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二層熱拡散モデルによるSi基板上SiGe膜のPPTスペクトル解析
河野洋平、政田清孝、福山敦彦、碇哲雄、酒井武信
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2011.11.26 - 2011.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池におけるキャリア再結合損失過程の積層数依存性
中野陽介、相原健人、藤井宏昌*、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2011.11.26 - 2011.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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Ｘ線トポグラフィによる InGaAs/GaAs (001)ヘテロエピタキシャル膜でのミスフィット転位の観察
松山慎弥、片山真弘、鈴木秀俊、山本奨、福山敦彦、尾関雅志、碇哲雄
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 (鹿児島大学工学部（鹿児島市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2011.11.26 - 2011.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：鹿児島大学工学部（鹿児島市）
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連続成膜法によるCIGS薄膜の光熱変換分光法を用いたバンドギャップの評価
森賢之、本野佑太郎、丁文、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄
第32回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (京都大学百周年時計台記念館（京都府）) 応用物理学会
Event date： 2011.11.8 - 2011.11.10
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都大学百周年時計台記念館（京都府）
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Si基板上無触媒GaAsナノワイヤの光学的特性評価
福山敦彦、山口雅史
第15回名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリシンポジウム (名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）) 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリ
Event date： 2011.11.7 - 2011.11.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）
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Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum wells for solar cell application International conference
T. Aihara, Y. Nakano, A. Fukuyama, Y. Wang, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari
2011固体素子に関する国際会議 (Nagoya, Japan) 応用物理学会
Event date： 2011.9.28 - 2011.9.30
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya, Japan
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Effect of Li contents on vacancy complex formation in p-type Li and Ni co-doped ZnO samples grown by a pulsed laser deposition International conference
K. Ishikura, K. Sakai, A. Fukuyama, E. S. Kumar, M. S. R. Rao, T. Okada, and T. Ikari
第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会
Event date： 2011.9.25 - 2011.9.29
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Miyazaki, Japan
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Distribution of misfit dislocations at the interface of InGaAs/GaAs(001) observed by monochromatic X-ray topography International conference
H. Suzuki, T. Sasaki, S. Yamamoto, Y. Ohshita, A. Fukuyama, and M. Yamaguchi
第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会
Event date： 2011.9.25 - 2011.9.29
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Miyazaki, Japan
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Nitrogen related deep levels in GaAsN films investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal signal amplitude International conference
K. Kashima, S. Yamamoto, Y. Nakano, K. Sakai, H. Suzuki, M. Inagaki, M. Yamaguchi, A. Fukuyama, and T. Ikari
第14回半導体中の欠陥に関する国際会議 (Miyazaki, Japan) DRIP14実行委員会
Event date： 2011.9.25 - 2011.9.29
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Miyazaki, Japan
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非発光再結合過程検出による太陽電池半導体結晶の光学的特性評価
福山敦彦、碇哲雄
第21回格子欠陥フォーラム (立山国際ホテル（富山県富山市）) 格子欠陥フォーラム
Event date： 2011.9.19 - 2011.9.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：立山国際ホテル（富山県富山市）
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Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films by piezoelectric photothermal and photoluminescence spectroscopies International conference
Wen Ding, Y. Nakano, K. Sakai, H. Nakazawa, A. Fukuyama, and T. Ikari
第22回ダイヤモンドおよび関連材料に関する欧州国際会議 (Garmisch-Partenkirchen, Germany) Diamond2011実行委員会
Event date： 2011.9.4 - 2011.9.8
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Garmisch-Partenkirchen, Germany
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InGaAs/GaAsP歪み補償超格子セルによるキャリア輸送の効率化
王云鵬、文瑜、相原健人、福山敦彦、碇哲雄、杉山正和、中野義昭
平成23年秋季 第72回応用物理学会学術講演会会 (山形大学小白川キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2011.8.29 - 2011.9.2
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：山形大学小白川キャンパス
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InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層でのキャリア再結合損失評価
相原健人、福山敦彦、王云鵬、杉山正和、中野義昭、碇哲雄
平成23年秋季 第72回応用物理学会学術講演会会 (山形大学小白川キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2011.8.29 - 2011.9.2
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：山形大学小白川キャンパス
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Investigation of the photovoltaic performance of the polycrystalline silicon p-n junction by a photothermal measurement International conference
A. Fukuyama, D. Ishibashi, Y. Sato, T. Yasui, K. Sakai, H. Suzuki, K. Nishioka, and T. Ikari
第24回アモルファスおよびナノ結晶半導体に関する国際会議 (Nara, Japan) ICANS24実行委員会
Event date： 2011.8.21 - 2011.8.26
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nara, Japan
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Photoluminescence and photoreflectance spectra of silicon related impurity levels in catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate International conference
A. Suzuki, T. Mori, A. Fukuyama, J. H. Paek, M. Yamaguchi, and T. Ikari
第19回変調構造半導体に関する国際会議 (Tallahassee, Florida, USA) EP2DS19/MSS15実行委員会
Event date： 2011.7.25 - 2011.7.29
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Tallahassee, Florida, USA
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連続成膜法によるCu(In,Ga)Se2薄膜のPL及びPPTスペクトル
本野佑太郎、森賢之、鈴木章生、丁文、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄
第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2011.6.30 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：じゅうろくプラザ（岐阜市）
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PPT法による多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究
佐藤洋平、石橋大輔、安井貴俊、境健太郎、西岡賢祐、福山敦彦、碇哲雄
第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2011.6.30 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：じゅうろくプラザ（岐阜市）
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圧電素子光熱分光法によるダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究
丁文、中野陽介、境健太郎、福山敦彦、中澤日出樹、碇哲雄
第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2011.6.30 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：じゅうろくプラザ（岐阜市）
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圧電素子光熱変換信号の温度変化解析によるGaAsN中深い欠陥準位の評価
中野陽介、鹿島康史郎、山本奨、境健太郎、鈴木秀俊、福山敦彦、B. Boussairi、稲垣充、山口真史、碇 哲雄
第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2011.6.30 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：じゅうろくプラザ（岐阜市）
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InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層での非発光再結合評価
相原 健人、中野 陽介、王 云鵬、福山 敦彦、杉山 正和、中野 義昭、碇 哲雄
第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2011.6.30 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：じゅうろくプラザ（岐阜市）