Presentations -
-
[講演奨励賞受賞記念講演] X線その場観察法を用いたGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和初期における異方性評価
久保 幸士朗, 野川 翔太, 河野 将大, 佐々木 拓生, 高橋 正光, 鈴木 秀俊
第67回応用物理学会春季学術講演会 (東京都千代田区 上智大学) 日本応用物理学会
Event date： 2020.3.12 - 2020.3.15
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都千代田区 上智大学
-
Inhomogeneous distribution of misfit dislocations in metamorphic InGaAs solar cells International conference
Shota Nogawa, Akio Ogura, Masahiro Kawano, Kubo Koushirou, Mitsuru Imaizumi, Hidetoshi Suzuki
The 19th International Conference on Solid Films and Surfaces (Hiroshima)
Event date： 2019.10.6 - 2019.10.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hiroshima
-
ALE 法で意図的に N 分布を変化させたGaAsN 薄膜のアニール温度の電気特性への影響
峰松 遼、河野 将大、原口 智宏、鈴木 秀俊
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学) 応用物理学会
Event date： 2019.9.18 - 2019.9.21
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
-
成長温度の異なるGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性評価
久保 幸士朗、野川 翔太、河野 将大、佐々木 拓生、高橋 正光、鈴木 秀俊
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学) 応用物理学会
Event date： 2019.9.18 - 2019.9.21
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
-
InGaP 傾斜組成バッファー層を用いたGaAs 基板上 InGaAs 太陽電池の格子緩和不均一性
鈴木秀俊
第9回次世代太陽電池用新材料研究会 (Hokkaido) プロジェクト「EFCIV」
Event date： 2019.9.16 - 2019.9.17
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hokkaido
-
Cathodoluminescence study on graded buffer layers of metamorphic single junction III-V solar cells
Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Wei Yi, Jun Chen, Hidetoshi Suzuki
International Conference on nDefects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII) (Berlin)
Event date： 2019.9.8 - 2019.9.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Berlin
-
Growth and Evaluation of GaAsN Films With Different N Distribution Grown by Atomic Layer Epitaxy International conference
Masahiro Kawano, Ryo Minematsu, Tomohiro Haraguchi, Atsuhiko Fukuyama, Hidetoshi SUZUKI
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (Nagoya) SSDM2019 organizing committee
Event date： 2019.9.2 - 2019.9.5
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya
-
ANALYSIS ON RELATIONS BETWEEN ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MISFIT DISLOCATIONS OF METAMORPHIC SINGLE JUNCTION SOLAR CELLS International conference
Akio Ogura, Hidetoshi Suzuki, Mitsuru Imaizumi
19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Keystone, Colorado, USA)
Event date： 2019.7.28 - 2019.8.2
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Keystone, Colorado, USA
-
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
河野将大, 上田大貴, 峰松遼, 原口智宏, 鈴木秀俊
第66回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学) 日本応用物理学会
Event date： 2019.3.9 - 2019.3.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学
-
tBGeを用いたSi(001)基板上へのGe薄膜成長における成長温度の影響
岩本晃一郎, 秋田裕紀, 白倉翔太郎, 河野将大, 鈴木秀俊
第66回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学) 日本応用物理学会
Event date： 2019.3.9 - 2019.3.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学
-
基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響
金子翔一, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋) 日本応用物理学会
Event date： 2018.9.18 - 2018.9.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋
-
GaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性による歪み緩和への影響
結城正也, 野川翔太, 荒井昌和, 大下祥雄, 佐々木拓生, 高橋正光, 鈴木秀俊
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋) 日本応用物理学会
Event date： 2018.9.18 - 2018.9.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋
-
GaAs基板上GaAsN薄膜の原子層エピタキシー成長中における表面反応過程の研究
田尻彩夏, 河野将大, 原口智宏, 鈴木秀俊
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (札幌) 学振１７５委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：札幌
-
ALE 法を用いて作製したGaAsN 薄膜のアニール処理による N 分布と電気特性の関係
河野将大, 上田大貴, 原口智宏, 鈴木秀俊
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (札幌) 学振１７５委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：札幌
-
歪緩和層を挿入した超格子太陽電池のキ ャリア輸送メカニズム
魯家男, 中村翼, 鈴木秀俊. 碇哲雄, 杉山正和, 福山 敦彦
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (札幌) 学振１７５委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：札幌
-
Effect of Light Irradiation Carrier Mobility of n-type and p-type Si Substrates for Solar Cell Application International conference
A. Fukuyama, S. Tategami, K. Takauchi, N. Matsuda, T. Nakamura, H. Suzuki, K. Nishioka, T. Ikari
7th World Conference on Photovoltaic Energy Conference (Waikoloa, Hawaii) IEEE
Event date： 2018.6.10 - 2018.6.15
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Waikoloa, Hawaii
-
超格子太陽電池におけるシュタルクラダー状態下でのキャリア輸送特性
中村 翼、鈴木 秀俊、碇 哲雄、杉山 正和、福山 敦彦
第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田大学西早稲田キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2018.3.17 - 2018.3.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：早稲田大学西早稲田キャンパス
-
Effects of Temperature and Time on Growth of Ge Thin Film on Si (001) substrate using tBGe
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
-
Mechanism analysis of strain relaxation by three dimensional reciprocal space mapping
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
-
Influence of laser annealing on crystal quality of GaAs films grown on Si (001) substrats at low temperature
Event date： 2017.12.1 - 2017.12.3
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)