荒井 昌和 (アライ マサカズ)

ARAI Masakazu

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所属

工学教育研究部 工学科応用物理工学プログラム担当

職名

准教授

外部リンク

学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学) ( 2003年3月   東京工業大学 )

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Surface Morphology Improvement by Diethylzinc Doping on Metamorphic InAs on GaAs Using MOVPE 査読あり

    Masakazu Arai, Shota Nakagawa, Koki Hombu, Yasushi Hirata, Koji Maeda

    Journal of Crystal Growth   2023年5月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127274

  • 分光反射率から算出した植生指数によるローズグラスの粗タンパク質含量推定の検討 査読あり

    荒井昌和, 中村渓士郎, 石垣元気

    日本草地学会誌   69 ( 1 )   2023年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electrode Shape Dependence of InGaAsP Photovoltaic Characteristics under Laser Irradiation for Optical Wireless and Fiber Power Transmission 査読あり

    Masakazu ARAI, Akira KUSHIYAMA, Yuga MOTOMURA, and Kensuke NISHIOKA

    The Review of Laser Engineering   51 ( 3 )   171 - 175   2023年3月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Wide Wavelength Range Emission from InAs/GaSb Type-II Superlattice Grown by MOVPE

    Arai M., Iwakiri Y., Fujisawa T., Maeda K.

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2022-October   2022年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference  

    We investigated the emission wavelength shift of type-II InAs/ GaSb superlattice on InAs substrate grown by MOVPE. With increasing the injection carrier density, very wide wavelength range emission over 2000 nm was observed. Calculated spectrum using k p perturbation method show the same tendency.

    DOI: 10.23919/ISLC52947.2022.9943409

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  • LiDARとドローンを用いた牧草の収量推定 査読あり

    荒井昌和,庄中原,中村渓士郎,石垣元気,小川将克

    レーザー研究   第49巻 ( 第10号 )   2021年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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MISC 【 表示 / 非表示

  • Preface

    Miyake H., Sugiyama M., Miyamoto Y., Arai M., Kumakura K., Nitta S., Arita M., Katayama R., Irisawa T., Higashiwaki M., Tomioka K.

    Journal of Crystal Growth   531   2020年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125337

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  • Design and fabrication of double-cavity tunable filter using micromachined structure

    Janto W., Amano T., Koyama F., Matsutani A., Kondo T., Arai M.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   42 ( 7 B )   2003年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    We propose a micromachined tunable optical filter with a double-cavity structure, which exhibits a sharper and flatter filter response than a conventional single-cavity tiller, resulting in lower interchannel crosstalk and lower insertion loss. The possibility of using widely tunable tillers in 200-GHz-spacing wavelcngth-division-multiplexing (WDM) systems is presented. In addition, a lower tuning voltage can be achieved with thinner movable cantilevers. We have fabricated a double-cavity cavity filter with 7.5-pair top, 23.5-pair middle and 3.5-pair bottom GaAs/GaAlAs multilayer mirrors. The filter provides a better shape factor of reflection spectra of 0.41 than a single-cavity filter.

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  • Effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells

    Kondo T., Arai M., Azuchi M., Uchida T., Miyamoto T., Koyama F.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   41 ( 6 A )   2002年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    We determine the effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells (QWs) grown on a (100) n-type GaAs substrate by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy. Highly strained QWs suffer from degradation caused by high-temperature thermal annealing due to its high strain and it is indicated that the overgrowth temperature should be decreased. The comparison of the annealing effects with and without a GaInAs strained buffer layer (SBL) inserted below QWs was carried out. The SBL is effective in maintaining the good crystal quality of highly strained QWs after the overgrowth.

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  • Composition dependence of thermal annealing effect on 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by chemical beam epitaxy

    Makino S., Miyamoto T., Kageyama T., Ikenaga Y., Arai M., Koyama F., Iga K.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   40 ( 11 B )   2001年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters  

    The thermal annealing process in effective to improve the optical quality of GaInNAs/GaAs quantum wells (QWs). However, a blue shift of the emission peak wavelength occurs during the annealing and it is strongly related to the annealing condition and the composition of GaInNAs/GaAs QWs. In this study, we investigated the dependences of both the annealing condition and the composition on the lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAs QW lasers.

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • 光ファイバを用いたオンサイト蛍光測定による牧草の粗タンパク質含量推定の検討

    下田平昂大、坂倉光紀、下村幸資、西大貴、石垣元気、荒井昌和

    日本草地学会札幌大会  2023年3月28日 

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    開催年月日: 2023年3月26日 - 2023年3月28日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 光ファイバを用いた牧草の反射スペクトル測定と粗タンパク質含量の相関調査

    下村幸資、下田平昂大、坂倉光紀、西大貴、石垣元気、荒井昌和

    日本草地学会札幌大会  2023年3月27日 

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    開催年月日: 2023年3月26日 - 2023年3月28日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 2 段階成長 InAs バッファを用いた GaAs 基板上 InAsSb/InAsP の歪補償構造と発光特性の調査

    本部 好記 ,中川 翔太 , 岩切 優人 , 前田 幸治 ,荒井 昌和

    応用物理学会春季学術講演会  2023年3月16日 

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    開催年月日: 2023年3月15日 - 2023年3月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs 基板上 InGaAs 格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査

    臼井 一旗 ,本部 好記 ,鈴木 秀俊,荒井 昌和

    応用物理学会春季学術講演会  2023年3月16日 

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    開催年月日: 2023年3月15日 - 2023年3月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 光ファイバを用いた牧草の反射・蛍光スペクトル測定

    坂倉光紀, 下田平昂大,下村幸資, 西大貴, 石垣元気,荒井昌和

    近赤外フォーラム  2022年11月16日 

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    開催年月日: 2022年11月15日 - 2022年11月17日

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 最優秀賞

    2023年3月   高等教育コンソーシアム宮崎   ハイパースペクトルカメラを用いた農産物の非破壊検査技術の開発

    吉岡ひかり、下田平 昂大、荒井昌和

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

科研費(文科省・学振・厚労省)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 有機金属気相成長法によって作製した新規広帯域、中赤外発行する量子構造の開発

    研究課題/領域番号:22K04245  2022年04月 - 2025年03月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(C)

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    担当区分:研究分担者 

  • 化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用

    研究課題/領域番号:21H01384  2021年 - 2024年03月

    独立行政法人日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(B)(一般)

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    担当区分:研究分担者 

    researchmap

  • 光センシング用半導体素子の適用波長域を拡大させる新規材料と転位制御の研究

    2016年04月 - 2019年03月

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

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    担当区分:研究代表者 

    医療応用や環境ガスセンシング用の広帯域な半導体光源の実現のため、様々なバンドギャップ波長をもつ材料を、基板の格子定数の制限を超えて集積するための結晶成長技術を開発する。

研究・技術シーズ 【 表示 / 非表示

 

授業 【 表示 / 非表示

  • 応用数学I(電物)

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    科目区分:専門教育科目 

  • 工学英語I(電物・3年生用)

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    科目区分:共通教育科目 

  • 電子物理工学実験II

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    科目区分:専門教育科目 

  • ヘテロ構造デバイス工学

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    科目区分:専門教育科目 

  • 光センシング工学

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    科目区分:大学院科目(修士) 

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