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Effect of Light Irradiation on Carrier Mobility of n- and p-Type Si Substrates for Solar Cell Application International conference
Naoki Tokuda, Shuya Tategami, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Kensuke Nishioka, Atsuhiko Fukuyama
26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (Marina Bay Sands Expo, Singapore) PVSEC committee
Event date： 2016.10.24 - 2016.10.28
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Marina Bay Sands Expo, Singapore
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Radiative carrier recombination process in GaAs ND fabricated by bio-template and neutral beam etching embedded by AlGaAs International conference
A. Iwamoto, D. Ohori, Cedric Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama
2016年公募共同研究成果報告会 (Sendai, Japan) 東北大学流体科学研究所
Event date： 2016.10.10 - 2016.10.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai, Japan
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Optical properties of miniband formed in the InGaAs/GaAsP quantum well solar cells by means of photoreflectance, photoluminescence, and photothermal spectroscopies International conference
A. Fukuyama, K. Matsuochi, T. Nakamura, H. Takeda, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (Toulouse, France) IEEE
Event date： 2016.10.9 - 2016.10.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Toulouse, France
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Investigation of carrier recombination process in top-down fabricated GaAs nano-disc array structure by photoluminescence measurements International conference
T. Ikari, D. Ohori, A. Higo, C. Thomas, S. Samuakwa, K. Nishioka, A. Fukuyama
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (Toulouse, France) IEEE
Event date： 2016.10.9 - 2016.10.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Toulouse, France
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The Influence of Substrate Orientation on Localized Nitrogen State in GaAsN films Grown on Vicinal GaAs (001) Substrates International conference
M. Horikiri, W. Ding, Y. Yokoyama, H. Suzuki, T. Ikari, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, A. Fukuyama
2016 Internal Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Japan) SSDM実行委員会
Event date： 2016.9.26 - 2016.9.29
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Tsukuba, Japan
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ナノバイオテンプレート極限加工を用いたGaAs量子ナノディスクの発光再結合の温度依存性
大堀 大介, トーマス セドリック, 肥後 昭男, 寒川 誠二, 碇 哲雄, 福山 敦彦
平成28年秋季 第77回応用物理学会学術講演会 (朱鷺メッセ（新潟県新潟市）) 応用物理学会
Event date： 2016.9.13 - 2016.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
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ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響
横山 祐貴, 堀切 将, 原口 智宏, 山内 俊浩, 鈴木 秀俊, 碇 哲雄, 福山 敦彦
平成28年秋季 第77回応用物理学会学術講演会 (朱鷺メッセ（新潟県新潟市）) 応用物理学会
Event date： 2016.9.13 - 2016.9.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
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Photoluminescence emission from As-etched quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching process International conference
D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, A. Higo C. Thomas, S. Samukawa, T. Ikari and A. Fukuyama
16th International Conference on Nanotechnology (Sendai, Japan) IEEE
Event date： 2016.8.22 - 2016.8.25
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai, Japan
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Effects of Si Gas Flow Sequence on Electrical Characteristics of GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy International conference
Y. Yokoyama, H. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Nagoya, Japan) ICCGE実行委員会
Event date： 2016.8.7 - 2016.8.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya, Japan
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Effects of Si gas flow sequence on electrical characteristics of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy GaAsN
Y. Yokoyama, M. Kawano, M. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
Event date： 2016.7.6 - 2016.7.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Photoluminescence spectra of zinc-blend and wurtzite phases coexisted Si-doped GaAs nanowires
M. Nakano, K. Sugihara, D. Ohori, T. Ikari, Y. Honda, H. Amano and A. Fukuyama
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
Event date： 2016.7.6 - 2016.7.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Investigation of thermal carrier escape from an AlGaAs/GaAs single quantum well by temperature-dependent I-V measurements
A. Iwamoto, T. Murakami, K. Matsuochi, T. Nakamura, D. Ohori, T. Ikari and A. Fukuyama
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
Event date： 2016.7.6 - 2016.7.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells
T. Usuki, K. Matsuochi, T. Nakamura, K. Toprasertpong, T. Ikari, A. Fukuyama, M. Sugiyama and Y. Nakano
第35回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）) EMS実施委員会
Event date： 2016.7.6 - 2016.7.8
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
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Crystal growth of GaAs on high indexed Si substrates for multi-junction solar cells International conference
I. Harada, H. Suzuki, T. Ikari, A. Fukuyama
43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Portland, OR USA) IEEE
Event date： 2016.6.5 - 2016.6.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Portland, OR USA
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フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価
武田秀明，中村翼，松落高輝，碇哲雄，福山敦彦，K. Toprasertpong，杉山正和，中野義昭
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡（新潟県長岡市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡（新潟県長岡市）
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疑似太陽光照射によるSiの移動度とキャリア濃度の変化
立神秀弥，徳田直樹，西岡賢祐，碇哲雄，福山敦彦
第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (アオーレ長岡（新潟県長岡市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2016.5.19 - 2016.5.20
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アオーレ長岡（新潟県長岡市）
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Effect of embedding process on photoluminescence spectra of GaAs quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching process International conference
D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, and A. Fukuyama
The European Materials Research Society Spring Meeting 2016 (Lille, France) The European Materials Research Society
Event date： 2016.5.2 - 2016.5.6
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Lille, France
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Effect of Built-in Electric Field on Miniband Structure and Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs/GaAsP Superlattice Investigated by Using Photoreflectance and Photoluminescence Spectroscopies International conference
T. Nakamura, K. Matsuochi, T. Murakami, H. Suzuki, T. Ikari, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano and A. Fukuyama
The European Materials Research Society Spring Meeting 2016 (Lille, France) The European Materials Research Society
Event date： 2016.5.2 - 2016.5.6
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Lille, France
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中性粒子ビームとバイオナノテンプレートを用いて作製したGaAs量子ナノディスクのキャリア再結合とその埋め込み効果
近藤清文, 大堀大介, 境健太郎, トーマス セドリック, 肥後昭男, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦
第63回春季応用物理学関係連合講演会 (東工大 大岡山キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2016.3.19 - 2016.3.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東工大 大岡山キャンパス
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GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響
横山祐貴, 堀切将, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦
第63回春季応用物理学関係連合講演会 (東工大 大岡山キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2016.3.19 - 2016.3.22
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東工大 大岡山キャンパス