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圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価
田村仁、安井貴俊、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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結晶成長方法及び熱処理がGaAsN薄膜のバンド構造に与える影響
牟田口和真、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、鈴木秀俊、稲垣充、山口真史
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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PPT法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究
山元亮一、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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TiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトルに及ぼす大気の影響と光触媒効果
平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司
第2回半導体材料・デバイスフォーラム (アークホテル熊本) 熊本高専半導体デバイス部
Event date： 2010.12.11 - 2010.12.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：アークホテル熊本
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圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価
田村仁、福山敦彦、境健太郎、碇哲雄
第31回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム (明治大学アカデミックコモン（東京都）) 応用物理学会
Event date： 2010.12.6 - 2010.12.8
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：明治大学アカデミックコモン（東京都）
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銀ダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究
山元亮一、河野洋平、政田清孝、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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結晶成長方法及び熱処理がGaAsN薄膜のバンド構造に与える影響
牟田口和真、鈴木章生、福山敦彦、碇哲雄、稲垣充、鈴木秀俊、山口真史
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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光音響分光法によるハロゲン添加カルコゲナイドガラスの光学的評価
横山宏有、境健太郎、福山敦彦、前田幸治、碇哲雄
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価
田村仁、安井貴俊、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、西岡賢祐
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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無触媒MBE-VLS法によりSi(111)基板上に成長させたGaAsナノワイヤのPL及びPRスペクトル
鈴木章生、森賢之、福山敦彦、碇哲雄、J. Paek、山口雅史
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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連続成膜法によりGa比を変化させたCu(In,Ga)Se2薄膜のPRおよびPLスペクトル
森 賢之、鈴木 章生、福山 敦彦、碇 哲雄、山口 利幸
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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TiO2薄膜の欠陥起因PLスペクトルに及ぼす大気の影響と光触媒効果
平下康貴、相原健人、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、久木田広大、古川昌司
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九州大学伊都キャンパス（福岡市）) 応用物理学会九州支部
Event date： 2010.11.27 - 2010.11.28
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：九州大学伊都キャンパス（福岡市）
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Low-temperature photoluminescence of phosphorous-doped ZnO nanowires synthesized by nanoparticle-assisted pulsed-laser deposition International conference
K. Sakai, A. Fukuyama, T. Ikari, T. Okada
IEEE電気情報通信学会シンポジウム (Fukuoka International Congress Center, Japan) TENCON 2010 実行委員会
Event date： 2010.11.21 - 2010.11.24
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Fukuoka International Congress Center, Japan
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連続成膜法によるGa比を変化させたCu(In, Ga)Se2薄膜のフォトリフレクタンススペクトル
森賢之、鈴木章生、福山敦彦、山口利幸、碇哲雄
2010年 多元系機能材料研究会 (千葉工業大学（千葉市）) 応用物理学会多元系機能材料研究会
Event date： 2010.11.19 - 2010.11.20
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：千葉工業大学（千葉市）
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Effect of Silicon Doping on the Photoluminescence and Photoreflectance Spectra of Catalyst Free MBE-VLS Grown GaAs Nanowires International conference
A. Suzuki, T. Mori, A. Fukuyama, T. Ikari, J.-H. Paek and M. Yamaguchi
マイクロプロセスシンポジウム (Rihga Royal Hotel Kokura, Japan) MNC 2010 実行委員会
Event date： 2010.11.9 - 2010.11.12
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Rihga Royal Hotel Kokura, Japan
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Determination of Exciton Binding Energy of GaInNAs Quantum Wells by a Piezoelectric Photo-thermal Spectroscopy comparing with a Photo-reflectance and a Photoluminescence Measurements International conference
K. Kashima, A. Fukuyama, K. Sakai, H. Yokoyama, M. Kondow and T. Ikari
マイクロプロセスシンポジウム (Rihga Royal Hotel Kokura, Japan) MNC 2010 実行委員会
Event date： 2010.11.9 - 2010.11.12
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Rihga Royal Hotel Kokura, Japan
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Shallow Carrier Trap levels in GaAsN investigated by Photoluminescence International conference
M. Inagaki, H. Suzuki, A. Suzuki, K. Mutaguchi, A. Fukuyama, N. Kojima, Y. Ohshita, and M. Yamaguchi
固体電子材料シンポジウム (The University of Tokyo, Japan) SSDM 2010 実行委員会
Event date： 2010.9.22 - 2010.9.24
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：The University of Tokyo, Japan
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非発光再結合検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価
福山敦彦、境健太郎、碇哲雄、古川昌司
平成22年秋季 第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学) 応用物理学会
Event date： 2010.9.14 - 2010.9.17
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：長崎大学
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Improvement of Electrical Properties in GaAsN by Controlling Step Density During Chemical Beam Epitaxy Growth
Hidetoshi Suzukia, Makoto Inagaki, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Atsuhiko Fukuyama, and Masafumi Yamaguchi
第29回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺) EMS実施委員会
Event date： 2010.7.14 - 2010.7.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ修善寺
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Photoluminescence and photoreflectance studies of catalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowires on (111)Si substrates
Atsuhiko Fukuyama, Akio Suzuki, Kazumasa Mutaguchi, Tetsuo Ikari, Ji-Hyun Paek, and Masahito Yamaguchi
第29回電子材料シンポジウム (ラフォーレ修善寺) EMS実施委員会
Event date： 2010.7.14 - 2010.7.16
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ修善寺