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有機金属気相成長法によって作製されたInAs/GaAsSb 超格子のAs組成比による発光の変化
奥田 大晴、荒井 昌和、藤澤 剛、鈴木 秀俊、前田 幸治
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.16
Event date： 2025.3.14 - 2025.3.17
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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逆積み式InGaAs太陽電池における成長層傾斜不均一の発生位置の評価
栗崎皋成、鈴木秀俊、小倉暁雄、今泉充
2024年応用物理学会九州支部学術講演会 2024.12.8
Event date： 2024.12.7 - 2024.12.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Growth and evaluation of GaAsN films with different N distribution grown by atomic layer epitaxy International conference
Hayato Koto, Masahiro Kawano, Hidetoshi Suzuki
35th International Photovoltaic Sicence and Engineering Conference 2024.11.14
Event date： 2024.11.10 - 2024.11.15
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Effects of Intentionally changed nitrogen distribution on nitrogen localized level in GaAsN thin films International conference
Kyosuke Yamashita, Tomoki Harada, Masahiro Kawano, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024.9.3
Event date： 2024.9.1 - 2024.9.4
Language：English Presentation type：Poster presentation
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GaAs基板上InGaAsバッファ層を用いたType-Ⅱ量子井戸の成長と評価
高島 陸人、本部 好記、臼井 一旗、國武 幸一郎、鈴木 秀俊、荒井 昌和
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.22
Event date： 2024.3.22 - 2024.3.25
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Relationships between Distribution of Dislocation Glide Planes and Carrier Recombination Properties in InGaAs Solar Cells Using Microwave Photoconductivity Decay Mapping and Photoluminescence Spectroscopy International conference
Harada S., Suzuki H., Ogura A., Imaizumi M., Ikari T., Fukuyama A.
28th Microoptics Conference, MOC 2023
Event date： 2023.9.24 - 2023.9.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Photoluminescence Intensity Dependence of InGaAs MQW on Relaxation Layer Composition on GaAs Substrate International conference
Usui K., Hombu K., Suzuki H., Arai M.
28th Microoptics Conference, MOC 2023
Event date： 2023.9.24 - 2023.9.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
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微傾斜GaAs基板上にALE法を用いて成長方向と面内方向にN分布を制御したGaAsN薄膜の作製
平川 翔太、河野 将大、高木 俊作、鈴木 秀俊
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.20
Event date： 2023.9.19 - 2023.9.23
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Mapping of Dislocation-Related Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs Solar Cells Using a Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method International conference
Shogo Harada, Tomoki Harada, Hidetoshi Suzuki, Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023.9.7
Event date： 2023.9.5 - 2023.9.8
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Effects of the distribution of dislocation glide planes on electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells International conference
Hidetoshi Suzuki1, Kosei Kurisaki, Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Atsuhiko Fukuyama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023.9.7
Event date： 2023.9.5 - 2023.9.8
Language：English Presentation type：Poster presentation
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GaAs基板上InGaAs格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査
臼井 一旗、本部 好記、鈴木 秀俊、荒井 昌和
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16
Event date： 2023.3.15 - 2023.3.18
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Relationships between the distribution of dislocation glide planes and electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells International conference
Junya Okubo1, Akio Ogura2, Masahiro Kawano1, Shogo Harada1, Kosuke Morita1, Hiroki Ohyama, Tomoki Harada, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama, Mitsuru Imaizumi, Hidetoshi Suzuki
33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2022.11.15
Event date： 2022.11.13 - 2022.11.15
Language：English Presentation type：Poster presentation
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転位すべり面に偏りのあるInGaAs太陽電池の非発光再結合マッピング評価
原田 尚吾、森田 浩右、大山 博暉、原田 知季、大窪 純矢、鈴木 秀俊、小倉 暁雄、今泉 充、碇 哲雄、福山 敦彦
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (東北大学) 2022.9.22 日本応用物理学会
Event date： 2022.9.20 - 2022.9.23
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学
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Porous Si基板の孔の深さがGaAs薄膜成長に与える影響
源 龍之介、河野 将大、藤岡 宏輔、鈴木 秀俊
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (東北大学) 2022.9.22 日本応用物理学会
Event date： 2022.9.20 - 2022.9.23
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学
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原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
高木 俊作、河野 将大、中島 凌、鈴木 秀俊
第69回応用物理学会春季学術講演会 (青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン) 2022.3.23 応用物理学会
Event date： 2022.3.22 - 2022.3.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン
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逆積み格子不整合系InGaAs太陽電池の逆格子マッピングによる転位すべり面の解析
大窪 純矢、河野 将大、田澤 昂大、鈴木 秀俊、小倉 暁雄、今泉 充
第69回応用物理学会春季学術講演会 (青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン) 2022.3.23 応用物理学会
Event date： 2022.3.22 - 2022.3.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン
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逆積み格子不整合系InGaAs太陽電池の転位すべり面と電気特性の関係
小倉 暁雄、鈴木 秀俊、大島 隆治、菅谷 武芳、今泉 充
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン) 2021.9.23 応用物理学会
Event date： 2021.9.21 - 2021.9.23
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
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ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
中島 凌、河野 将大、峰松 遼、原口 智宏、鈴木 秀俊
第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン) 応用物理学会
Event date： 2021.3.16 - 2021.3.19
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
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GaAsSb/GaAs(001)におけるSb偏析が格子緩和初期に及ぼす影響の評価
前田 健佑、久保 幸士朗、河野 将大、佐々木 拓生、高橋 正光、鈴木 秀俊
第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン) 応用物理学会
Event date： 2021.3.16 - 2021.3.19
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
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In situ Synchrotron X-ray Observation of Anisotropy in the initial stage Lattice Relaxation Processes of GaAsSb/GaAs(001) International conference
Koshiro Kubo, Shota Nogawa, Masahiro Kawano, Takuo Sasaki, Masmitu Takahasi, Hidetoshi Suzuki
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (Online) SSDM2020 organizing committee
Event date： 2020.9.27 - 2020.9.30
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
In a multijunction solar cell, lattice-mismatched materials are stacked; however, the propagation of threading dislocations to the active layer due to strain relaxation is a major drawback. To understand the mechanism of strain relaxation, the anisotropic formation of misfit dislocations (MDs) during GaAsSb growth on the GaAs(001) substrate was observed by in situ three-dimensional reciprocal lattice mapping using synchrotron X-rays. In the initial stage of the relaxation process, anisotropic generation of alpha- and beta- MDs was observed. Therefore, we conclude that a high anisotropy in the initial stage is required to grow lattice-mismatched solar cells.
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[講演奨励賞受賞記念講演] X線その場観察法を用いたGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和初期における異方性評価
久保 幸士朗, 野川 翔太, 河野 将大, 佐々木 拓生, 高橋 正光, 鈴木 秀俊
第67回応用物理学会春季学術講演会 (東京都千代田区 上智大学) 日本応用物理学会
Event date： 2020.3.12 - 2020.3.15
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都千代田区 上智大学
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Inhomogeneous distribution of misfit dislocations in metamorphic InGaAs solar cells International conference
Shota Nogawa, Akio Ogura, Masahiro Kawano, Kubo Koushirou, Mitsuru Imaizumi, Hidetoshi Suzuki
The 19th International Conference on Solid Films and Surfaces (Hiroshima)
Event date： 2019.10.6 - 2019.10.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hiroshima
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ALE 法で意図的に N 分布を変化させたGaAsN 薄膜のアニール温度の電気特性への影響
峰松 遼、河野 将大、原口 智宏、鈴木 秀俊
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学) 応用物理学会
Event date： 2019.9.18 - 2019.9.21
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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成長温度の異なるGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性評価
久保 幸士朗、野川 翔太、河野 将大、佐々木 拓生、高橋 正光、鈴木 秀俊
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学) 応用物理学会
Event date： 2019.9.18 - 2019.9.21
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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InGaP 傾斜組成バッファー層を用いたGaAs 基板上 InGaAs 太陽電池の格子緩和不均一性
鈴木秀俊
第9回次世代太陽電池用新材料研究会 (Hokkaido) プロジェクト「EFCIV」
Event date： 2019.9.16 - 2019.9.17
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hokkaido
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Cathodoluminescence study on graded buffer layers of metamorphic single junction III-V solar cells
Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Wei Yi, Jun Chen, Hidetoshi Suzuki
International Conference on nDefects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII) (Berlin)
Event date： 2019.9.8 - 2019.9.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Berlin
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Growth and Evaluation of GaAsN Films With Different N Distribution Grown by Atomic Layer Epitaxy International conference
Masahiro Kawano, Ryo Minematsu, Tomohiro Haraguchi, Atsuhiko Fukuyama, Hidetoshi SUZUKI
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (Nagoya) SSDM2019 organizing committee
Event date： 2019.9.2 - 2019.9.5
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya
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ANALYSIS ON RELATIONS BETWEEN ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MISFIT DISLOCATIONS OF METAMORPHIC SINGLE JUNCTION SOLAR CELLS International conference
Akio Ogura, Hidetoshi Suzuki, Mitsuru Imaizumi
19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Keystone, Colorado, USA)
Event date： 2019.7.28 - 2019.8.2
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Keystone, Colorado, USA
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ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
河野将大, 上田大貴, 峰松遼, 原口智宏, 鈴木秀俊
第66回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学) 日本応用物理学会
Event date： 2019.3.9 - 2019.3.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学
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tBGeを用いたSi(001)基板上へのGe薄膜成長における成長温度の影響
岩本晃一郎, 秋田裕紀, 白倉翔太郎, 河野将大, 鈴木秀俊
第66回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学) 日本応用物理学会
Event date： 2019.3.9 - 2019.3.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学
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基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響
金子翔一, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋) 日本応用物理学会
Event date： 2018.9.18 - 2018.9.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋
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GaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性による歪み緩和への影響
結城正也, 野川翔太, 荒井昌和, 大下祥雄, 佐々木拓生, 高橋正光, 鈴木秀俊
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋) 日本応用物理学会
Event date： 2018.9.18 - 2018.9.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋
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GaAs基板上GaAsN薄膜の原子層エピタキシー成長中における表面反応過程の研究
田尻彩夏, 河野将大, 原口智宏, 鈴木秀俊
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (札幌) 学振１７５委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：札幌
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ALE 法を用いて作製したGaAsN 薄膜のアニール処理による N 分布と電気特性の関係
河野将大, 上田大貴, 原口智宏, 鈴木秀俊
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (札幌) 学振１７５委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：札幌
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歪緩和層を挿入した超格子太陽電池のキ ャリア輸送メカニズム
魯家男, 中村翼, 鈴木秀俊. 碇哲雄, 杉山正和, 福山 敦彦
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (札幌) 学振１７５委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：札幌
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Effect of Light Irradiation Carrier Mobility of n-type and p-type Si Substrates for Solar Cell Application International conference
A. Fukuyama, S. Tategami, K. Takauchi, N. Matsuda, T. Nakamura, H. Suzuki, K. Nishioka, T. Ikari
7th World Conference on Photovoltaic Energy Conference (Waikoloa, Hawaii) IEEE
Event date： 2018.6.10 - 2018.6.15
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Waikoloa, Hawaii
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超格子太陽電池におけるシュタルクラダー状態下でのキャリア輸送特性
中村 翼、鈴木 秀俊、碇 哲雄、杉山 正和、福山 敦彦
第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田大学西早稲田キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2018.3.17 - 2018.3.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：早稲田大学西早稲田キャンパス
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Effects of Temperature and Time on Growth of Ge Thin Film on Si (001) substrate using tBGe
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Mechanism analysis of strain relaxation by three dimensional reciprocal space mapping
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Influence of laser annealing on crystal quality of GaAs films grown on Si (001) substrats at low temperature
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Investigation of surface reaction processes during GaAsN thin film growth on GaAs substrate by atomic layer epitaxy
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Electrical Properties of GaAsN Films with Different N Distribution Grown by Atomic Layer Epitaxy
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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放射光を用いたGaAsSb/GaAs(001)格子緩和異方性の成長中その場測定
結城正也, 奧谷哲, 鈴木秀俊
第46回結晶成長国内会議 (ホテルコンコルド浜松) 日本結晶成長学会
Event date： 2017.11.27 - 2017.11.29
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ホテルコンコルド浜松
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低温成長させたSi(001)基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響
金子翔一, 戒能賢治, 鈴木秀俊
第46回結晶成長国内会議 (ホテルコンコルド浜松) 日本結晶成長学会
Event date： 2017.11.27 - 2017.11.29
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ホテルコンコルド浜松
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INFLUENCE OF LASER ANNEALING ON CRYSTAL QUALITY OF GaAs THIN FILMS GROWN ON SI (001) SUBSTRATE International conference
K. Kaino, H. Yoshidome, K. Maeda, T. Ikari, A. Fukuyama, H. Suzuki
27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan)
Event date： 2017.11.12 - 2017.11.17
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan
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INVESTIGATION OF CARRIER TRANSPORT MECHANISM IN SUPERLATTICE SOLAR CELLS WITH STRAIN RELAXATION LAYER International conference
H. Takeda, T. Nakamura, J. Lu, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, T. Ikari, A. Fukuyama
27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan)
Event date： 2017.11.12 - 2017.11.17
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan
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EFFECTS OF GE BUFFER LAYER PREPARED BY PULSE-JET EPITAXY ON CRYSTAL QUALITY OF GAAS FILM GROWN ON SI (001) SUBSTRATE International conference
H. Suzuki, T. Yamauchi, O. Elleuch, Y. Wang, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi
27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan)
Event date： 2017.11.12 - 2017.11.17
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan
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SURFACE REACTION PROCESS OF GE THIN FILM ON Si AND GaAs SUBSTRATE BY PULSED-JET EPITAXY APPARATUS International conference
M. Kawano, T. Yamauchi, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Machida, Y. Ohshita, H. Suzuki
27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan)
Event date： 2017.11.12 - 2017.11.17
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan
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THE EFFECTS OF Ga PRE-EVAPORATION ON THE CRYSTAL QUALITY OF GaAs THIN FILM GROWN ON Si (113) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY International conference
T. Okuya, M. Yuki, T. Ikari, A. Fukuyama, H. Suzuki
27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan)
Event date： 2017.11.12 - 2017.11.17
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Japan
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偏光ラマン測定を用いたGaAsN薄膜のアニール処理が及ぼす影響の評価
和田 季己, 橋本 英明, 横山 祐貴, 前田 幸治, 鈴木 秀俊
第７８回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2017.9.5 - 2017.9.8
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場
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フォトルミネッセンス法による超格子太陽電池のキャリア輸送特性評価
中村 翼, 武田 秀明, 魯 家男, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄,トープラサートポン カシディット, 杉山 正和, 福山 敦彦
第７８回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2017.9.5 - 2017.9.8
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場
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原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価
上田 大貴, 横山 祐貴, 原口 智宏, 山内 俊浩, 鈴木 秀俊
第７８回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2017.9.5 - 2017.9.8
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場
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tBGeを用いたパルスジェットエピタキシー装置によるSi(001)基板上へのGe薄膜の成長
秋田 裕紀, 河野 将大, 原口 智宏, 山内 俊浩, 鈴木 秀俊
第７８回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2017.9.5 - 2017.9.8
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場
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MBE 法を用いて作製した Ga 事前供給 GaAs on Si(113)の結晶性の評価
奥谷 哲、結城 正也、碇 哲雄、福山 敦彦、鈴木 秀俊
第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会
Event date： 2017.3.14 - 2017.3.17
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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疑似太陽光照射による単結晶Si基板のキャリア移動度変化
立神 秀弥、髙内 健二郎、德田 直樹、鈴木 秀俊、碇 哲雄、西岡 賢祐、福山 敦彦
第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会
Event date： 2017.3.14 - 2017.3.17
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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Si基板上GaAs薄膜のレーザーアニールによる結晶性への影響
戒能 賢治、吉留 寛貴、前田 幸冶、碇 哲雄、福山 敦彦、鈴木 秀俊
第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 応用物理学会
Event date： 2017.3.14 - 2017.3.17
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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新規Ge原料 t-C4H9GeH3のSiもしくはGaAs基板上における表面反応過程
河野将大,山内俊浩,石川真人,須藤弘,町田英明,大下祥雄,鈴木秀俊
第36回表面科学学術講演会 (名古屋国際会議場) 日本表面科学会
Event date： 2016.11.29 - 2016.12.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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Ge thin film growth on Si (001) substrates using tBGe for buffer layer of GaAs/Si structure International conference
Hidetoshi Suzuki, Toshihiro Yamauchi, Masahiro Kawano, Yoshio Ohshita, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Atsuhiko Fukuyama
The 7th international symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (Sheraton Kona Resort &Spa at Keauhou Bayk, Kona, Hawaii) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第145委員会
Event date： 2016.11.21 - 2016.11.25
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Sheraton Kona Resort &Spa at Keauhou Bayk, Kona, Hawaii
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The influence of substrate orientation on strain relaxation mechanisms of InGaAs layer grown on vicinal GaAs substrates measured by in situ X-ray diffraction International conference
H. Suzuki, T. Sasaki, M. Takahasi, Y. Ohshita, N. Kojima, I. Kamiya, A. Fukuyama, T. Ikari, M. Yamaguchi
The 26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (Marina Bay Sands Sands Expo and Convention Centere, Singapore) Solar Energy Resarch Institute of Singapore
Event date： 2016.10.24 - 2016.10.28
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Marina Bay Sands Sands Expo and Convention Centere, Singapore
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Nucleation layer grown by atomic layer deposition for selective-area growth of GaAs on patterned Si substrates by using chemical beam epitaxy International conference
Yu-Cian Wang, Hidetoshi Suzuki, Yuki Yokoyama, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita,Masafumi Yamaguchi
The 26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (Marina Bay Sands Sands Expo and Convention Centere, Singapore) Solar Energy Resarch Institute of Singapore
Event date： 2016.10.24 - 2016.10.28
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Marina Bay Sands Sands Expo and Convention Centere, Singapore
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The Influence of Substrate Orientation on Localized Nitrogen State in GaAsN films Grown on Vicinal GaAs (001) Substrates International conference
Masaru Horikiri, Wen Ding, Yuki Yokoyama, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, and Atsuhiko Fukuyama
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba International Congress Center) SSDM2016 Organizing committee
Event date： 2016.9.26 - 2016.9.29
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Tsukuba International Congress Center
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ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響
横山 祐貴、堀切 将、原口 智宏、山内 俊浩、鈴木 秀俊、碇 哲雄、福山 敦彦
第77回 応用物理学会秋季学術講演会 (朱鷺メッセ) 応用物理学会
Event date： 2016.9.13 - 2016.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ
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Effects of Si Gas Flow Sequence on Electrical Characteristics of GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy International conference
Y. Yokoyama, M. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari,,A. Fukuyama
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Nagoya Congress Center) 日本結晶成長学会、日本学術会議、日本応用物理学会
Event date： 2016.8.7 - 2016.8.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya Congress Center
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Crystal Growth of GaAs on High Indexed Si Substrates for Multi-Junction Solar Cells International conference
Ittetsu Harada, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Oregon Convention Center) IEEE
Event date： 2016.6.5 - 2016.6.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Oregon Convention Center
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フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価
武田秀明, 中村翼, 松落高輝, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦, K. Toprasertpong, 杉山正和, 中野義昭
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡
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Ga原料の違いがALE成長GaAsN薄膜の結晶性および電気特性に与える影響
河野将大, 横山祐貴, 堀切将, 山内俊浩, 原口智宏, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡
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MBE法を用いて高指数Si(11L)基板上に作製した GaAsの結晶評価
奥谷哲, 原田一徹, 福山敦彦, 碇哲雄, 鈴木秀俊
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡
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原子層エピタキシー法により成長温度及び原料供給時間を変化させて作製したGaAsN薄膜のX線回折及びラマン分光法による結晶性の評価
橋本 英明, 前田 幸治, 横山 祐貴, 堀切 将 鈴木 秀俊
第63回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学大岡山キャンパス) 日本応用物理学会
Event date： 2016.3.19 - 2016.3.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学大岡山キャンパス
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GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響
横山 祐貴, 堀切 将, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦 他２名
第63回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学大岡山キャンパス) 日本応用物理学会
Event date： 2016.3.19 - 2016.3.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学大岡山キャンパス
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Real time study of strain relaxation in lattice mismatchied InGaAs/GaAs for future tandem III-V solar cells International conference
Y. Ohshita, H. Suzuki, I. Kamiya, K. Ikeda, T. Sasaki, M. Takahasi
EMN meeting on Photovoltaics 2016 (香港) Energy, Materials, and Nanotechnology
Event date： 2016.1.18 - 2016.1.21
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：香港
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GaAsN 薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi 供給順序が電気特性に与える影響
堀切 将, 横山 裕貴, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦
平成27年度応用物理学会九州支部講演会 (琉球大学工学部) 応用物理学会九州支部
Event date： 2015.12.5 - 2015.12.6
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：琉球大学工学部
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原料ガス断続供給法によるSi(111)基板上にGaAs ナノワイヤ作製と各種成長条件の影響
上村 健二, 仲川 豪志, 吉留 寛貴, 鈴木 秀俊, 境 健太郎, 前田 幸治
平成27年度応用物理学会九州支部講演会 (琉球大学工学部) 応用物理学会九州支部
Event date： 2015.12.5 - 2015.12.6
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：琉球大学工学部
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MBE法によるSi(11L )基板上のGaAs成長と結晶性評価
原田一徹, 鈴木秀俊, 福山敦彦
第45回結晶成長国内会議 (北海道大学学術交流会館) 日本結晶成長学会
Event date： 2015.10.19 - 2015.10.21
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学学術交流会館
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ALE法を用いたGaAsN薄膜成長におけるSiドープが電気的特性へ及ぼす影響
横山 祐貴, 前田 幸治, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦 他３名
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2015.9.13 - 2015.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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ラマン分光法による原料ガス断続供給により作製した金を触媒としたGaAsナノワイヤの結晶性の評価
吉留 寛貴、前田 幸治、上村 健二、仲川 豪志、鈴木 秀俊、境 健太郎
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2015.9.13 - 2015.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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Control of thickness and residual impurity inclusion of GaAsN thin films grown by an Atomic Layer Epitaxy
Y. Yokoyama, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama
The 34th Electronic Materials Symposium (ラフォーレ琵琶湖) EMS34 実行委員会
Event date： 2015.7.15 - 2015.7.17
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ琵琶湖
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表面光起電力法を用いたGaAs/Si太陽電池におけるバッファー層の評価
徳田直樹、堀切将、丁文、李垚、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎
第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (郡山市（磐梯熱海）) 学振175委員会
Event date： 2015.5.28 - 2015.5.29
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：郡山市（磐梯熱海）
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原子層エピタキシー成長GaAsNにおけるSiドーピング供給順序変化が薄膜の結晶性・成長速度に与える影響
堀切将、横山祐貴、原口智宏、山内俊浩、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄
第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (郡山市) 学振175委員会
Event date： 2015.5.28 - 2015.5.29
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：郡山市
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Control of Hydrogen and Carbon Impurity Inclusion During the Growth of GaAsN Thin Film by an Atomic Layer Epitaxy International conference
Y. Yokoyama, T. Yamauchi, T. Haraguchi, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (名古屋大学) The Japan Society of Applied Physics ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 Organizing Committee
Event date： 2015.3.26 - 2015.3.31
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋大学
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Siクラスレート薄膜のNa含有量と結晶歪みのヨウ素処理依存性
竹下 博高、境 健太郎、原口 智宏、鈴木 秀俊、大橋 史隆、久米 徹二、福山 敦彦、野々村 修一、碇 哲雄
第62回応用物理学会春期学術講演会 (東海大学湘南キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2015.3.11 - 2015.3.14
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東海大学湘南キャンパス
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高効率多接合太陽電池応用を目指したIII-V族化合物半導体の結晶成長
鈴木秀俊
第6回半導体材料・デバイスフォーラム (都城ロイヤルホテル) 都城工業高等専門学校、熊本高等専門学校
Event date： 2014.12.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：都城ロイヤルホテル
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on-Destructive Investigation of Photovoltaic Performance of GaAs p-n Junction Grown on Si Substrate Using Surface Photo-voltage Spectroscopy International conference
W. Ding, K. Kawano, Y, Li, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, O. Morohara, H. Geka, Y. Moriyasu, K. Ikeda, N. Kojima, M. Yamaguchi
第6回太陽電池世界会議 (京都国際会議場) WCPEC-6 Organizing Committee
Event date： 2014.11.23 - 2014.11.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：京都国際会議場
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Si Doping in Atomic Layer Epitaxy of GaAsN Thin Films For Multi-Junction Solar Cells International conference
H. Suzuki, T. Yamauchi, T. Haraguchi, A. Fukuyama, T. Ikari
第6回太陽電池世界会議 (京都国際会議場) WCPEC-6 Organizing Committee
Event date： 2014.11.23 - 2014.11.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：京都国際会議場
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Demonstration of the Mini-band Investigation in Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells by Combination of a Piezoelectric Photothermal and Photoreflectance Spectroscopies International conference
T. Aihara, T. Murakami, H. Kuradome, T. Sugimoto, H. Suzuki,A. Fukuyama, T. Ikari, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano
第6回太陽電池世界会議 (京都国際会議場) WCPEC-6 Organizing Committee
Event date： 2014.11.23 - 2014.11.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：京都国際会議場
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In situ X-ray Diffraction Study of Strain Relaxation Process of Lattice-mismatched InGaAs / GaAs International conference
D. Kodera, T. Nishi, K. Ikeda, T. Sasaki, M. Takahasi, H. Suzuki, N. Nakamura, Y. Ohshita, N. kojima, I. Kamiya, M. Yamaguchi
第6回太陽電池世界会議 (京都国際会議場) WCPEC-6 Organizing Committee
Event date： 2014.11.23 - 2014.11.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：京都国際会議場
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多接合太陽電池応用を目指したInGaAs/GaAs格子緩和初期過程のX線トポグラフィ観察
鈴木秀俊
SAGA-LS 実験技術セミナー「X線トポグラフィの基礎と応用」 (九州シンクロトロン光研究センター) 九州シンクロトロン光研究センター
Event date： 2014.10.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：九州シンクロトロン光研究センター
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原子層エピタキシーを用いたSiドープGaAsN薄膜における不純物混入過程
横山祐貴，原口智宏，山内俊浩，鈴木秀俊，福山敦彦，碇哲雄
第75回 応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2014.9.17 - 2014.9.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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圧電素子光熱分光法を用いた超格子太陽電池のミニバンド評価
相原健人，村上匠，倉留弘憲，杉本泰士，鈴木秀俊，福山敦彦，杉山正和，中野義昭，碇哲雄
第75回 応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2014.9.17 - 2014.9.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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GaAs基板の傾斜方向がInGaAs膜中緩和過程に与える影響 -X線回折その場観察-
小寺大介，佐々木拓生，高橋正光，神谷格，大下祥雄，小島信晃，山口真史，鈴木秀俊
第75回 応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2014.9.17 - 2014.9.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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Microstructure of Nitrogen-Induced Localized State in GaAsN Thin Films Grown by Chemical Beam Epitaxy International conference
A. Fukuyama, D. Weng, A. Suzuki, H. Suzuki, T. Ikari, Y. Ohshita, M. Yamaguchi
40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Denver, Colorado, USA) IEEE
Event date： 2014.6.8 - 2014.6.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Denver, Colorado, USA
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Effect of interatomic distance of constituent nitrogen atoms on its localized electronic state in dilute GaAsN thin films investigated by a photoreflectance spectroscopy International conference
W. Ding. G. Morioka, A. Suzuki, H. Suzuki, A. Fukuyama, M. Yamaguchi, T. Ikari
European Materials Research Society 2014 Spring Meeting (Lille France) European Materials Research Society
Event date： 2014.5.26 - 2014.5.30
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lille France
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Growth of GaAs nanowires on the selective areas of patterned Si (001) substrate International conference
H. Suzuki, D. Kodera, H. Haga, I. Harada, A. Fukuyama, T. Ikari, Y. Ohshita
European Materials Research Society 2014 Spring Meeting (Lille France) European Materials Research Society
Event date： 2014.5.26 - 2014.5.30
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lille France
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Epitaxial growth of guest-free Si clathrate film on Si substrate for new solar cell device structure application International conference
K. Sakai, T. Haraguchi, F. Ohashi, T. Kume, H. Suzuki, A. Fukuyama, S. Nonomura, T. Ikari
European Materials Research Society 2014 Spring Meeting (Lille France) European Materials Research Society
Event date： 2014.5.26 - 2014.5.30
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Lille France
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Silicon clathrate fabricated as a new photovoltaic material International conference
T. Kume, F. Ohashi, T. Ban, K. Sakai, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, S. Nonomura
European Materials Research Society 2014 Spring Meeting (Lille France) European Materials Research Society
Event date： 2014.5.26 - 2014.5.30
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lille France
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In situ observation of strain relaxation during growth interruption in latticemismatched III-V heteroepitaxy International conference
Y. Ohshita, T. Nishi, D. Kodera, K. Ikeda, K. Shimomura, H. Suzuki, T. Sasaki, I. Kamiya, M. Takahasi
European Materials Research Society 2014 Spring Meeting (Lille France) European Materials Research Society
Event date： 2014.5.26 - 2014.5.30
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lille France