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有機金属気相成長法によって作製されたInAs/GaAsSb 超格子のAs組成比による発光の変化
奥田 大晴、荒井 昌和、藤澤 剛、鈴木 秀俊、前田 幸治
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.16
Event date： 2025.3.14 - 2025.3.17
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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逆積み式InGaAs太陽電池における成長層傾斜不均一の発生位置の評価
栗崎皋成、鈴木秀俊、小倉暁雄、今泉充
2024年応用物理学会九州支部学術講演会 2024.12.8
Event date： 2024.12.7 - 2024.12.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Growth and evaluation of GaAsN films with different N distribution grown by atomic layer epitaxy International conference
Hayato Koto, Masahiro Kawano, Hidetoshi Suzuki
35th International Photovoltaic Sicence and Engineering Conference 2024.11.14
Event date： 2024.11.10 - 2024.11.15
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Effects of Intentionally changed nitrogen distribution on nitrogen localized level in GaAsN thin films International conference
Kyosuke Yamashita, Tomoki Harada, Masahiro Kawano, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024.9.3
Event date： 2024.9.1 - 2024.9.4
Language：English Presentation type：Poster presentation
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GaAs基板上InGaAsバッファ層を用いたType-Ⅱ量子井戸の成長と評価
高島 陸人、本部 好記、臼井 一旗、國武 幸一郎、鈴木 秀俊、荒井 昌和
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.22
Event date： 2024.3.22 - 2024.3.25
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Relationships between Distribution of Dislocation Glide Planes and Carrier Recombination Properties in InGaAs Solar Cells Using Microwave Photoconductivity Decay Mapping and Photoluminescence Spectroscopy International conference
Harada S., Suzuki H., Ogura A., Imaizumi M., Ikari T., Fukuyama A.
28th Microoptics Conference, MOC 2023
Event date： 2023.9.24 - 2023.9.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Photoluminescence Intensity Dependence of InGaAs MQW on Relaxation Layer Composition on GaAs Substrate International conference
Usui K., Hombu K., Suzuki H., Arai M.
28th Microoptics Conference, MOC 2023
Event date： 2023.9.24 - 2023.9.27
Language：English Presentation type：Poster presentation
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微傾斜GaAs基板上にALE法を用いて成長方向と面内方向にN分布を制御したGaAsN薄膜の作製
平川 翔太、河野 将大、高木 俊作、鈴木 秀俊
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.20
Event date： 2023.9.19 - 2023.9.23
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Mapping of Dislocation-Related Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs Solar Cells Using a Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method International conference
Shogo Harada, Tomoki Harada, Hidetoshi Suzuki, Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023.9.7
Event date： 2023.9.5 - 2023.9.8
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Effects of the distribution of dislocation glide planes on electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells International conference
Hidetoshi Suzuki1, Kosei Kurisaki, Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Atsuhiko Fukuyama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023.9.7
Event date： 2023.9.5 - 2023.9.8
Language：English Presentation type：Poster presentation
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GaAs基板上InGaAs格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査
臼井 一旗、本部 好記、鈴木 秀俊、荒井 昌和
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16
Event date： 2023.3.15 - 2023.3.18
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Relationships between the distribution of dislocation glide planes and electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells International conference
Junya Okubo1, Akio Ogura2, Masahiro Kawano1, Shogo Harada1, Kosuke Morita1, Hiroki Ohyama, Tomoki Harada, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama, Mitsuru Imaizumi, Hidetoshi Suzuki
33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2022.11.15
Event date： 2022.11.13 - 2022.11.15
Language：English Presentation type：Poster presentation
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転位すべり面に偏りのあるInGaAs太陽電池の非発光再結合マッピング評価
原田 尚吾、森田 浩右、大山 博暉、原田 知季、大窪 純矢、鈴木 秀俊、小倉 暁雄、今泉 充、碇 哲雄、福山 敦彦
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (東北大学) 2022.9.22 日本応用物理学会
Event date： 2022.9.20 - 2022.9.23
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学
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Porous Si基板の孔の深さがGaAs薄膜成長に与える影響
源 龍之介、河野 将大、藤岡 宏輔、鈴木 秀俊
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (東北大学) 2022.9.22 日本応用物理学会
Event date： 2022.9.20 - 2022.9.23
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学
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原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
高木 俊作、河野 将大、中島 凌、鈴木 秀俊
第69回応用物理学会春季学術講演会 (青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン) 2022.3.23 応用物理学会
Event date： 2022.3.22 - 2022.3.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン
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逆積み格子不整合系InGaAs太陽電池の逆格子マッピングによる転位すべり面の解析
大窪 純矢、河野 将大、田澤 昂大、鈴木 秀俊、小倉 暁雄、今泉 充
第69回応用物理学会春季学術講演会 (青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン) 2022.3.23 応用物理学会
Event date： 2022.3.22 - 2022.3.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン
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逆積み格子不整合系InGaAs太陽電池の転位すべり面と電気特性の関係
小倉 暁雄、鈴木 秀俊、大島 隆治、菅谷 武芳、今泉 充
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン) 2021.9.23 応用物理学会
Event date： 2021.9.21 - 2021.9.23
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
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ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
中島 凌、河野 将大、峰松 遼、原口 智宏、鈴木 秀俊
第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン) 応用物理学会
Event date： 2021.3.16 - 2021.3.19
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
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GaAsSb/GaAs(001)におけるSb偏析が格子緩和初期に及ぼす影響の評価
前田 健佑、久保 幸士朗、河野 将大、佐々木 拓生、高橋 正光、鈴木 秀俊
第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン) 応用物理学会
Event date： 2021.3.16 - 2021.3.19
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
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In situ Synchrotron X-ray Observation of Anisotropy in the initial stage Lattice Relaxation Processes of GaAsSb/GaAs(001) International conference
Koshiro Kubo, Shota Nogawa, Masahiro Kawano, Takuo Sasaki, Masmitu Takahasi, Hidetoshi Suzuki
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (Online) SSDM2020 organizing committee
Event date： 2020.9.27 - 2020.9.30
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
In a multijunction solar cell, lattice-mismatched materials are stacked; however, the propagation of threading dislocations to the active layer due to strain relaxation is a major drawback. To understand the mechanism of strain relaxation, the anisotropic formation of misfit dislocations (MDs) during GaAsSb growth on the GaAs(001) substrate was observed by in situ three-dimensional reciprocal lattice mapping using synchrotron X-rays. In the initial stage of the relaxation process, anisotropic generation of alpha- and beta- MDs was observed. Therefore, we conclude that a high anisotropy in the initial stage is required to grow lattice-mismatched solar cells.