MAEDA Koji

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Affiliation

Engineering educational research section Applied Physics and Engineering Program

Title

Professor

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Degree 【 display / non-display

  • 工学 ( 1998.4   九州大学 )

Research Areas 【 display / non-display

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials

  • Nanotechnology/Materials / Inorganic materials and properties

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment

 

Papers 【 display / non-display

  • Optical properties and photo- and X-ray luminescence of Sm3+ -doped chalcogenides Reviewed

    Kouji Maeda, Ryutaro Tsudom

    Phys. Status Solidi C   8 ( 9 )   2692 - 2695   2011.9

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    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • GaAsSb Layer Thickness Dependence of Arsenic Incorporation on InAs / GaAsSb Superlattice on InAs Substrate Grown by MOVPE for Mid-Infrared Device Reviewed

    Masakazu Arai, Kakeru Takahashi, Yuya Yamagata, Yuki. Inoue, Ryosuke Wakaki, Koji Maeda

    Japanese Journal of Applied Physics   57   08PD05-1 - 08PD05-4   2018.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • 中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価 Reviewed

    荒井昌和,高橋翔,井上祐貴,藤原由生,吉元圭太,山形勇也,西岡賢祐,前田幸治

    レーザー研究   45 ( 12 )   768 - 772   2017.12

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    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Photoluminescence of Valence-Changed Samarium Ions in Sintered BaSO4 Induced by X-ray Radiation

    K Maeda, T Kumeda, K Arimura, K Sakai and T Ikari

    J. Phys.: Conf. Ser.   619   012040   2015.4

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    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • X-ray and photo- luminescence properties of Sm3+ doped barium sulfide.

    Kouji Maeda, Nao Kawaida, Ryutaro Tsudome, Kentaro Sakai and Tetsuo Ikari

    Phys. Status Solidi C   9 ( 12 )   2271 - 2274   2012.12

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    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

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Books 【 display / non-display

MISC 【 display / non-display

  • 硫酸バリウムにユーロピを添加した蛍光体のX線照射による発光特性の変化

    有村 啓太、直野 令磨、前田 幸治、境 健太郎

    宮崎大学工学部紀要   44   67 - 69   2015.7

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    Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (bulletin of university, research institution)   Publisher:宮崎大学工学部  

  • ユーロピウムを添加した蛍光体の光励起および応力による発光特性の評価

    藤原 光二郎、蔵元 俊己、横山 宏有、前田 幸治

    宮崎大学工学部紀要   44   63 - 65   2015.7

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    Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (bulletin of university, research institution)   Publisher:宮崎大学工学部  

  • InGaAs/GaAs(001)界面における成長初期過程の転位のX線回折およびトポグラフ法を用いた観察

    高比良 潤、小寺 大介、境 健太郎、前田 幸治、大下 祥雄、鈴木 秀俊

    宮崎大学工学部紀要   44   71 - 75   2015.7

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    Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (bulletin of university, research institution)   Publisher:宮崎大学  

  • 焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化

    前田 幸治,藤原 光二郎,久米田 朋晃,境 健太郎

    宮崎大学工学部紀要   43   77 - 80   2014.7

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    Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (bulletin of university, research institution)   Publisher:宮崎大学工学部  

  • 焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化

    前田 幸治,藤原 光二郎,久米田 朋晃,境 健太郎

    宮崎大学工学部紀要   43   77 - 80   2014.7

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    Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (bulletin of university, research institution)  

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Presentations 【 display / non-display

  • MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の層数の違いによる中赤外発光形状に関する実験と計算の比較

    岩切 優人, 荒井 昌和,藤澤 剛, 前田 幸治

    第69回応用物理学会春季学術講演会 26p-E301-6  2022.3.26 

     More details

    Event date: 2022.3.22 - 2022.3.26

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • InGaSb層を導入したGaAs基板上のInAsSbの結晶性評価

    本部 好記,中川 翔太,岩切 優人,前田 幸治,荒井 昌和

    第69回応用物理学会春季学術講演会 23a-F407-4  2022.3.23 

     More details

    Event date: 2022.3.22 - 2022.3.26

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価

    中川 翔太,本部 好記,岩切 優人,前田 幸治,荒井 昌和

    第69回応用物理学会春季学術講演会 26p-E301-7  2022.3.26 

     More details

    Event date: 2022.3.22 - 2022.3.26

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • 有機金属気相成長法で作製したp-GaAs/i-InAs/n-GaAsヘテロ構造への電流注入による中赤外発光

    岩崎 拓実, 中川 翔太, 荒井 昌和, 前田 幸治

    令和3年度応用物理学会九州支部講演会 4Bp-15  2021.12.4 

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    Event date: 2021.12.4 - 2021.12.5

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • Zn Doping Effect on Surface Morphology of Metamorphic InAs on GaAs Grown by MOVPE International conference

    Shota Nakagawa, Yuki Imamura, Yasushi Hirata, Koji Maeda, Masakazu Arai

    26th MicroOptics Conference(MOC2021)   2021.9.27 

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    Event date: 2021.9.26 - 2021.9.29

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

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Grant-in-Aid for Scientific Research 【 display / non-display

  • 希土類の価数変化を利用した新しいタイプの高分解能X線検出材料の開発

    2016.04 - 2019.03

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

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    Authorship:Principal investigator 

  • 希土類元素添加カルコゲナイドガラスによる高強度発光材料探査とその発現機構

    2003.04 - 2005.03

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

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     これまでの成果より、Ge-Se-Ga系の組成では化学量論組成がエルビウムの分散性がよいことがわかっていたので、エルビウム量を一定にして、化学量論組成のカルコゲナイドガラス(GeSe2)1-x(Ga2Se3)x (x=0-0.3)のガリウムを変化させたガラスを各種作製した。その時の光透過率、PLスペクトル、PLスペクトル強度を測定した。その結果、Ga割合が14at%付近を境に、PLスペクトルがブロードになり発光強度も増加した。しかし、赤外域での光透過率も減少したことから、この変化はGaの増加によりガラス中に不均質構造が形成され、PLの励起光がガラス中で散乱したことが原因でPL強度が増加したことがわかった。Ga14at%以下で透過率60%以上の良質のガラスを選び、エルビウムの量とPL強度の関連を調べた。すると約2at%程度までは仕込み量に比例してPL強度が上昇し、その後は飽和し、4at%程度では明らかに減少に転じた。これよりGe-Se-Ga系化学量論組成では、エルビウムを2at%程度までは、光学的に活性な状態で分散できることが明らかにした。
     次に、Ga6at%と一定にした化学量論組成ガラスにジスプロシウム、ツリウム、サマリウム、ネオジウムの4種の希土類を1at%まで添加したガラスを作製した。どの組成でも透過率60%以上のガラスが作製でき、仕込み量と希土類特有の吸収バンドの吸収量は比例した。これらのことからカルコゲナイドガラスはこれらの希土類に対しても十分マトリクスとなりうることを明らかにした。

  • ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体内結晶欠陥の高感度検出法の開発

    2000.04 - 2001.03

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

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     キャリア濃度に敏感なラマン散乱線を用いて、室温で半導体結晶のキャリア濃度を決定する方法を開発した。この方法を用いて、実際にシリコンカーバイドの欠陥とその周辺について測定を行い、キャリア濃度の異常を検出しその分布を求めた。
     最近シリコンのような従来の半導体では作り得なかった大電力、高耐圧の半導体素子の開発が進められている。この基板材料として特に注目されているのが、シリコンカーバイドを中心とするワイドギャップ半導体である。これらの半導体材料はかなり品質が向上したが、デバイスの特性を劣化させる結晶欠陥が本質的にシリコンに比べて多い。顕微ラマン散乱分光法という手法を用いて、残存する欠陥を高感度にかつ非破壊で検出する手法に取り組んできた。そして、禁制配置という特殊な配置で測定を行うことにより、欠陥によるわずかなスペクトルの変化を高感度に検出することに成功した。キャリア濃度の決定、光学顕微鏡による結晶欠陥の形状とキャリア濃度の相関、さらに、シリコンカーバイド多結晶体の焼結過程の検討などを行った。
     この手法は非常に簡単に、非破壊でキャリア濃度を数ミクロンの位置精度で測定できる。また、自動化することにより、ウエハー内のキャリア濃度のマッピングなども行え、シリコンカーバイドにとどまらず、広く半導体材料の評価に応用できると考えている。

Other research activities 【 display / non-display

  • 実践的製造プロセス・装置等の実習に係わる学習資料

    2006.04 - 2008.03

     More details

    財団法人九州地区産業活性化センターの委託を受けて宮崎沖電気株式会社が作製した「実践的製造プロセス・装置等の実習に係わる学習資料」の一部執筆と全体の監修を行った。