MISC - 福山　敦彦

光ヘテロダイン光熱変位法の構築と鉄汚染させたn型Siの非発光再結合マッピング 招待あり

原田知季、森田浩右、大山博暉、原田尚吾、碇哲雄、福山敦彦

超音波TECHNO   34 ( 3 )   88 - 93   2022年6月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本工業出版  

光ヘテロダイン光熱変位測定による半導体の熱物性評価 (1) 理論解析モデルの構築

原田尚吾、森田浩右、大山博暉、原田知季、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   51   45 - 49   2022年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

フォトリフレクタンス法による波状超格子構造の光学的評価

山本尚輝、駒場森太郎、杉山正和、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   51   57 - 61   2022年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

PLおよびPR測定を用いたInAs/GaSb超格子構造の遷移エネルギー評価

迫田理久、矢田部龍彦、荒井昌和、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   51   63 - 67   2022年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

光ヘテロダイン光熱変位測定による半導体の熱物性評価 (2) Si-NP/SiGe複合膜の測定

森田浩右、原田尚吾、大山博暉、原田知季、大堀大介、寒川誠二、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   51   51 - 55   2022年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

GaAs量子ドットにおけるPLピークエネルギー温度依存性の励起光強度による影響

中村泰樹、川畑公佑、迫田理久、間野高明、野田武司、碇 哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   50   69 - 74   2021年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

ナノピラー(NP)間隔を変化させたSi-NP/SiGe複合膜の熱および光学的特性評価

安良田裕基、原田知季、森田浩右、大堀大介、寒川誠二、碇 哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   50   59 - 63   2021年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

3C-SiC膜上に成長したSiCウィスカーの光学的評価と単一光子源への有用性

川畑公佑、中村泰樹、迫田理久、成田克、碇 哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   50   65 - 68   2021年9月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

光熱変換分光法による超格子太陽電池におけるキャリア緩和過程におよぼす歪緩和層挿入効果の実証 招待あり

古川諒、渡部愛理、碇哲雄、福山敦彦、杉山正和

超音波TECHNO   33 ( 3 )   79 - 85   2021年5月

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担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本工業出版  

液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットの二峰性サイズ分布によるフォトルミネッセンスピークエネルギー温度依存性への影響

宮内雄大、中村泰樹、川畑公佑、間野高明、野田武司、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   49   73 - 77   2020年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

歪補償InGaAs/GaAsP超格子太陽電池のGaAsP障壁層のP組成変化がキャリア輸送特性に及ぼす影響評価

岩永凌平、中村翼、安藝翼、渡部愛理、杉山正和、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   48   41 - 44   2019年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

非発光再結合検出による歪緩和層挿入超格子構造太陽電池のキャリア輸送評価

岩永凌平、中村翼、渡部愛理、安藝翼、杉山正和、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   48   45 - 49   2019年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

液滴エピタキシー法により作製されたGaAs QDsのサイズが与えるフォトルミネッセンスの温度依存性への影響

江添悠平、宮内雄大、間野高明、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   48   51 - 54   2019年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

集光照射によるSiおよびGaAs基板のHall移動度変化と太陽電池特性への影響

松田真輝、立神秀弥、高内健二郎、碇哲雄、西岡賢祐、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   47   77 - 82   2018年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

n-およびp-Si基板のライフタイムと光照射時のキャリアタイプ反転による太陽電池特性への影響

高内健二郎、立神秀弥、松田真輝、碇哲雄、西岡賢祐、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   47   73 - 76   2018年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

擬似太陽光照射による単結晶Siのキャリア移動度変化と太陽電池特性への影響

立神秀弥、徳田直樹、高内健二郎、碇哲雄、西岡賢祐、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   46   95 - 99   2017年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDsの発光再結合特性

杉原圭二、中野真理菜、岩元杏里、大堀大介、本田善央、天野浩、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   46   85 - 88   2017年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

SPV法を用いたGaAs歪緩和挿入InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池のキャリア輸送評価

武田秀明、中村翼、魯家男、K. Toprasertpong、杉山正和、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   46   89 - 94   2017年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池におけるミニバンド形成過程とその光学的評価

松落高輝、中村翼、武田秀明、K. Toprasertpong、杉山正和、中野義昭、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   45   119 - 124   2016年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

フォトルミネッセンス法による加工Si基板上半極性(1-101)面GaN薄膜の発光再結合特性評価

杉原圭二、中野真理菜、岩元杏里、大堀大介、本田善央、天野浩、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   45   105 - 110   2016年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

擬似太陽光照射による単結晶Siのキャリア移動度の変化と太陽電池特性への影響

徳田直樹、立神秀弥、李垚、碇哲雄、西岡賢祐、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   45   111 - 114   2016年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

GaAsN薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi供給順序が電気特性に与える影響

堀切将、横山祐貴、鈴木秀俊、碇哲雄、福山敦彦

宮崎大学工学部紀要   45   115 - 118   2016年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

圧電素子光熱変換分光法を用いた多接合太陽電池におけるキャリア再結合断面プロファイル測定

福山敦彦、杉本泰士、村上匠、相原健人、碇哲雄

超音波TECHNO   27 ( 4 )   66 - 71   2015年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）   出版者・発行元：日本工業出版  

温度変化I-V測定によるAlGaAs/GaAs単一量子井戸からのキャリア熱脱出過程の評価

村上匠、倉留弘憲、杉本泰士、相原健人、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   44   1 - 4   2015年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

場所選択加工したSi基板を用いたGaAs-NWsの成長

原田一徹、河瀨平雅、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   44   5 - 8   2015年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

非発光再結合検出による量子ナノ構造太陽電池材料評価

福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄

日本結晶成長学会誌   41 ( 2 )   50 - 57   2014年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）   出版者・発行元：日本結晶成長学会  

量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合および輸送特性

杉本泰士、相原健人、杉山正和、中野義昭、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   43   17 - 20   2014年8月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響

芳賀章博、貞任萌、原口智宏、鈴木秀俊、福山敦彦、尾関雅志、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   42   27 - 30   2013年8月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪みの影響

元田雄太郎、鈴木章生、大堀大介、福山敦彦、本田善央、山口雅史、天野浩、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   42   23 - 26   2013年8月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減

伊東大樹、太刀掛弘晃、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   42   19 - 22   2013年8月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

PPT法とPL法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究

丁文、中野陽介、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   41   9 - 12   2012年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

PPT法を用いた多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究

石橋大輔、佐藤洋平、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   41   13 - 16   2012年7月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究

田村仁、壹岐俊洋、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   39   15 - 18   2010年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響

山元亮一、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   39   19 - 24   2010年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較

平下康貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   39   25 - 28   2010年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較

牟田口和真、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   39   29 - 34   2010年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価

福山敦彦、境健太郎、碇哲雄、古川昌司

超音波TECNO   21 ( 6 )   91 - 94   2009年11月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本工業出版  

光熱変換分光測定によるMo上Cu(In,Ga)Se2薄膜のバンドギャップ評価

福山敦彦、本野佑太郎、丁文、碇哲雄、山口利幸

超音波TECNO   24 ( 6 )   89 - 92   2009年11月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本工業出版  

sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化

宮本達弥、壹岐俊洋、石井翔平、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   38   61 - 65   2009年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築

壹岐俊洋、田村仁、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   38   67 - 71   2009年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

GaAs/AlAs MQWにおける電子遷移の光学的研究

王萍、福山敦彦、碇哲雄

超音波TECNO   21 ( 1 )   54 - 59   2009年1月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本工業出版  

圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究価

矢野伊織、井上麻衣子、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   37 ( 2 )   21 - 26   2008年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

AlGaN/GaNへテロ界面に形成される２次元電子ガスの光学的特性

福山敦彦、有村光生、井上麻衣子、矢野伊織、當瀬智之、境健太郎、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   37   15 - 20   2008年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価

福山敦彦、碇哲雄

光学   34 ( 2 )   82 - 86   2005年2月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本光学会  

エネルギー変換型半導体デバイス材料の物性評価

共著者：福山敦彦、碇哲雄、境健太郎

みやざきTLO通信   ( 41 )   1 - 4   2004年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：みやざきTLO  

圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル

福山敦彦、碇哲雄、境健太郎

超音波TECNO   16 ( 5 )   75 - 81   2004年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   出版者・発行元：日本工業出版  

製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトルの変化

王萍、多田真樹、大田将志、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   ( 33 )   57 - 61   2004年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

フォトルミネッセンス分光法によるⅢ－Ⅴ族化合物半導体InGaAlPの評価

河村昌和、前田幸治、福山敦彦、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   ( 33 )   101 - 107   2004年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

カルコパイライト型半導体CuGaSe2薄膜のGaAs基板の影響

三谷直司、吉野賢二、福山敦彦、横山宏有、前田幸治、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   ( 30 )   75 - 81   2001年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

Non-radiative Carrier Recombination Process in AlGaAs/GaAs Hetero-Structure Investigated by Piezoelectric Photothermal Spectroscopy

Hiroaki Nagatomo, Atsuhiko Fukuyama, Kenji Yoshino, Hirosumi Yokoyama,Kouji Maeda, and Tetsuo Ikari

宮崎大学工学部紀要   ( 30 )   53 - 56   2001年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

カルコパイライト型半導体CuInSe2単結晶の光学特性

西本雅之、吉野賢二、福山敦彦、横山宏有、前田幸治、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   ( 29 )   71 - 77   2000年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究

永田毅、横山宏有、福山敦彦、吉野賢二、碇哲雄、前田幸治

宮崎大学工学部紀要   ( 28 )   121 - 127   1999年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

カルコパイライト型半導体GuGaSe2薄膜の圧電素子-光音響分光法による評価

丸岡大介、吉野賢二、福山敦彦、横山宏有、前田幸治、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   ( 28 )   107 - 113   1999年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

圧電素子-光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析

岩本政利、福山敦彦、横山宏有、吉野賢二、前田幸治、碇哲雄

宮崎大学工学部紀要   ( 28 )   115 - 120   1999年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

CZ-Si単結晶中の熱処理に伴う酸素析出挙動

藤原義友、福山敦彦、福森太一郎、明石義人

宮崎大学工学部紀要   ( 25 )   87 - 92   1996年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学  

分子線エピタキシャル成長n-GaAs薄膜の光音響スペクトル

横山宏有、福山敦彦、碇哲雄、前田幸治、二神光次

宮崎大学工学部紀要   ( 37 )   157 - 160   1991年9月

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：宮崎大学