Presentations -
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Role of strain relaxation layer on carrier recombination and escaping lifetimes in superlattice solar cell structures International conference
T. Nakamura, R. Iwanaga, T. Aki, A. Watanabe, T. Ikari, M. Sugiyama, and A. Fukuyama
The European Materials Research Society Spring Meeting 2019 (Nice, France) The European Materials Research Society
Event date： 2019.5.27 - 2019.5.31
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nice, France
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集光照射下でのSi基板のHall移動度の温度依存性
髙内健二郎、碇哲雄、西岡賢祐、福山敦彦
第3回フロンティア太陽電池セミナー (ホテルメリージュ（宮崎市）) フロンティア太陽電池セミナー実施委員会
Event date： 2018.12.13 - 2018.12.14
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ホテルメリージュ（宮崎市）
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高濃度リンドープ基板上に成長させた無添加Siエピタキシャル膜のフォトルミネッセンススペクトル
松田真輝, 碇哲雄, 福山敦彦, 佐々木駿, 佐俣秀一, 三次伯知
平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡大学七隈キャンパス（福岡市））) 応用物理学会九州支部
Event date： 2018.12.8 - 2018.12.9
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡大学七隈キャンパス（福岡市））
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光照射下のp-Si基板における光励起キャリア濃度の非線形的な増加とキャリアライフタイムの関係
高内健二郎, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦
平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡大学七隈キャンパス（福岡市））) 応用物理学会九州支部
Event date： 2018.12.8 - 2018.12.9
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡大学七隈キャンパス（福岡市））
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GaAs量子ドットにおけるフォトルミネッセンスピークエネルギーのS字型温度依存性に対する励起光強度の影響
石塚史典, 合田拓矢, 江添悠平, 碇哲雄, 間野高明, 福山敦彦
平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡大学七隈キャンパス（福岡市））) 応用物理学会九州支部
Event date： 2018.12.8 - 2018.12.9
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡大学七隈キャンパス（福岡市））
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集光照射下のSi基板における光励起キャリア濃度の非線形的な増加要因
福山敦彦, 高内健二郎, 西岡賢祐, 碇哲雄
第8回次世代太陽電池用材料研究会 (ホテルメルパルク（愛媛県松山市道後温泉）) EFCIV committee
Event date： 2018.11.18 - 2018.11.19
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ホテルメルパルク（愛媛県松山市道後温泉）
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Optical properties of Si nanopillar/Si0.7Ge0.3 compsite film fabricated by using a neutral beam etching technique International conference
N, Matsuda, T. Nakamura, D. Ohori, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama
2018年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所
Event date： 2018.11.7 - 2018.11.9
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai, Japan
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超格子太陽電池内に形成されたシュタルクラダー状態とキャリアトンネル過程との関係
渡部愛理, 中村翼, 魯家男, 岩永凌平, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦
第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専
Event date： 2018.10.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）
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歪緩和層挿入による超格子構造内のキャリア輸送特性変化
安藝翼, 魯家男, 中村翼, 岩永凌平, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦
第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専
Event date： 2018.10.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）
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液滴エピタキシー法で作製されたGaAs量子ドットの発光特性に対するサイズ分布の影響
宮内雄大, 石塚史典, 合田拓矢, 江添悠平, 間野高明, 碇哲雄, 福山敦彦
第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専
Event date： 2018.10.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）
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ライフタイム測定によるnおよびp-Si基板内に形成される光励起キャリア濃度差に関する考察
原田知季, 高内健二郎, 松田真輝, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦
第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専
Event date： 2018.10.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）
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集光照射によるSi基板のHall移動度変化と太陽電池特性への影響
石脇祐誠, 高内健二郎, 松田真輝, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦
第10回半導体材料・デバイスフォーラム (TKPガーデンシティ熊本（熊本市）) 熊本高専
Event date： 2018.10.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：TKPガーデンシティ熊本（熊本市）
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Effect of dot size on the temperature-dependenct photoluminescence signal in droplet-epitaxy-fabricated GaAs quantum dots
Y. Ezoe, F. Ishitsuka, T. Goda, T. Ikari, T. Mano and A. Fukuyama
第37回電子材料シンポジウム (ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）) EMS実施委員会
Event date： 2018.10.10 - 2018.10.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）
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Temperature dependence of carrier relaxation process in InGaAs/GaAsP superlattice solar cell with GaAs interlayer
R. Iwanaga, T. Nakamura, J. Lu, T. Ikari, M. Sugiyama, and A. Fukuyama
第37回電子材料シンポジウム (ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）) EMS実施委員会
Event date： 2018.10.10 - 2018.10.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県）
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無欠陥Siナノピラー構造のキャリア再結合過程評価
松田真輝, 大堀大介, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦
平成30年秋季 第79回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（名古屋市）) 応用物理学会
Event date： 2018.9.18 - 2018.9.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場（名古屋市）
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Si(001)基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響
金子翔一, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦, 鈴木秀俊
平成30年秋季 第79回応用物理学会学術講演会 (名古屋国際会議場（名古屋市）) 応用物理学会
Event date： 2018.9.18 - 2018.9.21
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場（名古屋市）
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Role of GaAs interlayer between quantum well and barrier layers in carrier thermal escaping transport process in InGaAs/GaAsP superlattice solar cells International conference
T. Nakamura, T. Ikari, M. Sugiyama, A. Fukuyama
Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, France) ICPS comittee
Event date： 2018.7.27 - 2018.8.3
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Montpellier, France
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Blue shift of photoluminescence emission peak energies in the temperature dependences of GaAs and InAs quantum dot structures International conference
A. Fukuyama, F. Ishitsuka, T. Goda, Y. Ezoe, T. Mano, K. Akahane, and T. Ikari
Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, France) ICPS comittee
Event date： 2018.7.27 - 2018.8.3
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Montpellier, France
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Verification of Stark-ladder formation in InGaAs/GaAsP superlattice solar cell structures by a photo-reflectance International conference
T. Ikari, T. Nakamura, M. Sugiyama, A. Fukuyama
Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, France) ICPS comittee
Event date： 2018.7.27 - 2018.8.3
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Montpellier, France
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歪緩和層を挿入した超格子太陽電池のキャリア輸送メカニズム
魯家男, 中村翼, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 杉山正和, 福山敦彦
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (ホテルさっぽろ芸文館（北海道札幌市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2018.7.12 - 2018.7.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ホテルさっぽろ芸文館（北海道札幌市）