22日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：同志社大学室町キャンパス（京都府）

Crystal qualities of GaAs hetero-epitaxial layers grown on Si(111) substrate using pre-evaporation technique of group III atoms 国際会議

H. Suzuki, D. Ito, A. Haga, A. Fukuyama and T. Ikari

第23回太陽電池科学および工業に関する国際会議 (Taipei, Taiwan) Asia PVSEC

開催年月日： 2013年10月28日 - 2013年11月1日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Taipei, Taiwan

Effects of N precursor duration on opt-electrical properties of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy 国際会議

H. Suzuki, W. Ding, T. Yamaguchi, T. Haraguchi, S. Goto, Y. Yokoyama, K. Maeda, A. Fukuyama, and T. Ikari

第23回太陽電池科学および工業に関する国際会議 (Taipei, Taiwan) Asia PVSEC

開催年月日： 2013年10月28日 - 2013年11月1日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Taipei, Taiwan

Non-radiative carrier recombination rate in multiple quantum well solar cells determined by using a photothermal and a surface photovoltage spectroscopies 国際会議

T. Ikari, Y. Yokoyama, M. Kojima, A. Taketo, M. Sugiyama, Y. Nakano, and A. Fukuyama

第28回欧州太陽エネルギー講演会 (Paris, France) EU PVSEC

開催年月日： 2013年9月30日 - 2013年10月4日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Paris, France

Bandgap gradient of Cu(In,Ga)Se2 solar cell investigated by a photothermal and a photoluminescence spectroscopies 国際会議

A. Fukuyama, H. Hisamatsu, S. Yamaguchi, T. Yamaguchi, T. Ikari

第28回欧州太陽エネルギー講演会 (Paris, France) EU PVSEC

開催年月日： 2013年9月30日 - 2013年10月4日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Paris, France

Temporal Change in Photoluminescence Spectra of Li and Ni co-doped ZnO Films Synthesized by Pulsed Laser Deposition 国際会議

Kentaro Sakai, Daisuke Ohori, Yuki Murayama, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada, M. S. Ramachandra Rao, Atsuhiko Fukuyama, and Tetsuo Ikari

2013 応用物理学会ー米国材料学会　合同シンポジウム ( 同志社大学京田辺キャンパス（京都府）) 応用物理学会、米国材料学会

開催年月日： 2013年9月16日 - 2013年9月20日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：同志社大学京田辺キャンパス（京都府）

Study of Exciton Formation and Lifetime in InGaAs/GaAsP Quantum Well and　Superlattice Solar Cells by Using a Piezoelectric Photothermal Spectroscopy 国際会議

Yuki Yokoyama, Taketo Aihara, Michiya Kojima, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Tetsuo Ikari

2013 応用物理学会ー米国材料学会　合同シンポジウム ( 同志社大学京田辺キャンパス（京都府）) 応用物理学会、米国材料学会

開催年月日： 2013年9月16日 - 2013年9月20日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：同志社大学京田辺キャンパス（京都府）

Electron-Phonon Interaction in Self-Catalyzed MBE-VLS grown Be-doped GaAs Nanowires on (111) Si Substrate 国際会議

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Ji-Hyun Paek, Masahito Yamaguchi and Tetsuo Ikari

2013 応用物理学会ー米国材料学会　合同シンポジウム ( 同志社大学京田辺キャンパス（京都府）) 応用物理学会、米国材料学会

開催年月日： 2013年9月16日 - 2013年9月20日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：同志社大学京田辺キャンパス（京都府）

原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池材料(In)GaAsNの開発

鈴木秀俊、原口智宏、山内俊浩、福山敦彦、碇哲雄

平成25年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会 (釧路生涯学習センター（北海道釧路市）) 電子情報通信学会

開催年月日： 2013年8月1日 - 2013年8月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：釧路生涯学習センター（北海道釧路市）

Investigation of Mini-band formation in Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Superlattice Solar Cells by Using a Photoreflectance Method

Takeo Aihara, Yuki Yokoyama, Michiya Kojima, Hidetoshi Suzuki , Atsuhiko Fukuyama, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano , and Tetsuo Ikari

第32回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2013年7月10日 - 2013年7月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Effect of Be doping on electron-phonon interaction within self-catalyzed MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Ji-Hyun Paek, Masahito Yamaguchi, and Tetsuo Ikari

第32回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2013年7月10日 - 2013年7月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Study of the optical properties of C60 and Si co-doped GaAs layers

Wen Ding, Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Jiro Nishinaga, Yoshiji Horikoshi, Tetsuo Ikari

第32回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2013年7月10日 - 2013年7月12日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）

Estimation of Mini-band in Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells by Using a Piezoelectric Photothermal Method 国際会議

T. Aihara, Y. Yokoyama, M. Kojima, H. Suzuki, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

第39回IEEE太陽電池専門者会議 (Tampa, USA) 米国IEEE

開催年月日： 2013年6月16日 - 2013年6月21日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Tampa, USA

Internal diffusion of Lithium atoms in Li, Ni-codoped ZnO films synthesized by a pulsed laser deposition 国際会議

D. Ohori, K. Ishikura, Y. Murayama, K. Sakai, D. Nakamura, T. Okada, M. S. Ramachandra Rao, A. Fukuyama, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2013 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2013年5月28日 - 2013年5月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Effect of Si-doping on the photoreflectance spectra of catalyst-free MBE-VLS grown GaAs nanowires on the (111)Si substrate 国際会議

A. Suzuki, A. Fukuyama, Ji-Hyun Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2013 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2013年5月28日 - 2013年5月31日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Exciton lifetime and Stark Ladder Transition in InGaAs/GaAsP Strain-Balanced Superlattice Solar Cells 国際会議

T. Aihara, M. Kojima, Y. Yokoyama, H. Suzuki, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2013 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2013年5月28日 - 2013年5月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Effect of internal electric field on Non-Radiative Carrier Recombination in the Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Multiple Quantum Well Solar Cells 国際会議

Y. Yokoyama, M. Kojima, A. Taketo, H. Suzuki, A. Fukuyama, H. Fujii, M. Sugiyama, Y. Nakano and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2013 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2013年5月28日 - 2013年5月31日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

MBE成長GaAs/Si(111)における双晶発生機構の観察

鈴木秀俊、伊東大樹、芳賀章博、福山敦彦、碇哲雄

第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (石川県立音楽堂（金沢市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2013年5月23日 - 2013年5月24日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：石川県立音楽堂（金沢市）

Cu(In,Ga)Se2薄膜の光学的特性評価とバンドグレーデッドの影響

久松弘明、山口真司、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、峯元高志

第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (石川県立音楽堂（金沢市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2013年5月23日 - 2013年5月24日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：石川県立音楽堂（金沢市）

Formation Processes of GaAs Rotational Twin on Si (111) Obsereved by In-Situ X-Ray Diffraction 国際会議

Hidetoshi Suzuki, Yuka Nakata, Masamitu Takahasi, Kazuma Ikeda, Daiki Ito, Akihiro Haga, Osamu Morohara, Hirotaka Geka, Yoshitaka Moriyasu, Atsuhiko Fukuyama, Yoshio Ohshita

第40回化合物半導体に関する国際会議 (Kobe, Japan) iscs2013実行委員会

開催年月日： 2013年5月19日 - 2013年5月23日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kobe, Japan

Radiative and Non-radiative Carrier Recombination in the Semipolar (1-101)GaN on 8º off-axis (001)Si Substrate 国際会議

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, and Tetsuo Ikari

第40回化合物半導体に関する国際会議 (Kobe, Japan) iscs2013実行委員会

開催年月日： 2013年5月19日 - 2013年5月23日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Kobe, Japan

Photovoltaic Systems in University of Miyazaki 国際会議

K. Yoshino, K. Nishioka, A. Fukuyama, H. Suzuki, and M. Otsubo

第2回次世代材料デザインおよび構造に関する国際会議 (Kuala Lumpur, Malaysia) ICAMDM2013実行委員会

開催年月日： 2013年5月17日 - 2013年5月18日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Kuala Lumpur, Malaysia

Estimation of miniband in InGaAs/GaAsP strain-balanced sperlattice solar cell by using piezoelectric photothermal technique 国際会議

Y. Yokoyama, M. Kojima, T. Aihara, Y. Wang, A. Fukuyama, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

第9回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Miyazaki, Japan) CPV-9実行委員会

開催年月日： 2013年4月15日 - 2013年4月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

Effects of gas flow sequence on self-limiting mechanisms of GaAsN grown by atomic layer epitaxy 国際会議

A. Haga, H. Sadato, T. Haraguchi, H. Suzuki, A. Fukuyama, M. Ozeki, and T. Ikari

第9回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Miyazaki, Japan) CPV-9実行委員会

開催年月日： 2013年4月15日 - 2013年4月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

Reduction of rotation twin in GaAs/Si (111) by irradiation of In to Si surface 国際会議

D. Ito, H. Tachikake, H. Suzuki, A. Fukuyama, and T. Ikari

第9回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Miyazaki, Japan) CPV-9実行委員会

開催年月日： 2013年4月15日 - 2013年4月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

Study of the microstructure of nitrogen-related localized state in GaAsN 国際会議

G. Morioka, A. Suzuki, H. Suzuki, A. Fukuyama, M. Yamaguchi, and T. Ikari

第9回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Miyazaki, Japan) CPV-9実行委員会

開催年月日： 2013年4月15日 - 2013年4月17日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池における光励起キャリアの伝導と再結合過程の積層数依存性

中野陽介、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

Mo電極上のCu(In,Ga)Se2光吸収層のバンドギャップの測定とバンドグレーデットの検証

山口真司、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

エピタキシャル成長基板への応用目指したSi基板表面の平坦化及び不純物除去

伊東大樹、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合過程および輸送特性

石橋大輔、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

X線回折法を用いた無触媒成長GaAsナノワイヤの結晶構造評価

鈴木章生、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

InGaAs/GaAsP超格子太陽電池の光吸収層での非発光再結合損失

相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

フラーレンを添付したGaAs 薄膜の基礎物性

奥村拓雄、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

圧電素子光熱分光法及びフォトルミネッセンス法によるCu(In,Ga)Se2薄膜の光学的特性評価とそのセル特性

久松弘明、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

圧電素子光熱分光法を用いた超格子構造太陽電池のミニバンド形成過程の研究

横山祐貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第14回分析講演会 (宮崎大学附属図書館（宮崎市）) 宮崎大学

開催年月日： 2012年12月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：宮崎大学附属図書館（宮崎市）

圧電素子光熱分光法及びフォトルミネッセンス法によるCu(In,Ga)Se2薄膜の光学的特性評価とそのセル特性

久松弘明、山口真司、本野佑太郎、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、峯元高志

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 (佐賀大学工学部（佐賀市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2012年12月1日 - 2012年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：佐賀大学工学部（佐賀市）

Si表面へのIn照射によるGaAs/Si(111)中の回転双晶軽減

伊東大樹、太刀掛弘晃、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 (佐賀大学工学部（佐賀市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2012年12月1日 - 2012年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：佐賀大学工学部（佐賀市）

原料供給シーケンスが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響

芳賀章博、貞任萌、原口智宏、鈴木秀俊、福山敦彦、尾関雅志、碇哲雄

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 (佐賀大学工学部（佐賀市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2012年12月1日 - 2012年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：佐賀大学工学部（佐賀市）

InGaAs/GaAsP 歪補償量子井戸太陽電池中の光励起キャリア発光再結合過程の評価

小島慶也、中野陽介、相原健人、福山敦彦、碇哲雄、藤井宏昌、杉山正和、中野義昭

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 (佐賀大学工学部（佐賀市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2012年12月1日 - 2012年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：佐賀大学工学部（佐賀市）

圧電素子光熱分光法を用いたInGaAs/GaAsP超格子構造太陽電池のミニバンド形成過程の研究

横山祐貴、小島慶也、相原健人、福山敦彦、碇哲雄、王云鵬、杉山正和、中野義昭

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 (佐賀大学工学部（佐賀市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2012年12月1日 - 2012年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：佐賀大学工学部（佐賀市）

超格子構造太陽電池のPPTスペクトルとキャリア再結合モデル

碇哲雄、相原健人、福山敦彦、杉山正和、中野義昭

第２回次世代太陽電池用材料研究会 (下呂温泉旅館会館（岐阜県下呂市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年11月23日 - 2012年11月24日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：下呂温泉旅館会館（岐阜県下呂市）

CBE法で成長させたGaAsN薄膜中の窒素原子起因局在準位エネルギーの窒素濃度依存性

山本奨、森岡剛志、鈴木章生、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史、福山敦彦、碇哲雄

第４回半導体材料・デバイスフォーラム (都城ロイヤルホテル（都城市）) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2012年11月23日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：都城ロイヤルホテル（都城市）

Mo電極上のCu(In,Ga)Se2光吸収層のバンドギャップの測定とバンドグレーデッドの検証

山口真司、本野佑太郎、久松弘明、境健太郎、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄

第４回半導体材料・デバイスフォーラム (都城ロイヤルホテル（都城市）) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2012年11月23日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：都城ロイヤルホテル（都城市）

PR及びPL法を用いたC60とSi codoped GaAs 薄膜の光学的特性研究

丁文、鈴木章生、福山敦彦、西永慈郎、堀越佳治、碇哲雄

第４回半導体材料・デバイスフォーラム (都城ロイヤルホテル（都城市）) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2012年11月23日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：都城ロイヤルホテル（都城市）

量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合過程および輸送特性

石橋大輔、佐藤洋平、相原健人、藤井宏昌、杉山正和、中野義昭、福山敦彦、碇哲雄

第４回半導体材料・デバイスフォーラム (都城ロイヤルホテル（都城市）) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2012年11月23日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：都城ロイヤルホテル（都城市）

無触媒MBE-VLS成長GaAsナノワイヤのPRおよびPLスペクトルにおけるBeドーピングの影響

元田雄大郎、鈴木章生、大堀大介、福山敦彦、山口雅史、碇哲雄

第４回半導体材料・デバイスフォーラム (都城ロイヤルホテル（都城市）) 半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会

開催年月日： 2012年11月23日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：都城ロイヤルホテル（都城市）

Non-radiative carrier recombination in InGaAs/GaAsP strain-balanced superlattice solar cell 国際会議

T. Aihara, Y. Nakano, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

第59回米国真空学会国際シンポジウム (Tampa, USA) American Vacuum Society

開催年月日： 2012年10月28日 - 2012年11月2日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tampa, USA

Piezoelectric photothermal spectra and carrier nonradiative recombination in InGaAs/GaAsP superlattice structured solar cells 国際会議

T. Ikari, T. Aihara, Y. Nakano, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and A. Fukuyama

第59回米国真空学会国際シンポジウム (Tampa, USA) American Vacuum Society

開催年月日： 2012年10月28日 - 2012年11月2日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tampa, USA

非発光再結合検出を利用した次世代高効率太陽電池材料の評価

福山敦彦

原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門セミナー (原子力研究開発機構東海研究センター（茨城県那珂郡東海村）) 原子力研究開発機構

開催年月日： 2012年10月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：原子力研究開発機構東海研究センター（茨城県那珂郡東海村）

The effect of substrate on the GaN on Si substrate by photoreflectance and photoluminescence 国際会議

A. Suzuki, A. Fukuyama, M. Yamaguchi, and T. Ikari

2012年窒化物半導体に関する国際ワークショップ (Sapporo, Japan) IWN実行委員会

開催年月日： 2012年10月14日 - 2012年10月19日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Sapporo, Japan

透明トランスジューサ光熱分光法によるCu(In,Ga)Se2光吸収層のバンドギャップの測定とバンドグレーデッドの検証

本野佑太郎、丁文、久松弘明、山口真司、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄

平成24年秋季第73回応用物理学会学術講演会 (愛媛大学・松山大学（愛媛県松山市）) 応用物理学会

開催年月日： 2012年9月11日 - 2012年9月14日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：愛媛大学・松山大学（愛媛県松山市）

Photoluminescence and photoreflectance spectra of C60 and Si co-doped GaAs layers 国際会議

W. Ding, A. Suzuki, A. Fukuyama, J. Nishinaga, Y. Horikoshi, and T. Ikari

2012年ダイヤモンド及びカーボン材料に関する国際会議 (Granada, Spain) ICDCM実行委員会

開催年月日： 2012年9月2日 - 2012年9月6日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Granada, Spain

Mo電極上Cu(In,Ga)Se2薄膜のバンドギャップ評価

福山敦彦

第5回半導体若手ワークショップ (東北大金属材料研究所（仙台市）) 若手ワークショップ実行委員会

開催年月日： 2012年7月30日 - 2012年7月31日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：東北大金属材料研究所（仙台市）

Effect of Be doping on the optical properties of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on Si (111) substrate 国際会議

A. Suzuki, A. Fukuyama, Ji-Hyun Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari

2012年超格子・ナノ構造およびナノデバイスに関する国際会議 (Dresden, Germany) icsnn実行委員会

開催年月日： 2012年7月22日 - 2012年7月27日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Dresden, Germany

Photoluminescence and photoreflectance spectra of C60 and Si co-doped GaAs layers

Wen Ding, Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Jiro Nishinaga, Yoshiji Horikoshi, Tetsuo Ikari

第31回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2012年7月11日 - 2012年7月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）

Non-radiative carrier recombination in InGaAs/GaAsP strain-balanced superlattice solar cell

Taketo Aihara, Yosuke Nakano, Atsuhiko Fukuyama, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Testuo Ikari

第31回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2012年7月11日 - 2012年7月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）

Effect of Be doping on the photoreflectance and photoluminescence spectra of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on Si (111) substrate

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Ji-Hyun Paek, Masahito Yamaguchi, and Tetsuo Ikari

第31回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会

開催年月日： 2012年7月11日 - 2012年7月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）

エピタキシャル成長基板への応用を目指したSi基板表面の平坦化及び不純物除去

伊東大樹、境健太郎、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (京都テルサ（京都市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2012年5月31日 - 2012年6月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：京都テルサ（京都市）

結晶成長方法がGaAsN薄膜内の窒素原子起因局在準位に与える影響

森岡剛志、山本奨、鈴木章生、稲垣充、鈴木秀俊、福山敦彦、山口真史、碇哲雄

第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (京都テルサ（京都市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2012年5月31日 - 2012年6月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：京都テルサ（京都市）

歪補償量子井戸太陽電池における光励起キャリア再結合過程の量子井戸積層数依存性

小島慶也、相原健人、中野陽介、奥村拓雄、藤井宏昌、杉山正和、中野義昭、福山敦彦、碇哲雄

第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (京都テルサ（京都市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2012年5月31日 - 2012年6月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：京都テルサ（京都市）

非発光再結合検出による太陽電池材料の評価

福山敦彦

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

PPT法を用いた多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究

佐藤洋平、石橋大輔、福山敦彦、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

Si基板上に成長させた多接合太陽電池トップセル材料GaN膜の基板による影響

元田雄太郎、鈴木章生、大堀大介、福山敦彦、山口雅史、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

多接合型太陽電池への応用を目指したSi基板表面の平坦化及び不純物除去

芳賀章博、伊東大樹、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

結晶成長方法がGaAsN薄膜内のバンド端構造に与える影響

横山祐貴、鈴木秀俊、稲垣充、山口真史、福山敦彦、碇哲雄森岡剛志、山本奨、鈴木章生、鈴木秀俊、山口真史、福山敦彦、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

ダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究

丁文、中野陽介、中澤日出樹、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

InGaAs/GaAsP超格子太陽電池の光吸収層での非発光再結合損失

石橋大輔、小島慶也、横山祐貴、相原健人、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

圧電素子光熱分光法によるGaAsN中深い欠陥準位の評価

横山祐貴、鈴木秀俊、稲垣充、山口真史、福山敦彦、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

圧電素子光熱分光法およびフォトリフレクタンス法によるCIGS薄膜のバンドグレーデッドの研究

久松弘明、丁文、本野佑太郎、山口利幸、福山敦彦、碇哲雄

第１回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメリージュ（宮崎市）) 宮崎大学工学部、岐阜大学工学部

開催年月日： 2012年5月27日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ホテルメリージュ（宮崎市）

Effect of grain boundaries on the thermal and electron diffusivity of multi-crystalline silicon investigated by a photothermal microscopy 国際会議

T. Ikari, A. Fukuyama, K. Nishioka, J. P. Roger and D. Fournier

欧州材料学会春季ミーティング2012 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2012年5月14日 - 2012年5月18日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Effect of N composition on temperature dependence of band gap energies of GaAsN thin films grown by Chemical Beam Epitaxy 国際会議

A. Fukuyama, S. Yamamoto, A. Suzuki, M. Inagaki, H. Suzuki, M. Yamaguchi, T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2012 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2012年5月14日 - 2012年5月18日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Photoluminescence and piezoelectric photothermal spectra of Cu(In,Ga)Se2 thin films by a sequential evaporation method 国際会議

W. Ding, Y. Motono, T. Mori, A. Suzuki, A. Fukuyama, T. Yamaguchi, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2012 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2012年5月14日 - 2012年5月18日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Non-radiative carrier recombination in InGaAs/GaAsP strain-balanced superlattice solar cell 国際会議

T. Aihara, Y. Nakano, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

第8回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Toledo, Spain) CPV-8実行委員会

開催年月日： 2012年4月16日 - 2012年4月18日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Toledo, Spain

Non-radiative carrier recombination mechanism in the InGaAs/GaAsP strain-balanced quantum well solar cells with different number of stacks by using a piezoelectric photothermal method 国際会議

Y. Nakano, T. Aihara, H. Fujii, A. Fukuyama, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

第8回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Toledo, Spain) CPV-8実行委員会

開催年月日： 2012年4月16日 - 2012年4月18日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Toledo, Spain

圧電素子光熱変換分光法によるInGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池のキャリア再結合損失過程の積層数依存性

中野陽介，相原健人，藤井宏昌，福山敦彦，杉山正和，中野義昭，碇哲雄

第59回春季応用物理学関係連合講演会 (早稲田大（東京都新宿区）) 応用物理学会

開催年月日： 2012年3月15日 - 2012年3月18日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大（東京都新宿区）

C60, Si codoped GaAs 薄膜のフォトルミネセンススペクトル

丁文，鈴木章生，福山敦彦，西永慈郎，堀越佳治，碇哲雄

第59回春季応用物理学関係連合講演会 (早稲田大（東京都新宿区）) 応用物理学会

開催年月日： 2012年3月15日 - 2012年3月18日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大（東京都新宿区）

X線トポグラフィ法を用いたInGaAs/GaAs(001)界面におけるミスフィット転位分布観察

片山真弘、鈴木秀俊、松下卓哉、正木宏和、前田幸治、山本奨、福山敦彦、碇哲雄、佐々木拓生、大下祥雄

第59回春季応用物理学関係連合講演会 (早稲田大（東京都新宿区）) 応用物理学会

開催年月日： 2012年3月15日 - 2012年3月18日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大（東京都新宿区）

モリブデン上に作製したCIGS薄膜の吸収スペクトル測定－透明トランスデューサーを用いた光熱変換スペクトル

本野佑太郎、森賢之、河野洋平、福山敦彦、峯元高志、碇哲雄

平成23年度多元系機能材料研究会年末講演会 (愛媛大学総合情報メディアセンター（愛媛市）) 応用物理学会

開催年月日： 2011年12月9日 - 2011年12月10日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：愛媛大学総合情報メディアセンター（愛媛市）

Observation of misfit dislocations in InGaAs/GaAs(001) heteroepitaxial films by x-ray topography 国際会議

M. Katayama, H. Suzuki, T. Sasaki, S. Yamamoto, Y. Ohshita, A. Fukuyama, M. Ozeki, and T. Ikari

第21回太陽光発電に関する国際会議 (Fukuoka, Japan) 応用物理学会

開催年月日： 2011年11月28日 - 2011年12月2日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Fukuoka, Japan

Effects of growth method on localized state of nitrogen atoms in GaAsN thin films 国際会議

S. Yamamoto, A. Suzuki, M. Inagaki, H. Suzuki, A Fukuyama, M. Yamaguchi, and T. Ikari

第21回太陽光発電に関する国際会議 (Fukuoka, Japan) 応用物理学会

開催年月日： 2011年11月28日 - 2011年12月2日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Fukuoka, Japan

光音響分光法によるポリジヘキシルシランPoly(di-n-hexylsilane)の光分解過程の評価

横山宏有、境健太郎、福山敦彦、古川昌司、碇哲雄

平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）

無触媒MBE-VLS成長GaAsナノワイヤのSi起因PL信号の励起光強度依存性

鈴木章生、福山敦彦、白知鉉、山口雅史、碇哲雄

平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）

二層熱拡散モデルによるSi基板上SiGe膜のPPTスペクトル解析

河野洋平、政田清孝、福山敦彦、碇哲雄、酒井武信

平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）

InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池におけるキャリア再結合損失過程の積層数依存性

中野陽介、相原健人、藤井宏昌*、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄

平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）

Ｘ線トポグラフィによる InGaAs/GaAs (001)ヘテロエピタキシャル膜でのミスフィット転位の観察

松山慎弥、片山真弘、鈴木秀俊、山本奨、福山敦彦、尾関雅志、碇哲雄

平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）

連続成膜法によるCIGS薄膜の光熱変換分光法を用いたバンドギャップの評価

森賢之、本野佑太郎、丁文、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄

第32回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (京都大学百周年時計台記念館（京都府）) 応用物理学会

開催年月日： 2011年11月8日 - 2011年11月10日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：京都大学百周年時計台記念館（京都府）

Si基板上無触媒GaAsナノワイヤの光学的特性評価

福山敦彦、山口雅史

第15回名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリシンポジウム (名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）) 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリ

開催年月日： 2011年11月7日 - 2011年11月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）

Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum wells for solar cell application 国際会議

T. Aihara, Y. Nakano, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari

2011固体素子に関する国際会議 (Nagoya, Japan) 応用物理学会

開催年月日： 2011年9月28日 - 2011年9月30日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya, Japan

Effect of Li contents on vacancy complex formation in p-type Li and Ni co-doped ZnO samples grown by a pulsed laser deposition 国際会議

K. Ishikura, K. Sakai, A. Fukuyama, E. S. Kumar, M. S. R. Rao, T. Okada, and T. Ikari

第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会

開催年月日： 2011年9月25日 - 2011年9月29日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

Distribution of misfit dislocations at the interface of InGaAs/GaAs(001) observed by monochromatic X-ray topography 国際会議

H. Suzuki, T. Sasaki, S. Yamamoto, Y. Ohshita, A. Fukuyama, and M. Yamaguchi

第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会

開催年月日： 2011年9月25日 - 2011年9月29日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

Nitrogen related deep levels in GaAsN films investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal signal amplitude 国際会議

K. Kashima, S. Yamamoto, Y. Nakano, K. Sakai, H. Suzuki, M. Inagaki, M. Yamaguchi, A. Fukuyama, and T. Ikari

第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会

開催年月日： 2011年9月25日 - 2011年9月29日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Miyazaki, Japan

非発光再結合過程検出による太陽電池半導体結晶の光学的特性評価

福山敦彦、碇哲雄

第21回格子欠陥フォーラム (立山国際ホテル（富山県富山市）) 格子欠陥フォーラム

開催年月日： 2011年9月19日 - 2011年9月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：立山国際ホテル（富山県富山市）

Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films by piezoelectric photothermal and photoluminescence spectroscopies 国際会議

Wen Ding, Y. Nakano, K. Sakai, H. Nakazawa, A. Fukuyama, and T. Ikari

第22回ダイヤモンドおよび関連材料に関する欧州国際会議 (Garmisch-Partenkirchen, Germany) Diamond2011実行委員会

開催年月日： 2011年9月4日 - 2011年9月8日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Garmisch-Partenkirchen, Germany

InGaAs/GaAsP歪み補償超格子セルによるキャリア輸送の効率化

王云鵬、文瑜、相原健人、福山敦彦、碇哲雄、杉山正和、中野義昭

平成23年秋季第72回応用物理学会学術講演会会 (山形大学小白川キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2011年8月29日 - 2011年9月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山形大学小白川キャンパス

InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層でのキャリア再結合損失評価

相原健人、福山敦彦、王云鵬、杉山正和、中野義昭、碇哲雄

平成23年秋季第72回応用物理学会学術講演会会 (山形大学小白川キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2011年8月29日 - 2011年9月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山形大学小白川キャンパス

Investigation of the photovoltaic performance of the polycrystalline silicon p-n junction by a photothermal measurement 国際会議

A. Fukuyama, D. Ishibashi, Y. Sato, T. Yasui, K. Sakai, H. Suzuki, K. Nishioka, and T. Ikari

第24回アモルファスおよびナノ結晶半導体に関する国際会議 (Nara, Japan) ICANS24実行委員会

開催年月日： 2011年8月21日 - 2011年8月26日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nara, Japan

Photoluminescence and photoreflectance spectra of silicon related impurity levels in catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate 国際会議

A. Suzuki, T. Mori, A. Fukuyama, J. H. Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari

第19回変調構造半導体に関する国際会議 (Tallahassee, Florida, USA) EP2DS19/MSS15実行委員会

開催年月日： 2011年7月25日 - 2011年7月29日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Tallahassee, Florida, USA

連続成膜法によるCu(In,Ga)Se2薄膜のPL及びPPTスペクトル

本野佑太郎、森賢之、鈴木章生、丁文、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2011年6月30日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：じゅうろくプラザ（岐阜市）

PPT法による多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究

佐藤洋平、石橋大輔、安井貴俊、境健太郎、西岡賢祐、福山敦彦、碇哲雄

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2011年6月30日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：じゅうろくプラザ（岐阜市）

圧電素子光熱分光法によるダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究

丁文、中野陽介、境健太郎、福山敦彦、中澤日出樹、碇哲雄

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2011年6月30日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：じゅうろくプラザ（岐阜市）

圧電素子光熱変換信号の温度変化解析によるGaAsN中深い欠陥準位の評価

中野陽介、鹿島康史郎、山本奨、境健太郎、鈴木秀俊、福山敦彦、B. Boussairi、稲垣充、山口真史、碇哲雄

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2011年6月30日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：じゅうろくプラザ（岐阜市）

InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層での非発光再結合評価

相原健人、中野陽介、王云鵬、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2011年6月30日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：じゅうろくプラザ（岐阜市）

N組成変化がGaAsN薄膜のバンド端構造に与える影響

山本奨、鈴木章生、鹿島康史郎、稲垣充、鈴木秀俊、福山敦彦、山口真史、碇哲雄

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2011年6月30日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：じゅうろくプラザ（岐阜市）

Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP Multiple quantum wells for solar cell application by using a piezoelectric photothermal method

Taketo Aihara, Atsuhiko Fukuyama, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Testuo Ikari

第30回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖) EMS実施委員会

開催年月日： 2011年6月29日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ琵琶湖

Excitation intensity changed photoluminescence study of silicon related impurity levels in catalyst-free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Takayuki Mori, Ji-Hyun Paek, Masahito Yamaguchi, and Tetsuo Ikari

第30回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖) EMS実施委員会

開催年月日： 2011年6月29日 - 2011年7月1日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ琵琶湖

Photoluminescence and photoreflectance studies of a silicon related impurity levels in catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate 国際会議

A. Suzuki, T. Mori, A. Fukuyama, T. Ikari, Ji-Hyun Paek, and M. Yamaguchi

欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2011年5月9日 - 2011年5月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Photoluminescence and piezoelectric photothermal spectra of Cu(In,Ga)Se2 thin films by a sequential evaporation method 国際会議

T. Mori, A. Suzuki, Y. Motono, W. Ding, A. Fukuyama, T. Yamaguchi, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2011年5月9日 - 2011年5月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Effect of N composition on temperature dependence of band gap energies of GaAsN thin films grown by Chemical Beam Epitaxy 国際会議

S. Yamamoto, K. Kashima, A. Suzuki, H. Suzuki, A. Fukuyama, M. Inagaki, M. Yamaguchi, T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2011年5月9日 - 2011年5月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Photoluminescence studies of vacancy complex in p-type Li and Ni co-doped ZnO samples grown by a pulsed laser deposition 国際会議

K. Sakai, K. Ishikura, A. Fukuyama, E. Senthil Kumar, Ｍ. S. Ramachandra Rao, T. Okada, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2011年5月9日 - 2011年5月13日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Investigation of deep trap centers by a temperature variation of the signal amplitude in the piezoelectric photothermal spectra 国際会議

K. Kashima, S. Yamamoto, Y. Nakano, K. Sakai, H. Suzuki, M. Inagaki, M. Yamaguchi, A. Fukuyama, T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2011年5月9日 - 2011年5月13日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films by using a piezoelectric photothermal spectroscopy 国際会議

W. Ding, Y. Nakano, R. Yamamoto, S. Miura, K. Sakai, A. Fukuyama, T. Ikari, and H. Nakazawa

欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2011年5月9日 - 2011年5月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価

田村仁、安井貴俊、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐

第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年12月11日 - 2010年12月12日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

結晶成長方法及び熱処理がGaAsN薄膜のバンド構造に与える影響

牟田口和真、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、鈴木秀俊、稲垣充、山口真史

第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年12月11日 - 2010年12月12日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

PPT法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究

山元亮一、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹

第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年12月11日 - 2010年12月12日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

TiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトルに及ぼす大気の影響と光触媒効果

平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司

第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年12月11日 - 2010年12月12日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価

田村仁、福山敦彦、境健太郎、碇哲雄

第31回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学アカデミックコモン（東京都）) 応用物理学会

開催年月日： 2010年12月6日 - 2010年12月8日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：明治大学アカデミックコモン（東京都）

銀ダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究

山元亮一、河野洋平、政田清孝、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

結晶成長方法及び熱処理がGaAsN薄膜のバンド構造に与える影響

牟田口和真、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

光音響分光法によるハロゲン添加カルコゲナイドガラスの光学的評価

横山宏有、境健太郎、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価

田村仁、安井貴俊、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

無触媒MBE-VLS法によりSi(111)基板上に成長させたGaAsナノワイヤのPL及びPRスペクトル

鈴木章生、森賢之、福山敦彦、碇哲雄、J. Paek、山口雅史

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

連続成膜法によりGa比を変化させたCu(In,Ga)Se2薄膜のPRおよびPLスペクトル

森賢之、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、山口利幸

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

TiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトルに及ぼす大気の影響と光触媒効果

平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2010年11月27日 - 2010年11月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス（福岡市）

Low-temperature photoluminescence of phosphorous-doped ZnO nanowires synthesized by nanoparticle-assisted pulsed-laser deposition 国際会議

K. Sakai, A. Fukuyama, T. Ikari, T. Okada

IEEE電気情報通信学会シンポジウム (Fukuoka International Congress Center, Japan) TENCON 2010 実行委員会

開催年月日： 2010年11月21日 - 2010年11月24日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka International Congress Center, Japan

連続成膜法によるGa比を変化させたCu(In, Ga)Se2薄膜のフォトリフレクタンススペクトル

森賢之、鈴木章生、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄

2010年多元系機能材料研究会 (千葉工業大学（千葉市）) 応用物理学会多元系機能材料研究会

開催年月日： 2010年11月19日 - 2010年11月20日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：千葉工業大学（千葉市）

Effect of Silicon Doping on the Photoluminescence and Photoreflectance Spectra of Catalyst Free MBE-VLS Grown GaAs Nanowires 国際会議

A. Suzuki, T. Mori, A. Fukuyama, T. Ikari, J.-H. Paek and M. Yamaguchi

マイクロプロセスシンポジウム (Rihga Royal Hotel Kokura, Japan) MNC 2010 実行委員会

開催年月日： 2010年11月9日 - 2010年11月12日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Rihga Royal Hotel Kokura, Japan

Determination of Exciton Binding Energy of GaInNAs Quantum Wells by a Piezoelectric Photo-thermal Spectroscopy comparing with a Photo-reflectance and a Photoluminescence Measurements 国際会議

K. Kashima, A. Fukuyama, K. Sakai, H. Yokoyama, M. Kondow and T. Ikari

マイクロプロセスシンポジウム (Rihga Royal Hotel Kokura, Japan) MNC 2010 実行委員会

開催年月日： 2010年11月9日 - 2010年11月12日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Rihga Royal Hotel Kokura, Japan

Shallow Carrier Trap levels in GaAsN investigated by Photoluminescence 国際会議

M. Inagaki, H. Suzuki, A. Suzuki, K. Mutaguchi, A. Fukuyama, N. Kojima, Y. Ohshita, and M. Yamaguchi

固体電子材料シンポジウム (The University of Tokyo, Japan) SSDM 2010 実行委員会

開催年月日： 2010年9月22日 - 2010年9月24日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：The University of Tokyo, Japan

非発光再結合検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価

福山敦彦、境健太郎、碇哲雄、古川昌司

平成22年秋季第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学) 応用物理学会

開催年月日： 2010年9月14日 - 2010年9月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：長崎大学

Improvement of Electrical Properties in GaAsN by Controlling Step Density During Chemical Beam Epitaxy Growth

Hidetoshi Suzukia, Makoto Inagaki, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Atsuhiko Fukuyama, and Masafumi Yamaguchi

第29回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺) EMS実施委員会

開催年月日： 2010年7月14日 - 2010年7月16日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ修善寺

Photoluminescence and photoreflectance studies of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrates

Atsuhiko Fukuyama, Akio Suzuki, Kazumasa Mutaguchi, Tetsuo Ikari, Ji-Hyun Paek, and Masahito Yamaguchi

第29回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺) EMS実施委員会

開催年月日： 2010年7月14日 - 2010年7月16日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ修善寺

A study of the recombination processes at the p-n junction interface by the photoexcited carrier concentration controlled photothermal method

Atsuhiko Fukuyama, Toshihiro Iki, Hitoshi Tamura, Kentaro Sakai, and Tetsuo Ikari

第29回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺) EMS実施委員会

開催年月日： 2010年7月14日 - 2010年7月16日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ修善寺

Cu(In,Ga)Se2薄膜のPLおよびSPV法による光学的特性評価の研究

森賢之、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、山口利幸

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

多結晶シリコンp-n接合界面および粒界における熱エネルギー損失評価

田村仁、田頭直樹、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響

山元亮一、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、三浦創史、中澤日出樹

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

銀シングルナノ微粒子の触媒作用によって形成されたSiナノ構造の光学的評価

森賢之、田村仁、福山敦彦、碇哲雄、末籐豪、西岡賢祐

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

圧電素子光熱変換信号の温度変化解析によるGaAsN中深い欠陥準位の評価

河野洋平、政田清孝、福山敦彦、碇哲雄、鈴木秀俊、B. Boussairi、稲垣充、山口真史

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

時間分解フォトルミネッセンス法を用いたGaAsNのバンド端近傍のキャリア捕獲過程の観察

稲垣充、鈴木秀俊、鈴木章生、牟田口和真、小島信晃、大下祥雄、山口真史、福山敦彦

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

ポリエチレングリコール分子量によるチタニア多孔質薄膜の光学的特性変化

平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司

第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2010年7月8日 - 2010年7月9日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：北九州国際会議場（小倉市）

Effect of the molecular weight of a polyethylene glycol on the photoluminescence spectra of porous TiO2 films for dye-sensitized solar cells 国際会議

K. Sakai, Y. Hirashita, T. Aihara, A. Fukuyama, T. Ikari, and S. Furukawa

欧州材料学会春季ミーティング2010 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2010年6月7日 - 2010年6月11日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Determination of the band gap and its exciton binding energy of 100nm thick GaInNAs films by using a piezoelectric photo-thermal and a photo-reflectance spectroscopy 国際会議

A. Fukuyama, T. Ikari, M. Yano, K. Sakai, H. Yokoyama, and M. Kondow

欧州材料学会春季ミーティング2010 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2010年6月7日 - 2010年6月11日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Effect of rapid thermal annealing on well width dependences of exciton binding energy in GaInNAs/GaAs single quantum wells 国際会議

T. Ikari, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, and M. Kondow

欧州材料学会春季ミーティング2010 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2010年6月7日 - 2010年6月11日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Photoluminescence and photoreflectance studies of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrates 国際会議

Akio Suzuki, Kazumasa Mutaguchi, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Ji-Hyun Paek, and Masahito Yamaguchi

The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会

開催年月日： 2010年5月31日 - 2010年6月4日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Takamatsu Symbol Tower, Japan

Effect of the GaAs Substrate Orientation on the Piezoelectric Photothermal Spectra of GaAsN Thin Film for Ultra High-Efficiency Four-Junction Solar Cells 国際会議

Kazumasa Mutaguchi, Tomoyuki Touse, Yohei Kawano, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, and Masafumi Yamaguchi

The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会

開催年月日： 2010年5月31日 - 2010年6月4日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Takamatsu Symbol Tower, Japan

Optical energy gap of Si-doped diamond like carbon (DLC) films as a function of sp3/sp2 compositional ratio investigatedby photothermal and photoluminescence spectroscopies 国際会議

Ryoich Yamamoto, Tatsuya Miyamoto, Soushi Miura, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Hideki Nakazawa

The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会

開催年月日： 2010年5月31日 - 2010年6月4日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Takamatsu Symbol Tower, Japan

圧電素子光熱変換分光法による半導体材料評価

福山敦彦、碇哲雄

第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年2月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：アークホテル熊本

光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究

山元亮一、三浦創史、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹

第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年2月13日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響

山元亮一、三浦創史、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹

第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年2月13日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較

牟田口和真、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史

第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年2月13日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

ポリエチレングリコールの分子量を変化させたTiO2薄膜の光学的特性比較

平下康貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、古川昌司

第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部

開催年月日： 2010年2月13日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：アークホテル熊本

銀シングルナノ微粒子の触媒作用によって形成されたSiナノ構造の光学的評価

田村仁、末籐豪、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較

牟田口和真、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

N添加GaAsN薄膜の光熱変換スペクトルにおけるGaAs基板表面ステップの影響

當瀬智之、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

CuInS2多孔質結晶の合成及び評価

金子知史、山元亮一、福山敦彦、赤木洋二

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究

壹岐俊洋、田村仁、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

石英基板上ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響

宮本達弥、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

ポリエチレングリコールの分子量を変化させたTiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトル

平下康貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岩本朋久、古川昌司

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2009年11月21日 - 2009年11月22日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学

光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究

田村仁、壹岐俊洋、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第30回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (同志社大学今出川キャンパス寒梅館) 応用物理学会

開催年月日： 2009年11月18日 - 2009年11月20日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：同志社大学今出川キャンパス寒梅館

Detail investigation of phonon-emitting energy loss in the p-n junction by using piezoelectric photothermal and surface photovoltage techniques 国際会議

Toshihiro Iki, Hitoshi Tamura, Tatsuya Miyamoto, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari

19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会

開催年月日： 2009年11月9日 - 2009年11月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地： ICC JEJU, Korea

study of the photovoltaic performance of the DLC thin films by change of the sp3/sp2 ratio 国際会議

Tatsuya Miyamoto, Toshihiro Iki, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, and Hideki Nakazawa

19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会

開催年月日： 2009年11月9日 - 2009年11月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地： ICC JEJU, Korea

Investigation of nonraditaive recombination and accumulation processes of photoexcited carriers in GaAsN for ultra high-efficiency four-junction solar cells 国際会議

Tomoyuki Touse, Kazumasa Mutaguchi, Ryouichi Yamamoto, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Masafumi Yamaguchi

19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会

開催年月日： 2009年11月9日 - 2009年11月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地： ICC JEJU, Korea

Effect of P25:PC101 ratio on the photothermal and photoluminescence spectra of titania thin films with mixture of anatase and rutile structures fabricated by the squeegee method 国際会議

Yasutaka Hirashita, Tatsuya Miyamoto, Tomohisa Iwamoto, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Shoji Furukawa

19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会

開催年月日： 2009年11月9日 - 2009年11月13日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地： ICC JEJU, Korea

NAPLD法により作製したAlドープZnOナノワイヤにおける発光特性のAl含有量依存性

境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岡田龍雄

平成21年秋季第70回応用物理学会学術講演会 (富山大学) 応用物理学会

開催年月日： 2009年9月8日 - 2009年9月11日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：富山大学

Carrier recombination in two dimensional electron gas at AlGaN/GaN interface investigated by the surface photovoltage technique

Atsuhiko Fukuyama, Tomoyuki Touse, Kentaro Sakai, and Tetsuo Ikari

第28回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖) EMS実施委員会

開催年月日： 2009年7月8日 - 2009年7月10日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ琵琶湖

Phonon-emitting intersubband relaxation in GaAs/AlAs-MQW investigated by piezoelectric photothermal and surface photovoltage techniques

Atsuhiko Fukuyama, Tatsuya Miyamoto, Toshihiro Iki, Kentaro Sakai, and Tetsuo Ikari

第28回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖) EMS実施委員会

開催年月日： 2009年7月8日 - 2009年7月10日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：ラフォーレ琵琶湖

PPTおよびSPV法による半導体p-n接合界面におけるキャリア再結合過程の研究

壹岐俊洋、田村仁、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎

第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2009年7月2日 - 2009年7月3日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ

P25/PC101混合割合によるチタニア薄膜のフォトルミネッセンスおよび光熱変換スペクトル変化

平下康貴、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎、岩本朋久、古川昌司

第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2009年7月2日 - 2009年7月3日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ

GaAsNの伝導帯近傍の電子構造に関する研究

稲垣充、鈴木秀俊、大下祥雄、小嶋信明、牟田口和真、福山敦彦、山口真史

第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2009年7月2日 - 2009年7月3日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ

sp3/sp3比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化

宮本達弥、壹岐俊洋、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎、中澤日出樹

第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ) 日本学術振興財団第175委員会

開催年月日： 2009年7月2日 - 2009年7月3日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ

レーザー変調反射分光法を用いたN添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化測定

井上麻衣子、王萍、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

SPV及びPPT法によるダイヤモンド様炭素膜中sp3/sp2比の光学特性への影響評価

宮本達弥、壹岐俊洋、王萍、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

表面光起電力分光法によるSiC/Siヘテロ接合界面でのキャリア振る舞いの評価

當瀬智之、福山敦彦、碇哲雄、R. Bantaculo、末光眞希、長谷川宏巳、山口祐一郎、須田良幸

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

パルスレーザー堆積法により作製したAlドープZnOナノワイヤーの光学的性質

野口公平、境健太郎、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄、岡田龍雄

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

気相輸送成長法によるZnOナノワイヤーの作製と光学特

矢野智士、野口公平、境健太郎＊、福山敦彦、碇哲雄

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

色素を吸着させたTiO2薄膜のPPTスペクトルに対するP25/PC101混合比依存性

矢野伊織、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岩本朋久、古川昌司

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

P25/PC101混合比を変化させたTiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトル

矢野伊織、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岩本朋久、古川昌司

平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2008年11月29日 - 2008年11月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学

光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究

王萍、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第29回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (仙台シルバーセンター) 応用物理学会

開催年月日： 2008年11月11日 - 2008年11月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台シルバーセンター

非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価

福山敦彦、黒木貴裕、境健太郎、岩本朋久、古川昌司、碇哲雄

第29回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (仙台シルバーセンター) 応用物理学会

開催年月日： 2008年11月11日 - 2008年11月13日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台シルバーセンター

表面光起電力法と圧電素子光熱分光法によるAlGaN/GaN界面の2DEG評価

福山敦彦、當瀬智之、境健太郎、碇哲雄

平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学) 応用物理学会

開催年月日： 2008年9月2日 - 2008年9月5日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：中部大学

パルスレーザー堆積法により作製したAlドープZnOナノワイヤの光学的性質

野口公平、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岡田龍雄

平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学) 応用物理学会

開催年月日： 2008年9月2日 - 2008年9月5日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：中部大学

希薄窒化物半導体GaInNAsの比誘電率

内山正之、森藤正人、近藤正彦、福嶋晋一、福山敦彦、碇哲雄

平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学) 応用物理学会

開催年月日： 2008年9月2日 - 2008年9月5日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：中部大学

Carrier recombination mechanism in two dimensional electron gasses at AlGaN/GaN interface investigated by a photoluminescence, a surface photovoltage and a piezoelectric photothermal spectroscopies 国際会議

T. Ikari, M. Arimura, H. Ohshige, I. Yano, M. Inoue, T. Touse, H. Yokoyama, K. Sakai, and A. Fukuyama

欧州材料学会春季ミーティング2008 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2008年5月26日 - 2008年5月30日

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Strasbourg, France

Investigation of carrier recombination processes in GaAs/AlAs multiple quantum wells using piezoelectric photothermal and surface photovoltage techniqes 国際会議

P. Wang, S. Kurayama, K. Sakai, A. Fukuyama, and T. Ikari

欧州材料学会春季ミーティング2008 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2008年5月26日 - 2008年5月30日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Experimental study on static dielectric constant of GaInNAs 国際会議

M. Uchiyama, M. Kondow, S. D. Wu, H. Momose, M. Morifuji, T. Ikari, S. Fukushima, and A. Fukuyama

インジウムリンおよび関連材料学会 (Versailles, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2008年5月25日 - 2008年5月29日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Versailles, France

表面光起電力の温度依存性解析によるSI-GaAs中の深い準位の解析モデル

小村照太、福嶋晋一、福山敦彦、前田幸治、横山宏有、碇哲雄

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2007年12月1日 - 2007年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学

パルスレーザー堆積法により作製したZnOナノ結晶の低温発光特性

野口公平、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岡田龍雄

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2007年12月1日 - 2007年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学

圧電素子光熱分光法によるTiO2の光吸収スペクトル評価

矢野伊織、井上麻衣子、有村光生、王萍、福山敦彦、碇哲雄、岩本朋久、古川昌司

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2007年12月1日 - 2007年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学

サファイア基板上AlGaN/GaNヘテロ構造材料の光学的特性

有村光生、井上麻衣子、矢野伊織、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2007年12月1日 - 2007年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学

表面光起電力法及び光熱分光法によるGaAs/AlAs-MQWの光吸収スペクトル評価

倉山慎吾、王萍、福山敦彦、境健太郎、碇哲雄

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2007年12月1日 - 2007年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学

圧電素子光熱分光法によるGaInNAsの変形ポテンシャルの導出

福嶋晋一、有村光生、福山敦彦、横山宏有、碇哲雄

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2007年12月1日 - 2007年12月2日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学

GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出

福嶋晋一、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

第28回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (つくば国際会議場) 応用物理学会

開催年月日： 2007年11月14日 - 2007年11月16日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：つくば国際会議場

表面光起電力法及び光熱分光法によるGaAs/AlAs-MQWの光吸収スペクトル評価

王萍、倉山慎吾、境健太郎、福山敦彦、明石義人、碇哲雄

平成19年秋季第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学) 応用物理学会

開催年月日： 2007年9月4日 - 2007年9月8日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道工業大学

非発光電子遷移検出による半導体光吸収スペクトル測定

福山敦彦、王萍

窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究 (九州大学応用力学研究所) 九州大学応用力学研究所

開催年月日： 2007年7月27日 - 2007年7月28日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学応用力学研究所

Band gap energy fluctuations in InGaN films grown by RF-MBE with changing nitrogen supply rate investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy 国際会議

H. Komaki, T. Shimohara, K. Sakai, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Piezoelectric photo-thermal and surface photo-voltage studies of GaAs/AlAs short-period superlattices 国際会議

P. Wang, A. Fukuyama, Y. Akashi and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Optical properties of nano-structured ZnO crystal synthesized by a pulsed laser ablation 国際会議

K. Sakai, S. Oyama, K. Noguchi, A. Fukuyama, T. Ikari, and T. Okada

The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Strain induced band gap change in Ga1-xInxNAs studied by using a photo-thermal spectroscopy 国際会議

S. Fukushima, Y. Ohta, M. Arimura, K. Sakai, A. Fukuyama, T. Ikari, and M. Kondow

The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society

開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

GaInNAs/GaAs量子井戸の励起子束縛エネルギー

内山正之、ShunDong Wu、近藤正彦、福島晋一、福山敦彦、碇哲雄

平成19年春季第54回応用物理学関連連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2007年3月27日 - 2007年3月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス

Si/Ge/Si(001)界面形状とフォノン伝播の関係

勝谷匡博、脇川達人、寒川義裕、王萍、福山敦彦、明石義人、碇哲雄、柿本浩一

平成19年春季第54回応用物理学関連連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2007年3月27日 - 2007年3月30日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス

Si/Ge/Si(001)界面形状と熱物性の関係

勝谷匡博、脇川達人、寒川義裕、福山敦彦、明石義人、碇哲雄、柿本浩一

平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会

開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学

RF-MBE成長したInGaNの光学的特性の窒素流量依存性

下原崇、小牧弘典、福山敦彦、片山竜二、境健太郎、尾鍋研太郎、前田幸治、碇哲雄

平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会

開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学

圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs超格子のサブバンド間吸収の評価

王萍、中川崇洋、園田修盛、福山敦彦、藤原賢三、碇哲雄

平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会

開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学

圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs-MQWの光吸収スペクトル評価

倉山慎吾、中川崇洋、王萍、園田修盛、福山敦彦、藤原賢三、碇哲雄

平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会

開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学

圧電素子ー光熱信号の温度依存性によるVGF成長SI-GaAs中の深い準位の評価

後藤章宏、小村照太、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄

平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会

開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学

圧電素子光熱分光法を用いたシリコンp-n接合界面におけるキャリアのドリフトと再結合

中馬博樹、内堀裕樹、王萍、福山敦彦、碇哲雄

平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会

開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学

Effect of interface states at SiO2/Si boundaries on surface photovoltage and piezoelectric photothermal spectra

H. Hayashi, T. Kuroki, A. Fukuyama, M. Suemitsu, and T. Ikari

第27回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (名古屋国際会議場) 応用物理学会

開催年月日： 2006年11月15日 - 2006年11月17日

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名古屋国際会議場

圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価

内堀裕樹、中馬博樹、福山敦彦、碇哲雄

第27回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (名古屋国際会議場) 応用物理学会

開催年月日： 2006年11月15日 - 2006年11月17日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場

Effect of the surface conditions on the optical properties of bulk ZnO single crystals -Surface photovoltage and photothermal spectroscopy 国際会議

K. Sakai, S. Oyama, K. Fukushima, H. Yokoyama, A. Fukuyama, and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society

開催年月日： 2006年5月29日 - 2006年6月2日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nice, France

Photo-ionization cross section of Nickel deep level in silicon investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal and surface photovoltage signals 国際会議

S. Sato, S. Tanaka, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, M. Ozeki, and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society

開催年月日： 2006年5月29日 - 2006年6月2日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nice, France

Piezoelectric photothermal study of GaAs single quantum well embedded in GaAs/AlAs short-period superlattices 国際会議

P. Wang, K. Nakagawa, K. Sakai, A. Fukuyama, Y. Akashi, K. Fujiwara, and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society

開催年月日： 2006年5月29日 - 2006年6月2日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nice, France

Investigation of Ni Induced deep levels in n-type Si by a temperature dependence of piezoelectric photothermal and surface photovoltage signals 国際会議

S. Sato, S. Tanaka, K. Sakai, A. Fukuyama, and T. Ikari

Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society

開催年月日： 2005年12月7日 - 2005年12月9日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Bethesda, MD (Maryland), USA

Piezoelectric photothermal and surface photovoltage spectra in extremely thin GaInNAs/GaAs single quantum well 国際会議

S. Fukushima, T. Ikari, A. Fukuyama, K. Sakai, H.Yokoyama, and M. Kondow

Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society

開催年月日： 2005年12月7日 - 2005年12月9日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Bethesda, MD (Maryland), USA

Carrier recombination mechanism at SiO2/Si interface studied by a photo-thermal and a surface photo-voltage spectroscopy 国際会議

T. Saisho, K. Sakai, H. Hayashi, S. Sato, A. Fukuyama, M. Suemitsu, and T. Ikari

Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society

開催年月日： 2005年12月7日 - 2005年12月9日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Bethesda, MD (Maryland), USA

Piezoelectric photo-thermal and surface photo-voltage spectra of chalcopyrite CuGaSe2 epitaxial layers fabricated on semi-insulating GaAs 国際会議

N. Ohryoji, A. Goto, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, A. Yamada, S. Niki, and T. Ikari

Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society

開催年月日： 2005年12月7日 - 2005年12月9日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Bethesda, MD (Maryland), USA

圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs超格子閉じ込め単一量子井戸の光学的評価

王萍，中川崇洋，境健太郎，福山敦彦，藤原健三，碇哲雄

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2005年11月26日 - 2005年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡工業大学

圧電素子光熱分光法によるSi基板上に成長させたβ-FeSi2薄膜の光学特性の測定

横山宏有，境健太郎，福山敦彦，吉武剛，碇哲雄

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2005年11月26日 - 2005年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡工業大学

圧電素子光熱分光法及び表面光起電力法によるZnOナノロッドの光学的特性評価

境健太郎，福島健太，小山定泰，福山敦彦，岡田龍雄，碇哲雄

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2005年11月26日 - 2005年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡工業大学

圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン太陽電池の光学的特性評価

坂本将一，園田修盛，境健太郎，福山敦彦，碇哲雄

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2005年11月26日 - 2005年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡工業大学

圧電素子光熱分光法によるInGaAs/GaAs-SQWの光学的評価

中川崇洋，王萍，福山敦彦，前田幸治，岩佐洋助，尾関雅志，碇哲雄

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部

開催年月日： 2005年11月26日 - 2005年11月27日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡工業大学

RF-MBEによって作成されたInGaN薄膜のフォトリフレクタンスと光熱変換スペクトル

河野永樹、下原崇、内堀裕樹、小牧弘典、福山敦彦、碇哲雄、片山竜二、尾鍋研太郎

第26回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (東京工業大学すずかけ台キャンパス) 応用物理学会

開催年月日： 2005年11月16日 - 2005年11月18日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学すずかけ台キャンパス

圧電素子光熱分光法による微結晶シリコンバンドギャップ近傍の光学的特性評価

坂本将一，園田修盛，王萍，境健太郎，福山敦彦，碇哲雄

第12回 CRC 技術・研究発表交流会 (宮崎大学CRCセンター) 宮崎大学CRC

開催年月日： 2005年7月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学CRCセンター

Photo-Thermal Reflection microscopyによるSiO2/Si界面のキャリア再結合速度の測定

碇哲雄，福山敦彦，末光眞希，J. P. Roger and D. Fournier

第12回 CRC 技術・研究発表交流会 (宮崎大学CRCセンター) 宮崎大学CRC

開催年月日： 2005年7月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学CRCセンター

圧電素子光熱分光法によるInGaAs/GaAs-SQW/MQWの光学的評価

中川崇洋，王萍，福山敦彦，前田幸治，岩佐洋助，尾関雅志，碇哲雄

第12回 CRC 技術・研究発表交流会 (宮崎大学CRCセンター) 宮崎大学CRC

開催年月日： 2005年7月29日

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学CRCセンター

A piezoelectric photothermal study of InGaAs/GaAs quantum well heterostructures 国際会議

P. Wang, A. Fukuyama, K. Maeda, Y. Iwasa, M. Ozeki, Y. Akashi, and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2005 (Strasbourg, France) European Materials Research Society

開催年月日： 2005年5月31日 - 2005年6月3日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Piezoelectric photothermal study of the optical properties of microcrystalline silicon near the bandgap 国際会議

A. Fukuyama, S. Sakamoto, S. Sonoda, P. Wang, K. Sakai, and T. Ikari

The European Materials Research Society Spring Meeting 2005 (Strasbourg, France) European Materials Research Society

開催年月日： 2005年5月31日 - 2005年6月3日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

Carrier recombination velocities at the SiO2/Si interface investigated by a photothermal microscopy 国際会議

T. Ikari, A. Fukuyama, T. Murata, M. Suemitsu, N. Haddad, V. Reita, J. P. Roger, and D. Foumier

The European Materials Research Society Spring Meeting 2005 (Strasbourg, France) European Materials Research Society

開催年月日： 2005年5月31日 - 2005年6月3日

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Strasbourg, France

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講演・口頭発表等 - 福山 敦彦

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