講演・口頭発表等 - 福山 敦彦
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Photoluminescence and piezoelectric photothermal spectra of Cu(In,Ga)Se2 thin films by a sequential evaporation method 国際会議
W. Ding, Y. Motono, T. Mori, A. Suzuki, A. Fukuyama, T. Yamaguchi, and T. Ikari
欧州材料学会春季ミーティング2012 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2012年5月14日 - 2012年5月18日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Strasbourg, France
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Non-radiative carrier recombination in InGaAs/GaAsP strain-balanced superlattice solar cell 国際会議
T. Aihara, Y. Nakano, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari
第8回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Toledo, Spain) CPV-8実行委員会
開催年月日： 2012年4月16日 - 2012年4月18日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Toledo, Spain
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Non-radiative carrier recombination mechanism in the InGaAs/GaAsP strain-balanced quantum well solar cells with different number of stacks by using a piezoelectric photothermal method 国際会議
Y. Nakano, T. Aihara, H. Fujii, A. Fukuyama, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari
第8回集光太陽電池システムに関する国際会議 (Toledo, Spain) CPV-8実行委員会
開催年月日： 2012年4月16日 - 2012年4月18日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Toledo, Spain
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圧電素子光熱変換分光法によるInGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池のキャリア再結合損失過程の積層数依存性
中野 陽介，相原 健人，藤井 宏昌，福山 敦彦，杉山 正和，中野 義昭，碇 哲雄
第59回春季応用物理学関係連合講演会 (早稲田大（東京都新宿区）) 応用物理学会
開催年月日： 2012年3月15日 - 2012年3月18日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大（東京都新宿区）
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C60, Si codoped GaAs 薄膜のフォトルミネセンススペクトル
丁文，鈴木章生，福山敦彦，西永慈郎，堀越佳治，碇哲雄
第59回春季応用物理学関係連合講演会 (早稲田大（東京都新宿区）) 応用物理学会
開催年月日： 2012年3月15日 - 2012年3月18日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大（東京都新宿区）
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X線トポグラフィ法を用いたInGaAs/GaAs(001)界面におけるミスフィット転位分布観察
片山真弘、鈴木秀俊、松下卓哉、正木宏和、前田幸治、山本奨、福山敦彦、碇哲雄、佐々木拓生、大下祥雄
第59回春季応用物理学関係連合講演会 (早稲田大（東京都新宿区）) 応用物理学会
開催年月日： 2012年3月15日 - 2012年3月18日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大（東京都新宿区）
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モリブデン上に作製したCIGS薄膜の吸収スペクトル測定－透明トランスデューサーを用いた光熱変換スペクトル
本野佑太郎、森賢之、河野洋平、福山敦彦、峯元高志、碇哲雄
平成23年度 多元系機能材料研究会 年末講演会 (愛媛大学総合情報メディアセンター（愛媛市）) 応用物理学会
開催年月日： 2011年12月9日 - 2011年12月10日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：愛媛大学総合情報メディアセンター（愛媛市）
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Observation of misfit dislocations in InGaAs/GaAs(001) heteroepitaxial films by x-ray topography 国際会議
M. Katayama, H. Suzuki, T. Sasaki, S. Yamamoto, Y. Ohshita, A. Fukuyama, M. Ozeki, and T. Ikari
第21回太陽光発電に関する国際会議 (Fukuoka, Japan) 応用物理学会
開催年月日： 2011年11月28日 - 2011年12月2日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Fukuoka, Japan
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Effects of growth method on localized state of nitrogen atoms in GaAsN thin films 国際会議
S. Yamamoto, A. Suzuki, M. Inagaki, H. Suzuki, A Fukuyama, M. Yamaguchi, and T. Ikari
第21回太陽光発電に関する国際会議 (Fukuoka, Japan) 応用物理学会
開催年月日： 2011年11月28日 - 2011年12月2日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Fukuoka, Japan
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光音響分光法によるポリジヘキシルシランPoly(di-n-hexylsilane)の光分解過程の評価
横山宏有、境健太郎、福山敦彦、古川昌司、碇哲雄
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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無触媒MBE-VLS成長GaAsナノワイヤのSi起因PL信号の励起光強度依存性
鈴木章生、福山敦彦、白知鉉、山口雅史、碇哲雄
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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二層熱拡散モデルによるSi基板上SiGe膜のPPTスペクトル解析
河野洋平、政田清孝、福山敦彦、碇哲雄、酒井武信
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池におけるキャリア再結合損失過程の積層数依存性
中野陽介、相原健人、藤井宏昌*、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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Ｘ線トポグラフィによる InGaAs/GaAs (001)ヘテロエピタキシャル膜でのミスフィット転位の観察
松山慎弥、片山真弘、鈴木秀俊、山本奨、福山敦彦、尾関雅志、碇哲雄
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2011年11月26日 - 2011年11月27日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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連続成膜法によるCIGS薄膜の光熱変換分光法を用いたバンドギャップの評価
森賢之、本野佑太郎、丁文、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄
第32回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (京都大学百周年時計台記念館（京都府）) 応用物理学会
開催年月日： 2011年11月8日 - 2011年11月10日
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都大学百周年時計台記念館（京都府）
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Si基板上無触媒GaAsナノワイヤの光学的特性評価
福山敦彦、山口雅史
第15回名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリシンポジウム (名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）) 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリ
開催年月日： 2011年11月7日 - 2011年11月8日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）
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Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum wells for solar cell application 国際会議
T. Aihara, Y. Nakano, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari
2011固体素子に関する国際会議 (Nagoya, Japan) 応用物理学会
開催年月日： 2011年9月28日 - 2011年9月30日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya, Japan
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Effect of Li contents on vacancy complex formation in p-type Li and Ni co-doped ZnO samples grown by a pulsed laser deposition 国際会議
K. Ishikura, K. Sakai, A. Fukuyama, E. S. Kumar, M. S. R. Rao, T. Okada, and T. Ikari
第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会
開催年月日： 2011年9月25日 - 2011年9月29日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Miyazaki, Japan
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Distribution of misfit dislocations at the interface of InGaAs/GaAs(001) observed by monochromatic X-ray topography 国際会議
H. Suzuki, T. Sasaki, S. Yamamoto, Y. Ohshita, A. Fukuyama, and M. Yamaguchi
第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会
開催年月日： 2011年9月25日 - 2011年9月29日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Miyazaki, Japan
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Nitrogen related deep levels in GaAsN films investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal signal amplitude 国際会議
K. Kashima, S. Yamamoto, Y. Nakano, K. Sakai, H. Suzuki, M. Inagaki, M. Yamaguchi, A. Fukuyama, and T. Ikari
第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会
開催年月日： 2011年9月25日 - 2011年9月29日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Miyazaki, Japan