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Photoluminescence and photoreflectance studies of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrates International conference
Akio Suzuki, Kazumasa Mutaguchi, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Ji-Hyun Paek, and Masahito Yamaguchi
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会
Event date： 2010.5.31 - 2010.6.4
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Takamatsu Symbol Tower, Japan
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Effect of the GaAs Substrate Orientation on the Piezoelectric Photothermal Spectra of GaAsN Thin Film for Ultra High-Efficiency Four-Junction Solar Cells International conference
Kazumasa Mutaguchi, Tomoyuki Touse, Yohei Kawano, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, and Masafumi Yamaguchi
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会
Event date： 2010.5.31 - 2010.6.4
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Takamatsu Symbol Tower, Japan
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Optical energy gap of Si-doped diamond like carbon (DLC) films as a function of sp3/sp2 compositional ratio investigatedby photothermal and photoluminescence spectroscopies International conference
Ryoich Yamamoto, Tatsuya Miyamoto, Soushi Miura, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Hideki Nakazawa
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (Takamatsu Symbol Tower, Japan) iscs2010実施委員会
Event date： 2010.5.31 - 2010.6.4
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Takamatsu Symbol Tower, Japan
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圧電素子光熱変換分光法による半導体材料評価
福山敦彦、碇哲雄
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：アークホテル熊本
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光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
山元亮一、三浦創史、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
山元亮一、三浦創史、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
牟田口和真、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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ポリエチレングリコールの分子量を変化させたTiO2薄膜の光学的特性比較
平下康貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、古川昌司
第１回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.2.13
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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銀シングルナノ微粒子の触媒作用によって形成されたSiナノ構造の光学的評価
田村仁、末籐豪、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
牟田口和真、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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N添加GaAsN薄膜の光熱変換スペクトルにおけるGaAs基板表面ステップの影響
當瀬智之、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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CuInS2多孔質結晶の合成及び評価
金子知史、山元亮一、福山敦彦、赤木洋二
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
壹岐俊洋、田村仁、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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石英基板上ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
宮本達弥、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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ポリエチレングリコールの分子量を変化させたTiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトル
平下康貴、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、岩本朋久、古川昌司
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 (熊本大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2009.11.21 - 2009.11.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本大学
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光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
田村仁、壹岐俊洋、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄
第30回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (同志社大学今出川キャンパス寒梅館) 応用物理学会
Event date： 2009.11.18 - 2009.11.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学今出川キャンパス寒梅館
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Detail investigation of phonon-emitting energy loss in the p-n junction by using piezoelectric photothermal and surface photovoltage techniques International conference
Toshihiro Iki, Hitoshi Tamura, Tatsuya Miyamoto, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari
19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会
Event date： 2009.11.9 - 2009.11.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue： ICC JEJU, Korea
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study of the photovoltaic performance of the DLC thin films by change of the sp3/sp2 ratio International conference
Tatsuya Miyamoto, Toshihiro Iki, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, and Hideki Nakazawa
19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会
Event date： 2009.11.9 - 2009.11.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue： ICC JEJU, Korea
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Investigation of nonraditaive recombination and accumulation processes of photoexcited carriers in GaAsN for ultra high-efficiency four-junction solar cells International conference
Tomoyuki Touse, Kazumasa Mutaguchi, Ryouichi Yamamoto, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Masafumi Yamaguchi
19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会
Event date： 2009.11.9 - 2009.11.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue： ICC JEJU, Korea
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Effect of P25:PC101 ratio on the photothermal and photoluminescence spectra of titania thin films with mixture of anatase and rutile structures fabricated by the squeegee method International conference
Yasutaka Hirashita, Tatsuya Miyamoto, Tomohisa Iwamoto, Kentaro Sakai, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Shoji Furukawa
19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition ( ICC JEJU, Korea) PVSEC実施委員会
Event date： 2009.11.9 - 2009.11.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue： ICC JEJU, Korea