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所属 |
工学教育研究部 工学科応用物理工学プログラム担当 |
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職名 |
准教授 |
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外部リンク |
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論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Surface Morphology Improvement by Diethylzinc Doping on Metamorphic InAs on GaAs Using MOVPE 査読あり
Masakazu Arai, Shota Nakagawa, Koki Hombu, Yasushi Hirata, Koji Maeda
Journal of Crystal Growth 2023年5月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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分光反射率から算出した植生指数によるローズグラスの粗タンパク質含量推定の検討 査読あり
荒井昌和, 中村渓士郎, 石垣元気
日本草地学会誌 69 ( 1 ) 2023年4月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrode Shape Dependence of InGaAsP Photovoltaic Characteristics under Laser Irradiation for Optical Wireless and Fiber Power Transmission 査読あり
Masakazu ARAI, Akira KUSHIYAMA, Yuga MOTOMURA, and Kensuke NISHIOKA
The Review of Laser Engineering 51 ( 3 ) 171 - 175 2023年3月
担当区分：筆頭著者, 最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Wide Wavelength Range Emission from InAs/GaSb Type-II Superlattice Grown by MOVPE
Arai M., Iwakiri Y., Fujisawa T., Maeda K.
Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference 2022-October 2022年
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス） 出版者・発行元：Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
We investigated the emission wavelength shift of type-II InAs/ GaSb superlattice on InAs substrate grown by MOVPE. With increasing the injection carrier density, very wide wavelength range emission over 2000 nm was observed. Calculated spectrum using k p perturbation method show the same tendency.
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LiDARとドローンを用いた牧草の収量推定 査読あり
荒井昌和，庄中原，中村渓士郎，石垣元気，小川将克
レーザー研究 第49巻 ( 第10号 ) 2021年10月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
MISC 【 表示 ／ 非表示 】
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Miyake H., Sugiyama M., Miyamoto Y., Arai M., Kumakura K., Nitta S., Arita M., Katayama R., Irisawa T., Higashiwaki M., Tomioka K.
Journal of Crystal Growth 531 2020年2月
記述言語：日本語 掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌） 出版者・発行元：Journal of Crystal Growth
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Design and fabrication of double-cavity tunable filter using micromachined structure
Janto W., Amano T., Koyama F., Matsutani A., Kondo T., Arai M.
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 7 B ) 2003年7月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
We propose a micromachined tunable optical filter with a double-cavity structure, which exhibits a sharper and flatter filter response than a conventional single-cavity tiller, resulting in lower interchannel crosstalk and lower insertion loss. The possibility of using widely tunable tillers in 200-GHz-spacing wavelcngth-division-multiplexing (WDM) systems is presented. In addition, a lower tuning voltage can be achieved with thinner movable cantilevers. We have fabricated a double-cavity cavity filter with 7.5-pair top, 23.5-pair middle and 3.5-pair bottom GaAs/GaAlAs multilayer mirrors. The filter provides a better shape factor of reflection spectra of 0.41 than a single-cavity filter.
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Effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells
Kondo T., Arai M., Azuchi M., Uchida T., Miyamoto T., Koyama F.
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 41 ( 6 A ) 2002年6月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
We determine the effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells (QWs) grown on a (100) n-type GaAs substrate by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy. Highly strained QWs suffer from degradation caused by high-temperature thermal annealing due to its high strain and it is indicated that the overgrowth temperature should be decreased. The comparison of the annealing effects with and without a GaInAs strained buffer layer (SBL) inserted below QWs was carried out. The SBL is effective in maintaining the good crystal quality of highly strained QWs after the overgrowth.
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Makino S., Miyamoto T., Kageyama T., Ikenaga Y., Arai M., Koyama F., Iga K.
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 40 ( 11 B ) 2001年11月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
The thermal annealing process in effective to improve the optical quality of GaInNAs/GaAs quantum wells (QWs). However, a blue shift of the emission peak wavelength occurs during the annealing and it is strongly related to the annealing condition and the composition of GaInNAs/GaAs QWs. In this study, we investigated the dependences of both the annealing condition and the composition on the lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAs QW lasers.
講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】
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光ファイバを用いた牧草の反射スペクトル測定と粗タンパク質含量の相関調査
下村幸資、下田平昂大、坂倉光紀、西大貴、石垣元気、荒井昌和
日本草地学会札幌大会 2023年3月27日
開催年月日： 2023年3月26日 - 2023年3月28日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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光ファイバを用いたオンサイト蛍光測定による牧草の粗タンパク質含量推定の検討
下田平昂大、坂倉光紀、下村幸資、西大貴、石垣元気、荒井昌和
日本草地学会札幌大会 2023年3月28日
開催年月日： 2023年3月26日 - 2023年3月28日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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2 段階成長 InAs バッファを用いた GaAs 基板上 InAsSb/InAsP の歪補償構造と発光特性の調査
本部 好記 ，中川 翔太 , 岩切 優人 , 前田 幸治 ,荒井 昌和
応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
開催年月日： 2023年3月15日 - 2023年3月18日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaAs 基板上 InGaAs 格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査
臼井 一旗 ，本部 好記 ，鈴木 秀俊，荒井 昌和
応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
開催年月日： 2023年3月15日 - 2023年3月18日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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光ファイバを用いた牧草の反射・蛍光スペクトル測定
坂倉光紀, 下田平昂大，下村幸資, 西大貴, 石垣元気，荒井昌和
近赤外フォーラム 2022年11月16日
開催年月日： 2022年11月15日 - 2022年11月17日
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
受賞 【 表示 ／ 非表示 】
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最優秀賞
2023年3月 高等教育コンソーシアム宮崎 ハイパースペクトルカメラを用いた農産物の非破壊検査技術の開発
吉岡ひかり、下田平 昂大、荒井昌和
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞
科研費（文科省・学振・厚労省）獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】
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有機金属気相成長法によって作製した新規広帯域、中赤外発行する量子構造の開発
研究課題/領域番号：22K04245 2022年04月 - 2025年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
担当区分：研究分担者
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化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
研究課題/領域番号：21H01384 2021年 - 2024年03月
独立行政法人日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究（B）（一般）
担当区分：研究分担者
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光センシング用半導体素子の適用波長域を拡大させる新規材料と転位制御の研究
2016年04月 - 2019年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
担当区分：研究代表者
医療応用や環境ガスセンシング用の広帯域な半導体光源の実現のため、様々なバンドギャップ波長をもつ材料を、基板の格子定数の制限を超えて集積するための結晶成長技術を開発する。
授業 【 表示 ／ 非表示 】
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応用数学I（電物）
科目区分：専門教育科目
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工学英語I（電物・３年生用）
科目区分：共通教育科目
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電子物理工学実験II
科目区分：専門教育科目
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ヘテロ構造デバイス工学
科目区分：専門教育科目
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光センシング工学
科目区分：大学院科目（修士）