講演・口頭発表等 - 福山 敦彦
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Effects of Si gas flow sequence on electrical characteristics of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy GaAsN
Y. Yokoyama, M. Kawano, M. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Photoluminescence spectra of zinc-blend and wurtzite phases coexisted Si-doped GaAs nanowires
M. Nakano, K. Sugihara, D. Ohori, T. Ikari, Y. Honda, H. Amano and A. Fukuyama
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Investigation of thermal carrier escape from an AlGaAs/GaAs single quantum well by temperature-dependent I-V measurements
A. Iwamoto, T. Murakami, K. Matsuochi, T. Nakamura, D. Ohori, T. Ikari and A. Fukuyama
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells
T. Usuki, K. Matsuochi, T. Nakamura, K. Toprasertpong, T. Ikari, A. Fukuyama, M. Sugiyama and Y. Nakano
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
開催年月日： 2016年7月6日 - 2016年7月8日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Crystal growth of GaAs on high indexed Si substrates for multi-junction solar cells 国際会議
I. Harada, H. Suzuki, T. Ikari, A. Fukuyama
43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Portland, OR USA) IEEE
開催年月日： 2016年6月5日 - 2016年6月10日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Portland, OR USA
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フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価
武田秀明，中村翼，松落高輝，碇哲雄，福山敦彦，K. Toprasertpong，杉山正和，中野義昭
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡（新潟県長岡市）) 日本学術振興財団第175委員会
開催年月日： 2016年5月19日 - 2016年5月20日
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：アオーレ長岡（新潟県長岡市）
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疑似太陽光照射によるSiの移動度とキャリア濃度の変化
立神秀弥，徳田直樹，西岡賢祐，碇哲雄，福山敦彦
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡（新潟県長岡市）) 日本学術振興財団第175委員会
開催年月日： 2016年5月19日 - 2016年5月20日
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：アオーレ長岡（新潟県長岡市）
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Effect of embedding process on photoluminescence spectra of GaAs quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching process 国際会議
D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, and A. Fukuyama
The European Materials Research Society Spring Meeting 2016 (Lille, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2016年5月2日 - 2016年5月6日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Lille, France
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Effect of Built-in Electric Field on Miniband Structure and Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs/GaAsP Superlattice Investigated by Using Photoreflectance and Photoluminescence Spectroscopies 国際会議
T. Nakamura, K. Matsuochi, T. Murakami, H. Suzuki, T. Ikari, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama
The European Materials Research Society Spring Meeting 2016 (Lille, France) The European Materials Research Society
開催年月日： 2016年5月2日 - 2016年5月6日
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Lille, France
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中性粒子ビームとバイオナノテンプレートを用いて作製したGaAs量子ナノディスクのキャリア再結合とその埋め込み効果
近藤清文, 大堀大介, 境健太郎, トーマス セドリック, 肥後昭男, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦
第63回春季応用物理学関係連合講演会 (東工大 大岡山キャンパス) 応用物理学会
開催年月日： 2016年3月19日 - 2016年3月22日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響
横山祐貴, 堀切将, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦
第63回春季応用物理学関係連合講演会 (東工大 大岡山キャンパス) 応用物理学会
開催年月日： 2016年3月19日 - 2016年3月22日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells 国際会議
T. Usuki, K. Matsuochi, T. Nakamura, K. Toprasertpong, A. Fukuyama, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari
SPIE Photonics West 2016 (San Francisco, CA, USA) The International Society for Optics and Photonics
開催年月日： 2016年2月13日 - 2016年2月18日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Francisco, CA, USA
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Carrier collection mechanism in the strain-balanced InGaAs/GaAsP super-lattice solar cells by investigating the temperature changes of the surface photovoltage, photoluminescence, and piezoelectric photothermal signals 国際会議
A. Fukuyama, T. Nakamura, T. Usuki, K. Matsuochi, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari
SPIE Photonics West 2016 (San Francisco, CA, USA) The International Society for Optics and Photonics
開催年月日： 2016年2月13日 - 2016年2月18日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Francisco, CA, USA
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半極性(1-101)面で成長させたGaN薄膜のバンドギャップ減少
杉原 圭二, 中野 真理菜, 大堀 大介, 碇 哲雄, 福山 敦彦, 天野 浩, 本田 善央
平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会 (琉球大学工学部（那覇市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2015年12月5日 - 2015年12月6日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：琉球大学工学部（那覇市）
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GaAsN薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi供給順序が電気特性に与える影響
堀切 将, 横山 祐貴, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦
平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会 (琉球大学工学部（那覇市）) 応用物理学会九州支部
開催年月日： 2015年12月5日 - 2015年12月6日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：琉球大学工学部（那覇市）
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Effect of internal electric field on the miniband formation of multi quantum well solar cell structures investigated by a photoreflectance and a photothermal spectroscopy 国際会議
T. Nakamura, K. Matsuochi, T. Murakami, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari, and A. Fukuyama
米国真空学会 (San Jose, USA) American Vacuum Society
開催年月日： 2015年11月19日 - 2015年11月24日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Jose, USA
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Formation of wurtzite phase by Si doping and its effect on the optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates by a catalyst-free MBE-VLS technique 国際会議
M. Nakano, K. Sugihara, D. Ohori, K. Sakai, Y. Honda, T. Ikari and A. Fukuyama
米国真空学会 (San Jose, USA) American Vacuum Society
開催年月日： 2015年11月19日 - 2015年11月24日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Jose, USA
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Photoluminescence study on GaAs quantum nanodisk array fabricated by bio-nano-template and neutral beam etching 国際会議
Daisuke Ohori, K. Kondo, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, A. Fukuyama, and T. Ikari
2015年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所
開催年月日： 2015年10月27日 - 2015年10月29日
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sendai, Japan
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MBE法によるSi(11L)基板上のGaAs成長と結晶性評価
原田一徹, 鈴木秀俊, 奥谷哲, 津曲陽文, 山内俊浩, 福山敦彦
第45回結晶成長国内会議 (北海道大学学術交流会館) 応用物理学会
開催年月日： 2015年10月19日 - 2015年10月21日
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学学術交流会館
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矩形および階段状超格子太陽電池におけるミニバンド形成の評価
宇宿 孝則，中村 翼，松落 高輝，倉留 弘憲，相原 健人，トープラサートポンカシディット，藤井 宏昌，杉山 正和，福山 敦彦，碇 哲雄
平成27年秋季 第76回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）) 応用物理学会
開催年月日： 2015年9月13日 - 2015年9月16日
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）