講演・口頭発表等 - 福山 敦彦
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Study of mini-band formation in InGaAs/GaAsP super-lattice solar cells by Photoluminescence meas-urements 国際会議
H. Kuradome, T. Murakami, T. Sugimoto, T. Aihara, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, K. To-prasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano
平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学工学部（大分市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2014年12月6日 - 2014年12月7日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学工学部（大分市）
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低温I-V測定によるAlGaAs/GaAs量子井戸の熱励起輸送評価
村上匠、倉留弘憲、杉本泰士、相原健人、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄
平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学工学部（大分市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2014年12月6日 - 2014年12月7日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学工学部（大分市）
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圧電素子光熱分光法による多接合太陽電池に於けるキャリア再結合断面プロファイル
杉本泰士, 相原健人, 福山敦彦, 碇哲雄
第35回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学) 応用物理学会
開催年月日： 2014年12月3日 - 2014年12月5日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：明治大学
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青色LEDの開発と次世代発光デバイスの可能性 －2014年ノーベル物理学賞受賞を記念して－
福山敦彦
第24回高等学校と大学との物理教育に関する連絡会 (宮崎市) 宮崎大学工学部
開催年月日： 2014年11月29日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：宮崎市
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Non-Destructive Investigation of Photovoltaic Performance of GaAs p-n Junction Grown on Si Substrate Using Surface Photo-voltage Spectroscopy 国際会議
W. Ding, K. Kawano, Y. Lin, H. Suzuki, A. Fukuyama, T. Ikari, O. Morohara, H. Geka, Y. Moriyasu, K. Ikeda, N. Kojima, and M. Yamaguchi
第6回太陽エネルギー変換国際会議 (Kyoto, Japan) WCPEC
開催年月日： 2014年11月23日 - 2014年11月27日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto, Japan
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Si Doping in Atomic Layer Epitaxy of GaAsN Thin Films For Multi-Junction Solar Cells 国際会議
H. Suzuki, T. Yamauchi, T. Haraguchi, A. Fukuyama, and T. Ikari
第6回太陽エネルギー変換国際会議 (Kyoto, Japan) WCPEC
開催年月日： 2014年11月23日 - 2014年11月27日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto, Japan
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Demonstration of the Mini-band Investigation in Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells by Combination of a Piezoelectric Photothermal and Photorefrectance Spec-troscopies 国際会議
T. Aihara, T. Murakami, H. Kuradome, T. Sugimoto, H. Suzuki, A. Fukuyama, and T. Ikari K. To-prasertpong, M. Sugiyama, and Y.Nakano
第6回太陽エネルギー変換国際会議 (Kyoto, Japan) WCPEC
開催年月日： 2014年11月23日 - 2014年11月27日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto, Japan
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Stack numbers dependence of the activation energies for carrier escape from and recombination in strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW 国際会議
A. Fukuyama, T. Ikari, K. Nishioka, T. Aihara, H. Suzuki, H. Fujii, M. Sugiyama, and Y.Nakano
米国真空学会 (Baltimore, USA) American Vacuum Society
開催年月日： 2014年11月9日 - 2014年11月14日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Baltimore, USA
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Mini-band formation in a strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cell structure investigated by a photoreflectance and a surface photovoltage spectroscopy 国際会議
T. Ikari, A. Fukuyama, K. Nishioka, T. Aihara, H. Kuradome, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, and Y. Nakano
米国真空学会 (Baltimore, USA) American Vacuum Society
開催年月日： 2014年11月9日 - 2014年11月14日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Baltimore, USA
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Mini-band width estimation for a strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum-well solar cells by a photore-flectance and surface photovoltage spectroscopies 国際会議
A. Aihara, A. Fukuyama, T. Murakami, H. Kuradome, K. Nishioka, H. Suzuki, T. Ikari, K. To-prasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano
IEEEナノテクノロジー国際会議 (Aci Castello, Italy) IEEE
開催年月日： 2014年10月12日 - 2014年10月15日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Aci Castello, Italy
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Activation energies for carrier non-radiative recombination in strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cell structure 国際会議
H. Kuradome, T. Ikari, A. Fukuyama, K. Nishioka, T. Aihara, H. Suzuki, H. Fujii, M. Sugiyama, Y. Nakano
IEEEナノテクノロジー国際会議 (Aci Castello, Italy) IEEE
開催年月日： 2014年10月12日 - 2014年10月15日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Aci Castello, Italy
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Optical investigation of the effect of mini-band formation on the carrier collection mechanism in a strain-balanced InGaAs/GaAsP MQW solar cell structure 国際会議
T. Ikari, T. Aihara, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama
2014年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所
開催年月日： 2014年10月7日 - 2014年10月9日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Sendai, Japan
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Photoluminescence of Ge nanodisk array structure fabricated by bio-template and neutral beam etch-ing 国際会議
Daisuke Ohori, Y. Murayama, K. Kondo, F. Takuya, T. Okada, S. Samukawa, A. Fukuyama, and Tetsuo Ikari
2014年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所
開催年月日： 2014年10月7日 - 2014年10月9日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai, Japan
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光熱変換分光法による半導体材料の物性評価
碇哲雄, 福山敦彦
東北大学最先端電池基盤技術コンソーシアム 2014年度中間報告会 (東北大学流体科学研究所（宮城県仙台市）) 東北大学流体科学研究所
開催年月日： 2014年10月2日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：東北大学流体科学研究所（宮城県仙台市）
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圧電素子光熱分光法を用いた超格子太陽電池のミニバンド評価
相原健人, 村上匠, 倉留弘憲, 杉本泰士, 鈴木秀俊, 福山敦彦, 杉山正和, 中野義昭, 碇哲雄
平成26年秋季 第75回応用物理学会学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）) 応用物理学会
開催年月日： 2014年9月17日 - 2014年9月20日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
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原子層エピタキシーを用いたSiドープGaAsN薄膜における不純物混入過程
横山 祐貴, 原口 智宏, 山内 俊浩, 鈴木 秀俊, 福山 敦彦, 碇 哲雄
平成26年秋季 第75回応用物理学会学術講演会 (北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）) 応用物理学会
開催年月日： 2014年9月17日 - 2014年9月20日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
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Effect of sintering time on uniformity of electorodeposited Cu2ZnSnS4 thin films studied by a carrier lifetime and a photoluminescence measurements 国際会議
T. Hamada, A. Fukuyama, F. Jiang, S. Ikeda, and T. Ikari
第19回多元材料国際会議 (Niigata, Japan) 応用物理学会
開催年月日： 2014年9月1日 - 2014年9月5日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Niigata, Japan
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Effect of the carrier concentration on the band structure of catalyst-free MBE-VLS grown Si-doped GaAs nanowires on (111) Si substrate 国際会議
A. Suzuki, A. Fukuyama, H. Suzuki, K. Sakai, J.-H. Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari
第15回材料研究国際会議 (Fukuoka, Japan) 応用物理学会
開催年月日： 2014年8月24日 - 2014年8月30日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Fukuoka, Japan
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Carrier concentration dependence of band structure in catalyst-free MBE-VLS grown Si-doped GaAs nanowires on (111)Si substrate 国際会議
A. Suzuki, A. Fukuyama, H. Suzuki, K. Sakai, J.-H. Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari
第6回IEEEナノエレクトロニクス国際会議 (Sapporo, Japan) IEEE
開催年月日： 2014年7月28日 - 2014年7月31日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo, Japan
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Carrier concentration dependence of band structure in catalyst-free MBE-VLS grown Si-doped GaAs nanowires on (111)Si substrate
Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Hidetoshi Suzuki, Kentaro Sakai, Ji-Hyun Paek, Masahito Yama-guchi, and Tetsuo Ikari
第33回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺（静岡県）) EMS実施委員会
開催年月日： 2014年7月9日 - 2014年7月11日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ修善寺（静岡県）