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所属 |
工学教育研究部 工学科応用物理工学プログラム担当 |
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教授 |
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外部リンク |
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研究分野 【 表示 ／ 非表示 】
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
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ナノテク・材料 / 無機材料、物性
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Optical properties and photo- and X-ray luminescence of Sm3+ -doped chalcogenides 査読あり
Kouji Maeda, Ryutaro Tsudom
Phys. Status Solidi C 8 ( 9 ) 2692 - 2695 2011年9月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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GaAsSb Layer Thickness Dependence of Arsenic Incorporation on InAs / GaAsSb Superlattice on InAs Substrate Grown by MOVPE for Mid-Infrared Device 査読あり
Masakazu Arai, Kakeru Takahashi, Yuya Yamagata, Yuki. Inoue, Ryosuke Wakaki, Koji Maeda
Japanese Journal of Applied Physics 57 08PD05-1 - 08PD05-4 2018年8月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価 査読あり
荒井昌和,高橋翔,井上祐貴,藤原由生,吉元圭太,山形勇也,西岡賢祐,前田幸治
レーザー研究 45 ( 12 ) 768 - 772 2017年12月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photoluminescence of Valence-Changed Samarium Ions in Sintered BaSO4 Induced by X-ray Radiation
K Maeda, T Kumeda, K Arimura, K Sakai and T Ikari
J. Phys.: Conf. Ser. 619 012040 2015年4月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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X-ray and photo- luminescence properties of Sm3+ doped barium sulfide.
Kouji Maeda, Nao Kawaida, Ryutaro Tsudome, Kentaro Sakai and Tetsuo Ikari
Phys. Status Solidi C 9 ( 12 ) 2271 - 2274 2012年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
MISC 【 表示 ／ 非表示 】
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硫酸バリウムにユーロピを添加した蛍光体のX線照射による発光特性の変化
有村 啓太、直野 令磨、前田 幸治、境 健太郎
宮崎大学工学部紀要 44 67 - 69 2015年7月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：宮崎大学工学部
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ユーロピウムを添加した蛍光体の光励起および応力による発光特性の評価
藤原 光二郎、蔵元 俊己、横山 宏有、前田 幸治
宮崎大学工学部紀要 44 63 - 65 2015年7月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：宮崎大学工学部
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InGaAs/GaAs(001)界面における成長初期過程の転位のX線回折およびトポグラフ法を用いた観察
高比良 潤、小寺 大介、境 健太郎、前田 幸治、大下 祥雄、鈴木 秀俊
宮崎大学工学部紀要 44 71 - 75 2015年7月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：宮崎大学
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焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化
前田 幸治,藤原 光二郎,久米田 朋晃,境 健太郎
宮崎大学工学部紀要 43 77 - 80 2014年7月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：宮崎大学工学部
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2 価および3 価のサマリウムを添加した硫黄を含む蛍光体からの発光
川井田 尚, 久米田 朋晃, 前田 健作, 前田 幸治, 境 健太郎, 碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要 42 79 - 83 2013年8月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：宮崎大学工学部
講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】
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Photovoltaic characteristics of GaP based device using a blue laser for optical wireless power transmission 国際会議
Masakazu Arai, Akira Kushiyama, Koji Maeda
PVSEC33 2022年11月13日
開催年月日： 2022年11月13日 - 2022年11月17日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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有機金属気相成長法による中赤外デバイス用超格子の作製
荒井昌和 ，中川翔太，本部好記，岩切優人，藤澤剛 ，前田幸治
日本結晶成長学会 2022年11月1日
開催年月日： 2022年10月31日 - 2022年11月2日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Wide Wavelength Range Emission from InAs/GaSb Type-II Superlattice Grown by MOVPE 国際会議
Masakazu Arai, Yuto Iwakiri, Takeshi Fujisawa, and Koji Maeda
28th International Semicondutor Laser Conference 2022年10月18日
開催年月日： 2022年10月16日 - 2022年10月19日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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GaAs基板上メタモルフィックInAsSbの積み増しアニールによる結晶性改善の検討
中川 翔太 ，本部 好記 ，岩切 優人 ，前田 幸治 ，荒井 昌和
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
開催年月日： 2022年9月20日 - 2022年9月23日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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InAs 基板上 InAsSb /InAsP 量子井戸の 歪補償構造と発光特性の調査 歪補償構造と発光特性の調査 歪補償構造と発光特性の調査
本部 好記 ，中川 翔太 , 岩切 優人 , 前田 幸治 ,荒井 昌和
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
開催年月日： 2022年9月20日 - 2022年9月23日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
科研費（文科省・学振・厚労省）獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】
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有機金属気相成長法によって作製した新規広帯域 中赤外発光する量子構造の開発
研究課題/領域番号：22K04245 2022年04月 - 2025年03月
基盤研究C 基盤研究C
担当区分：研究代表者
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希土類の価数変化を利用した新しいタイプの高分解能X線検出材料の開発
研究課題/領域番号：16K05955 2016年04月 - 2019年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
担当区分：研究代表者
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ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体内結晶欠陥の高感度検出法の開発
研究課題/領域番号：12650017 2001年04月 - 2002年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
担当区分：研究代表者
キャリア濃度に敏感なラマン散乱線を用いて、室温で半導体結晶のキャリア濃度を決定する方法を開発した。この方法を用いて、実際にシリコンカーバイドの欠陥とその周辺について測定を行い、キャリア濃度の異常を検出しその分布を求めた。
最近シリコンのような従来の半導体では作り得なかった大電力、高耐圧の半導体素子の開発が進められている。この基板材料として特に注目されているのが、シリコンカーバイドを中心とするワイドギャップ半導体である。これらの半導体材料はかなり品質が向上したが、デバイスの特性を劣化させる結晶欠陥が本質的にシリコンに比べて多い。顕微ラマン散乱分光法という手法を用いて、残存する欠陥を高感度にかつ非破壊で検出する手法に取り組んできた。そして、禁制配置という特殊な配置で測定を行うことにより、欠陥によるわずかなスペクトルの変化を高感度に検出することに成功した。キャリア濃度の決定、光学顕微鏡による結晶欠陥の形状とキャリア濃度の相関、さらに、シリコンカーバイド多結晶体の焼結過程の検討などを行った。
この手法は非常に簡単に、非破壊でキャリア濃度を数ミクロンの位置精度で測定できる。また、自動化することにより、ウエハー内のキャリア濃度のマッピングなども行え、シリコンカーバイドにとどまらず、広く半導体材料の評価に応用できると考えている。 -
希土類元素添加カルコゲナイドガラスによる高強度発光材料探査とその発現機構
研究課題/領域番号： 15560301 2003年04月 - 2006年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
担当区分：研究代表者
これまでの成果より、Ge-Se-Ga系の組成では化学量論組成がエルビウムの分散性がよいことがわかっていたので、エルビウム量を一定にして、化学量論組成のカルコゲナイドガラス（GeSe2)1-x(Ga2Se3)x （ｘ=0-0.3）のガリウムを変化させたガラスを各種作製した。その時の光透過率、PLスペクトル、PLスペクトル強度を測定した。その結果、Ga割合が14at％付近を境に、PLスペクトルがブロードになり発光強度も増加した。しかし、赤外域での光透過率も減少したことから、この変化はGaの増加によりガラス中に不均質構造が形成され、PLの励起光がガラス中で散乱したことが原因でPL強度が増加したことがわかった。Ga14at％以下で透過率60％以上の良質のガラスを選び、エルビウムの量とPL強度の関連を調べた。すると約2at%程度までは仕込み量に比例してPL強度が上昇し、その後は飽和し、4at%程度では明らかに減少に転じた。これよりGe-Se-Ga系化学量論組成では、エルビウムを2at%程度までは、光学的に活性な状態で分散できることが明らかにした。
次に、Ga6at%と一定にした化学量論組成ガラスにジスプロシウム、ツリウム、サマリウム、ネオジウムの4種の希土類を1at%まで添加したガラスを作製した。どの組成でも透過率60％以上のガラスが作製でき、仕込み量と希土類特有の吸収バンドの吸収量は比例した。これらのことからカルコゲナイドガラスはこれらの希土類に対しても十分マトリクスとなりうることを明らかにした。 -
スパッタ膜を用いたき裂発生寿命の実測に基づく疲労強度に及ぼす表面状態の影響評価 研究課題
研究課題/領域番号：19560146 2007年04月 - 2010年03月
基盤研究(C)
担当区分：研究分担者
その他競争的資金獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】
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スパッタリング法による高濃度希土類ドープガラスの試作
2007年06月 - 2008年03月
ＪＳＴ 地域イノベーション創出総合支援事業地域研究開発推進プログラム シーズ発掘試験
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
スパッタリング法によりエルビウムを添加したカルコゲナイドガラスを作製し、赤外発光するガラス薄膜を作製した。ターゲットの構成を変化させることによって、組成の制御を行い、バルクガラスより単位厚さ当たりでは、発光強度の強いガラスの作製に成功した。ただし、ライフタイムに関しては、バルクよりもやや小さな結果となった。
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希土類をドープした新規高強度発光ガラス薄膜の試作と光学パラメータの研究
2006年09月 - 2007年02月
その他省庁等 地域イノベーション創出総合支援事業地域研究開発推進プログラム シーズ発掘試験
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
平面小型平面導波回路中に光増幅素子を作製する際、希土類を添加した薄膜ガラスが必要となる。その作製の可能性を探るためにスパッタリング法を用いて希土類を含むカルコゲナイド系ガラス薄膜を作製した。その結果、ターゲットを工夫することにより赤外領域でPL発光する薄膜ガラスの作製に成功した。
その他研究活動 【 表示 ／ 非表示 】
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実践的製造プロセス・装置等の実習に係わる学習資料
2006年04月 - 2008年03月
財団法人九州地区産業活性化センターの委託を受けて宮崎沖電気株式会社が作製した「実践的製造プロセス・装置等の実習に係わる学習資料」の一部執筆と全体の監修を行った。