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N組成変化がGaAsN薄膜のバンド端構造に与える影響
山本奨、鈴木章生、鹿島康史郎、稲垣充、鈴木秀俊、福山敦彦、山口真史、碇哲雄
第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (じゅうろくプラザ（岐阜市）) 日本学術振興財団第175委員会
Event date： 2011.6.30 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：じゅうろくプラザ（岐阜市）
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Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP Multiple quantum wells for solar cell application by using a piezoelectric photothermal method
Taketo Aihara, Atsuhiko Fukuyama, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Testuo Ikari
第30回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖) EMS実施委員会
Event date： 2011.6.29 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ琵琶湖
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Excitation intensity changed photoluminescence study of silicon related impurity levels in catalyst-free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate
Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Takayuki Mori, Ji-Hyun Paek, Masahito Yamaguchi, and Tetsuo Ikari
第30回電子材料シンポジウム (ラフォーレ琵琶湖) EMS実施委員会
Event date： 2011.6.29 - 2011.7.1
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ琵琶湖
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Photoluminescence and photoreflectance studies of a silicon related impurity levels in catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrate International conference
A. Suzuki, T. Mori, A. Fukuyama, T. Ikari, Ji-Hyun Paek, and M. Yamaguchi
欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2011.5.9 - 2011.5.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg, France
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Photoluminescence and piezoelectric photothermal spectra of Cu(In,Ga)Se2 thin films by a sequential evaporation method International conference
T. Mori, A. Suzuki, Y. Motono, W. Ding, A. Fukuyama, T. Yamaguchi, and T. Ikari
欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2011.5.9 - 2011.5.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg, France
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Effect of N composition on temperature dependence of band gap energies of GaAsN thin films grown by Chemical Beam Epitaxy International conference
S. Yamamoto, K. Kashima, A. Suzuki, H. Suzuki, A. Fukuyama, M. Inagaki, M. Yamaguchi, T. Ikari
欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2011.5.9 - 2011.5.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg, France
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Photoluminescence studies of vacancy complex in p-type Li and Ni co-doped ZnO samples grown by a pulsed laser deposition International conference
K. Sakai, K. Ishikura, A. Fukuyama, E. Senthil Kumar, Ｍ. S. Ramachandra Rao, T. Okada, and T. Ikari
欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2011.5.9 - 2011.5.13
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Strasbourg, France
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Investigation of deep trap centers by a temperature variation of the signal amplitude in the piezoelectric photothermal spectra International conference
K. Kashima, S. Yamamoto, Y. Nakano, K. Sakai, H. Suzuki, M. Inagaki, M. Yamaguchi, A. Fukuyama, T. Ikari
欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2011.5.9 - 2011.5.13
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Strasbourg, France
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Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films by using a piezoelectric photothermal spectroscopy International conference
W. Ding, Y. Nakano, R. Yamamoto, S. Miura, K. Sakai, A. Fukuyama, T. Ikari, and H. Nakazawa
欧州材料学会春季ミーティング2011 (Strasbourg, France) The European Materials Research Society
Event date： 2011.5.9 - 2011.5.13
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg, France
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圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価
田村仁、安井貴俊、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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結晶成長方法及び熱処理がGaAsN薄膜のバンド構造に与える影響
牟田口和真、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、鈴木秀俊、稲垣充、山口真史
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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PPT法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究
山元亮一、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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TiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトルに及ぼす大気の影響と光触媒効果
平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価
田村仁、福山敦彦、境健太郎、碇哲雄
第31回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学アカデミックコモン（東京都）) 応用物理学会
Event date： 2010.12.6 - 2010.12.8
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：明治大学アカデミックコモン（東京都）
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銀ダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究
山元亮一、河野洋平、政田清孝、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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結晶成長方法及び熱処理がGaAsN薄膜のバンド構造に与える影響
牟田口和真、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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光音響分光法によるハロゲン添加カルコゲナイドガラスの光学的評価
横山宏有、境健太郎、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価
田村仁、安井貴俊、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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無触媒MBE-VLS法によりSi(111)基板上に成長させたGaAsナノワイヤのPL及びPRスペクトル
鈴木章生、森賢之、福山敦彦、碇哲雄、J. Paek、山口雅史
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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連続成膜法によりGa比を変化させたCu(In,Ga)Se2薄膜のPRおよびPLスペクトル
森 賢之、鈴木 章生、福山 敦彦、碇 哲雄、山口 利幸
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）