Presentations -
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A study of the recombination processes at the p-n junction interface by the photoexcited carrier concentration controlled photothermal method
Atsuhiko Fukuyama, Toshihiro Iki, Hitoshi Tamura, Kentaro Sakai, and Tetsuo Ikari
第29回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺) EMS実施委員会
Event date： 2010.7.14 - 2010.7.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ修善寺
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Cu(In,Ga)Se2薄膜のPLおよびSPV法による光学的特性評価の研究
森賢之、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、山口利幸
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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多結晶シリコンp-n接合界面および粒界における熱エネルギー損失評価
田村仁、田頭直樹、境 健太郎、福山敦彦、碇哲雄
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
山元亮一、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、三浦創史、中澤日出樹
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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銀シングルナノ微粒子の触媒作用によって形成されたSiナノ構造の光学的評価
森賢之、田村仁、福山敦彦、碇哲雄、末籐豪、西岡賢祐
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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圧電素子光熱変換信号の温度変化解析によるGaAsN中深い欠陥準位の評価
河野洋平、政田清孝、福山敦彦、碇哲雄、鈴木秀俊、B. Boussairi、稲垣充、山口真史
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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時間分解フォトルミネッセンス法を用いたGaAsNのバンド端近傍のキャリア捕獲過程の観察
稲垣充、鈴木秀俊、鈴木章生、牟田口和真、小島信晃、大下祥雄、山口真史、福山敦彦
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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ポリエチレングリコール分子量によるチタニア多孔質薄膜の光学的特性変化
平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司
第7回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (北九州国際会議場（小倉市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2010.7.8 - 2010.7.9
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北九州国際会議場（小倉市）
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Effect of the molecular weight of a polyethylene glycol on the photoluminescence spectra of porous TiO2 films for dye-sensitized solar cells International conference
K. Sakai, Y. Hirashita, T. Aihara, A. Fukuyama, T. Ikari, and S. Furukawa
欧州材料学会春季ミーティング2010 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2010.6.7 - 2010.6.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg, France
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Determination of the band gap and its exciton binding energy of 100nm thick GaInNAs films by using a piezoelectric photo-thermal and a photo-reflectance spectroscopy International conference
A. Fukuyama, T. Ikari, M. Yano, K. Sakai, H. Yokoyama, and M. Kondow
欧州材料学会春季ミーティング2010 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2010.6.7 - 2010.6.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Strasbourg, France
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Effect of rapid thermal annealing on well width dependences of exciton binding energy in GaInNAs/GaAs single quantum wells International conference
T. Ikari, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, and M. Kondow
欧州材料学会春季ミーティング2010 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2010.6.7 - 2010.6.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Strasbourg, France
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Photoluminescence and photoreflectance studies of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrates International conference
Akio Suzuki, Kazumasa Mutaguchi, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Ji-Hyun Paek, and Masahito Yamaguchi
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会
Event date： 2010.5.31 - 2010.6.4
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Takamatsu Symbol Tower, Japan
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Effect of the GaAs Substrate Orientation on the Piezoelectric Photothermal Spectra of GaAsN Thin Film for Ultra High-Efficiency Four-Junction Solar Cells International conference
Kazumasa Mutaguchi, Tomoyuki Touse, Yohei Kawano, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, and Masafumi Yamaguchi
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会
Event date： 2010.5.31 - 2010.6.4
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Takamatsu Symbol Tower, Japan
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Optical energy gap of Si-doped diamond like carbon (DLC) films as a function of sp3/sp2 compositional ratio investigatedby photothermal and photoluminescence spectroscopies International conference
Ryoich Yamamoto, Tatsuya Miyamoto, Soushi Miura, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Hideki Nakazawa
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会
Event date： 2010.5.31 - 2010.6.4
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Takamatsu Symbol Tower, Japan
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光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
山元亮一、三浦創史、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
山元亮一、三浦創史、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
牟田口和真、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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ポリエチレングリコールの分子量を変化させたTiO2薄膜の光学的特性比較
平下康貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、古川昌司
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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圧電素子光熱変換分光法による半導体材料評価
福山敦彦、碇哲雄
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：アークホテル熊本
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銀シングルナノ微粒子の触媒作用によって形成されたSiナノ構造の光学的評価
田村仁、末籐豪、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学