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圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs-MQWの光吸収スペクトル評価
倉山慎吾、中川崇洋、王萍、園田修盛、福山敦彦、藤原賢三、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
Event date： 2006.11.25 - 2006.11.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：大分大学
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圧電素子ー光熱信号の温度依存性によるVGF成長SI-GaAs中の深い準位の評価
後藤章宏、小村照太、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
Event date： 2006.11.25 - 2006.11.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：大分大学
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圧電素子光熱分光法を用いたシリコンp-n接合界面におけるキャリアのドリフトと再結合
中馬博樹、内堀裕樹、王萍、福山敦彦、碇哲雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 (大分大学) 応用物理学会九州支部会
Event date： 2006.11.25 - 2006.11.26
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：大分大学
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Effect of interface states at SiO2/Si boundaries on surface photovoltage and piezoelectric photothermal spectra
H. Hayashi, T. Kuroki, A. Fukuyama, M. Suemitsu, and T. Ikari
第27回 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (名古屋国際会議場) 応用物理学会
Event date： 2006.11.15 - 2006.11.17
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価
内堀裕樹、中馬博樹、福山敦彦、碇哲雄
第27回 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (名古屋国際会議場) 応用物理学会
Event date： 2006.11.15 - 2006.11.17
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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Effect of the surface conditions on the optical properties of bulk ZnO single crystals -Surface photovoltage and photothermal spectroscopy International conference
K. Sakai, S. Oyama, K. Fukushima, H. Yokoyama, A. Fukuyama, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society
Event date： 2006.5.29 - 2006.6.2
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nice, France
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Photo-ionization cross section of Nickel deep level in silicon investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal and surface photovoltage signals International conference
S. Sato, S. Tanaka, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, M. Ozeki, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society
Event date： 2006.5.29 - 2006.6.2
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nice, France
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Piezoelectric photothermal study of GaAs single quantum well embedded in GaAs/AlAs short-period superlattices International conference
P. Wang, K. Nakagawa, K. Sakai, A. Fukuyama, Y. Akashi, K. Fujiwara, and T. Ikari
The European Materials Research Society Spring Meeting 2006 (Nice, France) European Materials Research Society
Event date： 2006.5.29 - 2006.6.2
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nice, France
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Investigation of Ni Induced deep levels in n-type Si by a temperature dependence of piezoelectric photothermal and surface photovoltage signals International conference
S. Sato, S. Tanaka, K. Sakai, A. Fukuyama, and T. Ikari
Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society
Event date： 2005.12.7 - 2005.12.9
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Bethesda, MD (Maryland), USA
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Piezoelectric photothermal and surface photovoltage spectra in extremely thin GaInNAs/GaAs single quantum well International conference
S. Fukushima, T. Ikari, A. Fukuyama, K. Sakai, H.Yokoyama, and M. Kondow
Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society
Event date： 2005.12.7 - 2005.12.9
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Bethesda, MD (Maryland), USA
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Carrier recombination mechanism at SiO2/Si interface studied by a photo-thermal and a surface photo-voltage spectroscopy International conference
T. Saisho, K. Sakai, H. Hayashi, S. Sato, A. Fukuyama, M. Suemitsu, and T. Ikari
Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society
Event date： 2005.12.7 - 2005.12.9
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Bethesda, MD (Maryland), USA
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Piezoelectric photo-thermal and surface photo-voltage spectra of chalcopyrite CuGaSe2 epitaxial layers fabricated on semi-insulating GaAs International conference
N. Ohryoji, A. Goto, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama, A. Yamada, S. Niki, and T. Ikari
Int. Semiconductor Devices Research Symposium (Bethesda, MD (Maryland), USA) Electron Devices Society
Event date： 2005.12.7 - 2005.12.9
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Bethesda, MD (Maryland), USA
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圧電素子光熱分光法によるGaAs/AlAs超格子閉じ込め単一量子井戸の光学的評価
王萍，中川崇洋，境健太郎，福山敦彦，藤原健三，碇哲雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2005.11.26 - 2005.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡工業大学
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圧電素子光熱分光法によるSi基板上に成長させたβ-FeSi2薄膜の光学特性の測定
横山宏有，境健太郎，福山敦彦，吉武剛，碇哲雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2005.11.26 - 2005.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡工業大学
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圧電素子光熱分光法及び表面光起電力法によるZnOナノロッドの光学的特性評価
境健太郎，福島健太，小山定泰，福山敦彦，岡田龍雄，碇哲雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2005.11.26 - 2005.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡工業大学
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圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン太陽電池の光学的特性評価
坂本将一，園田修盛，境健太郎，福山敦彦，碇哲雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2005.11.26 - 2005.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡工業大学
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圧電素子光熱分光法によるInGaAs/GaAs-SQWの光学的評価
中川崇洋，王萍，福山敦彦，前田幸治，岩佐洋助，尾関雅志，碇哲雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 (福岡工業大学) 応用物理学会九州支部
Event date： 2005.11.26 - 2005.11.27
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡工業大学
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RF-MBEによって作成されたInGaN薄膜のフォトリフレクタンスと光熱変換スペクトル
河野永樹、下原崇、内堀裕樹、小牧弘典、福山敦彦、碇哲雄、片山竜二、尾鍋研太郎
第26回 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (東京工業大学すずかけ台キャンパス) 応用物理学会
Event date： 2005.11.16 - 2005.11.18
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学すずかけ台キャンパス
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圧電素子光熱分光法による微結晶シリコンバンドギャップ近傍の光学的特性評価
坂本将一，園田修盛，王萍，境健太郎，福山敦彦，碇哲雄
第12回 CRC 技術・研究発表交流会 (宮崎大学CRCセンター) 宮崎大学CRC
Event date： 2005.7.29
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：宮崎大学CRCセンター
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Photo-Thermal Reflection microscopyによるSiO2/Si界面のキャリア再結合速度の測定
碇哲雄，福山敦彦，末光眞希，J. P. Roger and D. Fournier
第12回 CRC 技術・研究発表交流会 (宮崎大学CRCセンター) 宮崎大学CRC
Event date： 2005.7.29
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：宮崎大学CRCセンター