講演・口頭発表等 - 福山 敦彦
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表面光起電力法及び光熱分光法によるGaAs/AlAs-MQWの光吸収スペクトル評価
王萍、倉山慎吾、境健太郎、福山敦彦、明石義人、碇哲雄
平成19年秋季 第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学) 応用物理学会
開催年月日： 2007年9月4日 - 2007年9月8日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道工業大学
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非発光電子遷移検出による半導体光吸収スペクトル測定
福山敦彦、王萍
窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究 (九州大学応用力学研究所) 九州大学応用力学研究所
開催年月日： 2007年7月27日 - 2007年7月28日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学応用力学研究所
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Band gap energy fluctuations in InGaN films grown by RF-MBE with changing nitrogen supply rate investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy 国際会議
H. Komaki, T. Shimohara, K. Sakai, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Strasbourg, France
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Piezoelectric photo-thermal and surface photo-voltage studies of GaAs/AlAs short-period superlattices 国際会議
P. Wang, A. Fukuyama, Y. Akashi and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Strasbourg, France
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Optical properties of nano-structured ZnO crystal synthesized by a pulsed laser ablation 国際会議
K. Sakai, S. Oyama, K. Noguchi, A. Fukuyama, T. Ikari, and T. Okada
The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Strasbourg, France
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Strain induced band gap change in Ga1-xInxNAs studied by using a photo-thermal spectroscopy 国際会議
S. Fukushima, Y. Ohta, M. Arimura, K. Sakai, A. Fukuyama, T. Ikari, and M. Kondow
The European Materials Research Society Spring Meeting 2007 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2007年5月28日 - 2007年6月1日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Strasbourg, France
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GaInNAs/GaAs量子井戸の励起子束縛エネルギー
内山正之、ShunDong Wu、近藤正彦、福島晋一、福山敦彦、碇哲雄
平成19年春季 第54回応用物理学関連連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス) 応用物理学会
開催年月日： 2007年3月27日 - 2007年3月30日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学相模原キャンパス
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Si/Ge/Si(001)界面形状とフォノン伝播の関係
勝谷匡博、脇川達人、寒川義裕、王萍、福山敦彦、明石義人、碇哲雄、柿本浩一
平成19年春季 第54回応用物理学関連連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス) 応用物理学会
開催年月日： 2007年3月27日 - 2007年3月30日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学相模原キャンパス
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Si/Ge/Si(001)界面形状と熱物性の関係
勝谷匡博、脇川達人、寒川義裕、福山敦彦、明石義人、碇哲雄、柿本浩一
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学
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RF-MBE成長したInGaNの光学的特性の窒素流量依存性
下原崇、小牧弘典、福山敦彦、片山竜二、境健太郎、尾鍋研太郎、前田幸治、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学
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圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs超格子のサブバンド間吸収の評価
王萍、中川崇洋、園田修盛、福山敦彦、藤原賢三、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学
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圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs-MQWの光吸収スペクトル評価
倉山慎吾、中川崇洋、王萍、園田修盛、福山敦彦、藤原賢三、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学
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圧電素子ー光熱信号の温度依存性によるVGF成長SI-GaAs中の深い準位の評価
後藤章宏、小村照太、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学
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圧電素子光熱分光法を用いたシリコンp-n接合界面におけるキャリアのドリフトと再結合
中馬博樹、内堀裕樹、王萍、福山敦彦、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
開催年月日： 2006年11月25日 - 2006年11月26日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学
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Effect of interface states at SiO2/Si boundaries on surface photovoltage and piezoelectric photothermal spectra
H. Hayashi, T. Kuroki, A. Fukuyama, M. Suemitsu, and T. Ikari
第27回 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (名古屋国際会議場) 応用物理学会
開催年月日： 2006年11月15日 - 2006年11月17日
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価
内堀裕樹、中馬博樹、福山敦彦、碇哲雄
第27回 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (名古屋国際会議場) 応用物理学会
開催年月日： 2006年11月15日 - 2006年11月17日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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Effect of the surface conditions on the optical properties of bulk ZnO single crystals -Surface photovoltage and photothermal spectroscopy 国際会議
K. Sakai, S. Oyama, K. Fukushima, H. Yokoyama, A. Fukuyama, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society
開催年月日： 2006年5月29日 - 2006年6月2日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nice, France
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Photo-ionization cross section of Nickel deep level in silicon investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal and surface photovoltage signals 国際会議
S. Sato, S. Tanaka, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, M. Ozeki, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society
開催年月日： 2006年5月29日 - 2006年6月2日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nice, France
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Piezoelectric photothermal study of GaAs single quantum well embedded in GaAs/AlAs short-period superlattices 国際会議
P. Wang, K. Nakagawa, K. Sakai, A. Fukuyama, Y. Akashi, K. Fujiwara, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society
開催年月日： 2006年5月29日 - 2006年6月2日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nice, France
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Investigation of Ni Induced deep levels in n-type Si by a temperature dependence of piezoelectric photothermal and surface photovoltage signals 国際会議
S. Sato, S. Tanaka, K. Sakai, A. Fukuyama, and T. Ikari
Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society
開催年月日： 2005年12月7日 - 2005年12月9日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Bethesda, MD (Maryland), USA