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The Influence of Substrate Orientation on Localized Nitrogen State in GaAsN films Grown on Vicinal GaAs (001) Substrates International conference
Masaru Horikiri, Wen Ding, Yuki Yokoyama, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, and Atsuhiko Fukuyama
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba International Congress Center) SSDM2016 Organizing committee
Event date： 2016.9.26 - 2016.9.29
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Tsukuba International Congress Center
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ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響
横山 祐貴、堀切 将、原口 智宏、山内 俊浩、鈴木 秀俊、碇 哲雄、福山 敦彦
第77回 応用物理学会秋季学術講演会 (朱鷺メッセ) 応用物理学会
Event date： 2016.9.13 - 2016.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ
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Effects of Si Gas Flow Sequence on Electrical Characteristics of GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy International conference
Y. Yokoyama, M. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari,,A. Fukuyama
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Nagoya Congress Center) 日本結晶成長学会、日本学術会議、日本応用物理学会
Event date： 2016.8.7 - 2016.8.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya Congress Center
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Crystal Growth of GaAs on High Indexed Si Substrates for Multi-Junction Solar Cells International conference
Ittetsu Harada, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Oregon Convention Center) IEEE
Event date： 2016.6.5 - 2016.6.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Oregon Convention Center
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フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価
武田秀明, 中村翼, 松落高輝, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦, K. Toprasertpong, 杉山正和, 中野義昭
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡
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Ga原料の違いがALE成長GaAsN薄膜の結晶性および電気特性に与える影響
河野将大, 横山祐貴, 堀切将, 山内俊浩, 原口智宏, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡
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MBE法を用いて高指数Si(11L)基板上に作製した GaAsの結晶評価
奥谷哲, 原田一徹, 福山敦彦, 碇哲雄, 鈴木秀俊
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡) 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡
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原子層エピタキシー法により成長温度及び原料供給時間を変化させて作製したGaAsN薄膜のX線回折及びラマン分光法による結晶性の評価
橋本 英明, 前田 幸治, 横山 祐貴, 堀切 将 鈴木 秀俊
第63回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学大岡山キャンパス) 日本応用物理学会
Event date： 2016.3.19 - 2016.3.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学大岡山キャンパス
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GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響
横山 祐貴, 堀切 将, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦 他２名
第63回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学大岡山キャンパス) 日本応用物理学会
Event date： 2016.3.19 - 2016.3.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学大岡山キャンパス
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Real time study of strain relaxation in lattice mismatchied InGaAs/GaAs for future tandem III-V solar cells International conference
Y. Ohshita, H. Suzuki, I. Kamiya, K. Ikeda, T. Sasaki, M. Takahasi
EMN meeting on Photovoltaics 2016 (香港) Energy, Materials, and Nanotechnology
Event date： 2016.1.18 - 2016.1.21
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：香港
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GaAsN 薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi 供給順序が電気特性に与える影響
堀切 将, 横山 裕貴, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦
平成27年度応用物理学会九州支部講演会 (琉球大学工学部) 応用物理学会九州支部
Event date： 2015.12.5 - 2015.12.6
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：琉球大学工学部
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原料ガス断続供給法によるSi(111)基板上にGaAs ナノワイヤ作製と各種成長条件の影響
上村 健二, 仲川 豪志, 吉留 寛貴, 鈴木 秀俊, 境 健太郎, 前田 幸治
平成27年度応用物理学会九州支部講演会 (琉球大学工学部) 応用物理学会九州支部
Event date： 2015.12.5 - 2015.12.6
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：琉球大学工学部
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MBE法によるSi(11L )基板上のGaAs成長と結晶性評価
原田一徹, 鈴木秀俊, 福山敦彦
第45回結晶成長国内会議 (北海道大学学術交流会館) 日本結晶成長学会
Event date： 2015.10.19 - 2015.10.21
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学学術交流会館
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ALE法を用いたGaAsN薄膜成長におけるSiドープが電気的特性へ及ぼす影響
横山 祐貴, 前田 幸治, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦 他３名
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2015.9.13 - 2015.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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ラマン分光法による原料ガス断続供給により作製した金を触媒としたGaAsナノワイヤの結晶性の評価
吉留 寛貴、前田 幸治、上村 健二、仲川 豪志、鈴木 秀俊、境 健太郎
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 日本応用物理学会
Event date： 2015.9.13 - 2015.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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Control of thickness and residual impurity inclusion of GaAsN thin films grown by an Atomic Layer Epitaxy
Y. Yokoyama, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama
The 34th Electronic Materials Symposium (ラフォーレ琵琶湖) EMS34 実行委員会
Event date： 2015.7.15 - 2015.7.17
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ琵琶湖
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表面光起電力法を用いたGaAs/Si太陽電池におけるバッファー層の評価
徳田直樹、堀切将、丁文、李垚、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎
第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (郡山市（磐梯熱海）) 学振175委員会
Event date： 2015.5.28 - 2015.5.29
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：郡山市（磐梯熱海）
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原子層エピタキシー成長GaAsNにおけるSiドーピング供給順序変化が薄膜の結晶性・成長速度に与える影響
堀切将、横山祐貴、原口智宏、山内俊浩、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄
第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (郡山市) 学振175委員会
Event date： 2015.5.28 - 2015.5.29
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：郡山市
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Control of Hydrogen and Carbon Impurity Inclusion During the Growth of GaAsN Thin Film by an Atomic Layer Epitaxy International conference
Y. Yokoyama, T. Yamauchi, T. Haraguchi, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (名古屋大学) The Japan Society of Applied Physics ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015 Organizing Committee
Event date： 2015.3.26 - 2015.3.31
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋大学
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Siクラスレート薄膜のNa含有量と結晶歪みのヨウ素処理依存性
竹下 博高、境 健太郎、原口 智宏、鈴木 秀俊、大橋 史隆、久米 徹二、福山 敦彦、野々村 修一、碇 哲雄
第62回応用物理学会春期学術講演会 (東海大学湘南キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2015.3.11 - 2015.3.14
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東海大学湘南キャンパス